【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种。
技术介绍
液晶显示器(LCD)是最广泛使用的平板显示器之一，这是因为它比传统的阴极射线管(CRT)显示器重量更轻并且所占空间更小。液晶显示器通常包括置于一对面板之间的液晶(LC)层，该面板包括能产生电磁场的电极，诸如像素电极和共同电极。液晶层受能产生电磁场的电极所产生的电磁场的控制，场强的变化改变液晶层的分子方向。例如，在电磁场的作用下，液晶层的分子改变了方向引起入射光的偏振变化。适当排列的起偏器部分或全部地阻挡光线，产生出灰色或黑色的区域可以表现出需要的图像。用于液晶显示器的一个面板通常包括多个像素电极、用于控制施于像素电极的信号的多个薄膜晶体管(TFTs)、传送用于控制薄膜晶体管的控制信号的多条栅极线、以及传送要提供给像素电极的数据电压的多条数据线。另一面板通常包括设置在其整个表面上的共同电极。薄膜晶体管阵列面板包括含有几个导电薄膜和绝缘薄膜的薄膜晶体管。栅极线、数据线、和像素电极由不同的薄膜形成，并且它们被绝缘薄膜分隔开且依次从底部到顶部排列。薄膜晶体管阵列面板是通过多个薄膜沉积工序和光刻工序制造的。因此，重要的是获得利用最少处理工...
【技术保护点】
一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法，包括以下工序：在基片上形成栅极线；依次在所述栅极线上沉积栅极绝缘层和半导体层；在所述半导体层上沉积下层导电薄膜和上层导电薄膜；对所述下层导电薄膜、所述上层导电薄膜、和所述半导 体层进行光蚀刻；沉积钝化层；对所述钝化层进行光蚀刻以露出所述上层导电薄膜的第一和第二部分；除去所述上层导电薄膜的第一和第二部分以露出所述下层导电薄膜的第一和第二部分；在所述下层导电薄膜的第一和第二部分上分别形 成像素电极和一对冗余电极，所述冗余电...
【技术特征摘要】
KR 2003-8-28 10-2003-00600111.一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法，包括以下工序在基片上形成栅极线；依次在所述栅极线上沉积栅极绝缘层和半导体层；在所述半导体层上沉积下层导电薄膜和上层导电薄膜；对所述下层导电薄膜、所述上层导电薄膜、和所述半导体层进行光蚀刻；沉积钝化层；对所述钝化层进行光蚀刻以露出所述上层导电薄膜的第一和第二部分；除去所述上层导电薄膜的第一和第二部分以露出所述下层导电薄膜的第一和第二部分；在所述下层导电薄膜的第一和第二部分上分别形成像素电极和一对冗余电极，所述冗余电极露出所述下层导电薄膜的第二部分中的一部分；除去所述下层导电薄膜的第二部分的露出部分以露出所述半导体层的一部分；以及在所述半导体层的露出部分上形成柱状隔离物。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述钝化层的光蚀刻包括以下工序露出所述上层导电薄膜的第一部分以及邻接所述第一部分的所述栅极绝缘层的一部分。3.根据权利要求2所述的方法，其中所述栅极绝缘层的露出部分被与所述下层导电薄膜在一起的像素电极覆盖。4.根据权利要求3所述的方法，其中所述钝化层的光蚀刻进一步包括以下工序露出所述上层导电薄膜的第三部分。5.根据权利要求4所述的方法，其中除去所述上层导电薄膜的第一和第二部分还包括以下工序去除所述上层导电薄膜的第三部分以暴露出所述下层导电薄膜的第三部分。6.根据权利要求5所述的方法，其中所述栅极线包括下层薄膜和上层薄膜。7.根据权利要求6所述的方法，其中所述钝化层的光蚀刻进一步包括以下工序蚀刻所述栅极绝缘层以露出所述栅极线的上层薄膜的一部分。8.根据权利要求7所述的方法，其中除去所述上层导电薄膜的第一和第二部分包括以下工序除去所述栅极线的上层薄膜的露出部分以露出所述栅极线的下层薄膜的一部分。9.根据权利要求7所述的方法，进一步包括以下工序在所述下层导电薄膜的第三部分和所述栅极线的下层薄膜的露出部分上形成辅助接触部。10.根据权利要求9所述的方法，其中所述栅极线的上层薄膜包含与所述上层导电薄膜相同的材料。11.根据权利要求10所述的方法，其中所述栅极线的上层薄膜和所述上层导电薄膜包含铬，而所述栅极线的下层薄膜和所述下层导电薄膜包含铝或铝-钕合金。12.根据权利要求11所述的方法，其中所述像素电极和所述冗余电极包含氧化铟锌。13.根据权利要求12所述的方法，其中形成像素电极和一对冗余电极并除去所述下层导电薄膜的第二部分...
【专利技术属性】
技术研发人员：朴旻昱，全相镇，朴正浚，李正荣，白范基，柳世桓，郭相基，李翰柱，崔权永，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]
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