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根据本发明的半导体封装包括金属壳体（１２），在金属壳体（１２）的内部空间容纳有ＭＯＳＦＥＴ（１０）。所容纳的ＭＯＳＦＥＴ（１０）被定向，从而其漏极面向壳体（１２）的底部，并通过导电环氧树脂层（１４）或焊料等与壳体的底部电连接。ＭＯＳＦＥＴ（...
该专利属于国际整流器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际整流器公司授权不得商用。

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