【技术实现步骤摘要】
本专利技术有关一种形成低温多晶硅薄膜晶体管的工艺方法，且特别有关一种形成无光致抗蚀剂与化学溶剂残留于多晶硅上的低温多晶硅薄膜晶体管的工艺方法。
技术介绍
现今平面显示器中的薄膜晶体管多以非晶硅(amorphous silicon)所制成，少数高阶产品则以电子迁移率(mobility)高的多晶硅(poly silicon)制成。多晶硅技术可容许集成更多的电子电路，因而可以降低整体产品的复杂度及重量。多晶硅工艺中，最高温度约为500℃以上，接近玻璃衬底开始软化的温度。请参照图1A～1J，其显示一传统低温多晶硅薄膜晶体管的制作流程。首先，于图1A中，一缓冲层102、一多晶硅层104依序形成于一衬底100上，其中，多晶硅层104利用准分子激光对一非晶硅层进行结晶回火而形成；接着，再形成一具有图案的光致抗蚀剂层105于多晶硅层104之上，并以光致抗蚀剂层105为掩模，蚀刻多晶硅层104，再以化学溶剂去除残留的光致抗蚀剂后，其结构如图1B所示。接着，参考图1C，沉积一层栅极氧化层108于缓冲层102与多晶硅层104之上，并形成一导电层于栅极氧化层108之上，利用光刻与蚀刻...
【技术保护点】
1.一种形成低温多晶硅薄膜晶体管的方法，该方法至少包括：
形成一多晶硅层于该衬底上；
形成一栅极氧化层于该多晶硅层上；
图案化该栅极氧化层与该多晶硅层，其利用光刻与蚀刻工艺完成；
形成一栅极于该栅极氧化层之上；以及
注入掺杂剂，其以该栅极为掩模，以形成源极与漏极。
【技术特征摘要】
1.一种形成低温多晶硅薄膜晶体管的方法，该方法至少包括形成一多晶硅层于该衬底上；形成一栅极氧化层于该多晶硅层上；图案化该栅极氧化层与该多晶硅层，其利用光刻与蚀刻工艺完成；形成一栅极于该栅极氧化层之上；以及注入掺杂剂，其以该栅极为掩模，以形成源极与漏极。2.如权利要求1所述的方法，其中该形成一多晶硅步骤之前，还包括形成一缓冲层于该衬底上的步骤。3.如权利要求1所述的方法，其中该多晶硅层的厚度约为200～1000埃。4.如权利要求1所述的方法，其中该栅极氧化层的厚度约为500～1500埃。5.如权利要求1所述的方法，其中该栅极为钼、铬或钛/铝/钛的其中之一所组成。6.如权利要求1所述的方法，其中该注入掺杂剂的剂量约为1×1014dose/cm2～5×1015dose/cm2。7.一种形成一第一型晶体管与一第二型晶体管于一衬底上的方法，该方法至少包括形成一多晶硅层于该衬底上；形成一栅极氧化层于该多晶硅层上；图案化该栅极氧化层与该多晶硅层，以形成对应于该第一型晶体管的第一堆叠结构与对应于该第二型晶体管的第二堆叠结构；形成一栅极于该栅极氧化层之上，该栅极小于该栅极氧化层；形成该第一型晶体管的源极与漏极，其利用一覆盖全部该第二堆叠结构以及至少覆盖该第一型晶体管的轻度掺杂区域的光致抗蚀剂层为掩模，并注入第一重度掺杂剂而形成；形成该第一型晶体管的轻度掺杂，其利用该栅极为掩模，并注入第一轻度掺杂剂而形成；以及形成该第二型晶体管的源极与漏极，其利用一覆盖全部该第一堆叠结构的光致抗蚀剂层为掩模，并注入第二重度掺杂剂而形成。8.如权利要求7所述的方法，其中该形成一多晶硅步骤之前，还包括形成一缓冲层于该衬底上...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈坤宏，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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