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形成低温多晶硅薄膜晶体管的方法技术
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文档序号:3205176
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一种形成低温多晶硅薄膜晶体管的方法,该方法至少包括: 形成一多晶硅层于该衬底上; 形成一栅极氧化层于该多晶硅层上; 图案化该栅极氧化层与该多晶硅层,其利用光刻与蚀刻工艺完成; 形成一栅极于该栅极氧化层之上;以及 ...
该专利属于友达光电股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过友达光电股份有限公司授权不得商用。
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