半导体外延片性能自动测试装置及其测试方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种半导体外延片性能自动测试装置，在于由计算机、控制电路、外延片、测磁探头、测量电路、控温箱、电磁铁、恒流电源、电流倒向电路共同连接构成，本发明专利技术还涉及所述装置用于半导体外延片性能自动测试方法。本发明专利技术的外延片在恒温盒内可以变温，实现在不同温度下进行测量；利用计算机自动控制电磁铁的电源连续变化；计算机自动测量磁场数值，自动测量外延片的霍尔参数；其测量准确、快速。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子、半导体技术及测试
具体是一种半导体外延片性能自动测试装置。本专利技术还涉及所述装置用于半导体外延片性能自动测试的方法。
技术介绍
利用霍尔效应原理可以测量半导体外延片的许多性能，可以反映半导体材料的导电类型、电阻率、薄膜电阻、表面载流子浓度、体载流子浓度、迁移率等的数值。通常的方法是利用人工测试和计算的方式，即人工调节电流来改变电磁场，利用计算器计算外延片的载流子浓度等参数，经常会产生人为的误差及计算错误。目前焊接存在的主要问题是(1)人工调节电磁场会导致数值不稳定；(2)人工读电压、电流和万用表数值容易产生误差和错误；(3)人工操作使得电磁场电流反向，容易产生误操作；(4)人工计算外延片的参数时容易产生误差；(5)测试工作比较繁索，效率比较低。
技术实现思路
本专利技术的目的就是要克服上述现有技术中存在的技术问题，提供一种带PC计算机的可自动调节磁场数值、可变温度、自动测量电阻和霍尔参数、利用多种方法计算外延片的半导体外延片性能自动测试装置。本专利技术的目的还在于提供应用所述装置进行的半导体外延片性能自动测试方法。本专利技术的半导体外延片性能自动测试装置本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体外延片性能自动测试装置，其特征在于由计算机、控制电路、外延片、测磁探头、测量电路、控温箱、电磁铁、恒流电源、电流倒向电路共同连接构成，其相互连接关系为：计算机的输出控制线与控制电路的输入线相电气连接；控制电路的输出控制线与测量电路、电流倒向电路的输入线相电气连接；外延片的输入控制线与恒流电源的输出线相电气连接；外延片的输出控制线与测量电路的输入线相电气连接；测磁探头的输入控制线与测量电路的输入线相电气连接；电磁铁的输入控制线与电流倒向电路的输出控制线相电气连接；电流倒向电路的输入控制线与恒流电源的输出控制线相电气连接；控温箱由控温柜和控温盒相互连接构成，控温盒放置在电磁铁的磁极之间。

【技术特征摘要】
1.一种半导体外延片性能自动测试装置，其特征在于由计算机、控制电路、外延片、测磁探头、测量电路、控温箱、电磁铁、恒流电源、电流倒向电路共同连接构成，其相互连接关系为计算机的输出控制线与控制电路的输入线相电气连接；控制电路的输出控制线与测量电路、电流倒向电路的输入线相电气连接；外延片的输入控制线与恒流电源的输出线相电气连接；外延片的输出控制线与测量电路的输入线相电气连接；测磁探头的输入控制线与测量电路的输入线相电气连接；电磁铁的输入控制线与电流倒向电路的输出控制线相电气连接；电流倒向电路的输入控制线与恒流电源的输出控制线相电气连接；控温箱由控温柜和控温盒相互连接构成，控温盒放置在电磁铁的磁极之间。2.根据权利要求1所述的半导体外延片性能自动测试装置，其特征在于所述控制电路由计算机PCI总线接口电路IC4构成；测量电路由磁场测量和外延片参数测量电路共同电气连接构成，其中，磁场测量电路由霍尔元件H1恒流源电路IC1、运算放大器IC1C、电阻R5～R7、模拟/数字转换器IC3共同电气连接构成；外延片...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙慧卿，范广涵，郭志友，
申请(专利权)人：华南师范大学，
类型：发明
国别省市：81[中国|广州]