本发明涉及器件，每个器件具有利用聚焦离子束（ＦＩＢ）形成的超微结构。在许多情况下，该结构具有自立于衬底上的板的形状。尽管根据本发明的器件的典型例子是场效应晶体管和激光二极管，但本发明并不限于这些器件。根据本发明的场效应晶体管和激光二极管...

本发明涉及光电器件，其发射或吸收的光的波长短于ＧａＮ光电器件能够发射或吸收的光的波长。使用高纯度氧化钼作为发光区或吸光区而形成本发明的器件。获得了新型廉价光电器件，其发射的光具有从蓝色到深紫外的波长。可以在相对低的温度如７００℃下形成本...

本发明针对发射或吸收具有短波长的光的光子器件，其通过使用基片上生长的氧化钼形成，所述基片由从以下选择的材料组成：单质半导体、Ⅲ－Ⅴ或Ⅱ－Ⅳ化合物半导体、Ⅳ化合物半导体、有机半导体、金属晶体以及它们的衍生物或玻璃。实现了发射具有从蓝到深紫...

本发明涉及在器件的至少一部分中包括高纯度氧化钼的电子器件。根据本发明的器件如双极性晶体管、场效应晶体管和闸流晶体管具有高耐压。本发明还涉及使用高纯度氧化钼形成的对环境惰性的电子器件。根据本发明的器件可以在相对较低的温度如７００℃下制造，...

本发明涉及由在基片上生长的金属氧化物组成的新的半导体膜及其制造方法。该金属氧化物由氧化钼组成，所述氧化钼非常适用于制造具有高耐电压的电子器件以及光子和电子恶劣环境器件。本发明的重要方面在于，在由已在普通电子和光子器件中使用的材料制成的基...

本发明涉及在由已知半导体电子器件中使用的材料组成的基片上形成的包括氧化钼的半导体电子器件。本发明还涉及用于在由已在通常的电子和光子器件中使用的材料组成的基片上制造所述电子器件的新方法。适当的基片由诸如以下的材料组成：诸如硅和锗之类的单质...

本发明提供一种改进的电涌保护器及其制造方法。本发明的电涌保护器主要包括：若干金属条，该金属条通过半导体晶体的连续高电阻膜结合成单体，以便相邻的金属条之间无间隙；和在构成单体的所述金属条的端部元件上形成的电极。这样，本发明的电涌保护器制造...