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本发明涉及在器件的至少一部分中包括高纯度氧化钼的电子器件。根据本发明的器件如双极性晶体管、场效应晶体管和闸流晶体管具有高耐压。本发明还涉及使用高纯度氧化钼形成的对环境惰性的电子器件。根据本发明的器件可以在相对较低的温度如７００℃下制造，此温...
该专利属于河东田隆所有，仅供学习研究参考，未经过河东田隆授权不得商用。

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