半导体器件的制造方法技术

本发明专利技术的课题是，使电学特性分散性减少，实现能以高品质、高成品率制造半导体器件的半导体器件制造方法。这是一种由制造形成作为产品的半导体器件的晶片的主体晶片制造工序和制造形成监测元件的晶片的监测晶片制造工序构成的半导体制造方法，仅共有监测工序，上述主体晶片制造工序包含分散性减少工序，将上述监测晶片制造工序定为包含完成情况观测工序和条件设定工序的半导体制造方法。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是，特别涉及包含在半导体器件的制造工序过程中的监测方法和对后续监测信息的制造工序的反映方法的。
技术介绍
在物品制作中，制造分散性是损害了产品的特性(包含功能、性能及形状)的均匀性的性能，是扩大产品规格、维持制造成品率(品质降低)，还是维持产品规格、降低制造成品率(成本上升)，对于制造业者来说，是一种重大的决断。其中，对于作为代表性的批量生产产品的，融合了成本优先的制造方法和品质优先的制造方法的经过了改进的制造方法已试行了若干种。在说明上述改进了的制造方法之前，首先说明半导体器件的一般的制造方法。半导体器件系形成了多个晶体管或二极管等的电子元件以及电连接这些电子元件的布线的半导体芯片(例如，厚0.5mm、纵10mm、横8mm)被密封进与其使用形态对应的封装中，并被组装进计算机等电子装置中加以利用。半导体器件的制造工序如图2所示的微制造工序流程那样，由将形成多个半导体芯片的数十片晶片集中起来一起(成批)制造的制造前工序X和将在晶片上所形成的半导体芯片切割成一个一个、安装进封装中、进行产品检查的制造后工序Y构成。像FPLD(数字IC)及熔断丝存储器等那样，虽然也有在制造后工本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的制造方法，其特征在于：这是在从包含制造形成半导体器件的主体晶片的多道工序的主体晶片制造工序中选定１道工序作为监测工序，从上述监测工序后续的主体后处理工序中选定１道工序作为分散性减少工序，制造形成监测元件的监测晶片的监 测晶片制造工序具有：监测晶片前处理工序、上述监测工序、监测晶片后处理工序、测定监测元件的特性的完成情况观测工序、以及从在上述完成情况观测工序中测得的工序影响来决定上述分散性减少工序的制造条件的条件设定工序，在用上述条件设定工序所决定的制造条件下，进行主体后处理工序的半导体器件的制造方法。

【技术特征摘要】
JP 2003-9-9 316588/03;JP 2003-9-9 316589/03;JP 2001.一种半导体器件的制造方法，其特征在于这是在从包含制造形成半导体器件的主体晶片的多道工序的主体晶片制造工序中选定1道工序作为监测工序，从上述监测工序后续的主体后处理工序中选定1道工序作为分散性减少工序，制造形成监测元件的监测晶片的监测晶片制造工序具有监测晶片前处理工序、上述监测工序、监测晶片后处理工序、测定监测元件的特性的完成情况观测工序、以及从在上述完成情况现测工序中测得的工序影响来决定上述分散性减少工序的制造条件的条件设定工序，在用上述条件设定工序所决定的制造条件下，进行主体后处理工序的半导体器件的制造方法。2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于将上述监测元件定为MOS二极管。3.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于将上述半导体器件的制造工序过程中的上述监测工序定为栅氧化膜工序。4.如权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其特征在于将形成用离子注入法注入上述阈值电压控制用的杂质的杂质注入区的沟道掺杂工序定为上述分散性减少工序。5.如权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其特征在于将层间绝缘膜形成工序中的高温处理的工序定为上述分散性减少工序。6.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于具有在比形成半导体器件的上述主体晶片的浓度低10％～50％左右的监测晶片的表面附近，用离子注入法注入阈值电压控制用的杂质，形成杂质注入区的上述监测晶片前处理工序。7.如权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于在用离子注入法注入上述阈...

【专利技术属性】
技术研发人员：石井和敏，小山内润，北岛裕一郎，南志昌，上村启介，和气美和，
申请(专利权)人：精工电子有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]