管芯底部与支撑板分隔开的表面安装封装制造技术

根据本发明专利技术的半导体封装包括金属壳体（１２），在金属壳体（１２）的内部空间容纳有ＭＯＳＦＥＴ（１０）。所容纳的ＭＯＳＦＥＴ（１０）被定向，从而其漏极面向壳体（１２）的底部，并通过导电环氧树脂层（１４）或焊料等与壳体的底部电连接。ＭＯＳＦＥＴ（１０）的边缘与壳体（１２）的壁隔开。ＭＯＳＦＥＴ（１０）的边缘和壳体（１２）的壁之间的间隙被绝缘层（１６）填充。ＭＯＳＦＥＴ（１０）的表面（标为Ａ′）稍低于金属壳体（１２）的凸起（２２）形成的衬底的平面（标为Ａ）。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体封装，尤其涉及一种用于容纳具有可减少温度循环故障的结构的功率半导体管芯(semiconductor die)的半导体封装。
技术介绍
通常，热循环会导致频繁和重复的应力，这种应力在分层结构中可能导致因老化等原因而造成的破裂，因此，温度循环(temperature cycling)是导致分层结构出现故障的一种材料因素(material factor)。在半导体器件封装中，温度循环导致管芯与底层填料(die-underfill)的接合、底层填料与衬底的接合、焊料隆起焊盘(solder bump)连接以及其他区域中的钝化层的故障。这降低了封装的可靠性。因此，需要提供一种方法来减少由温度循环引起的故障。现在参照附图，其中类似的参考标号指代了类似的元件。附图说明图1和图2示出了在2001年3月28日提交的第09/819,774号美国专利申请中得到完整描述的半导体封装5。该申请已转让给本申请的受让人并被合并入本文以用作参考。如图1和图2所示，半导体封装5包括在杯状壳体12内的MOSFET(金属氧化物半导体场效应管)10，壳体12起到漏极夹具的作用。壳体12优选地由铜本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件封装，包括半导体器件管芯，其具有与第二表面基本平行的第一表面；所述第一表面具有第一可焊接平面金属电极；所述第二表面具有第二平面金属性电极；具有平连接板部分的金属夹具，所述平连接板部分具有第一表面 和第二表面，所述平连接板部分的所述第二表面与所述半导体器件管芯的所述第一表面电连接；以及从所述平连接板部分的边缘向上延伸并与所述半导体器件管芯的边缘分隔开的至少一个可焊接平面金属柱状电极，其中所述半导体器件管芯向内凹入所述夹具的内部 ，从而所述半导体器件管芯的所述第二表面不与所述至少一个可焊接平面金属柱状电极平齐...

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：马丁斯坦丁，安德鲁N萨乐，
申请(专利权)人：国际整流器公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]