执行基于模型的光邻近校正的方法技术

用于执行基于模型的光邻近校正的方法和执行这种方法的程序存储设备，所述方法提供具有感兴趣区即ＲＯＩ的掩模矩阵并在掩模矩阵内定位多个感兴趣点。计算具有多个代表所定位的感兴趣点的节点的第一多边形，随后确定它的节点与ＲＯＩ之间的空间关系。然后第一多边形的节点被钉扎至ＲＯＩ的边界上和之内以使第二多边形被形成在ＲＯＩ上。对第一多边形的所有节点重复该过程以使第二多边形被坍缩到ＲＯＩ上。然后该坍缩后的第二多边形被用于校正光邻近。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术通常涉及光刻法的领域，并且更具体地说，涉及形成原始多边形的新节点并钉扎该节点至用于光刻法的基于模型的光邻近校正(OPC)的感兴趣区(ROI)的多边形钉扎方法。
技术介绍
在半导体器件的制作中，光微刻处理，也称为光刻法，通常需要尽可能好地将所需电路图案复制到半导体晶片上。这些所需电路图案被表示为被称作光掩模的模板上的不透明和完全或部分透光区。然后光掩模上的图案被通过曝光系统以光学成象方式投射在涂有光致抗蚀剂的晶片上。 计算由光学投射系统所产生的图像的空间象模拟器，已经证明是一种分析并改进集成电路制作的光刻法的技术水平的有用工具。这种模拟已经在例如相移掩模(PSM)设计的先进掩模设计、光邻近校正(OPC)、和投射光学设计中找到应用。模型化空间象为半导体制造的关键部件。由于目前光刻工具采用部分相干照明，这种模型化除基本图案之外全部为计算上强烈的。由掩模所产生的空间象，即光学投射系统的象平面中的光强度，是控制开发的光致抗蚀剂结构复制掩模设计有多好的微刻法中的关键重要量。 在OPC软件中，图象强度通常通过具有描述过程的物理学的特定核函数的双线性变换计算。这可通过对应于Ho本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种执行基于模型的光邻近校正方法，该方法包括：提供具有带有边界的感兴趣区的掩模矩阵；在所述掩模矩阵内定位多个感兴趣点；确定具有多个代表所述所定位的多个感兴趣点的节点的第一单环路有限几何形状；和坍缩所述第一单环 路有限几何形状至所述感兴趣区上以校正光邻近。

【技术特征摘要】
US 2003-10-27 10/694,4731.一种执行基于模型的光邻近校正方法，该方法包括提供具有带有边界的感兴趣区的掩模矩阵；在所述掩模矩阵内定位多个感兴趣点；确定具有多个代表所述所定位的多个感兴趣点的节点的第一单环路有限几何形状；和坍缩所述第一单环路有限几何形状至所述感兴趣区上以校正光邻近。2.如权利要求1的方法，其中通过钉扎所述第一单环路有限几何形状的至少位于感兴趣区外的那些节点至所述感兴趣区的所述边界，所述坍缩所述第一单环路有限几何形状的步骤形成被坍缩到所述感兴趣区上的第二单环路有限几何形状。3.如权利要求2的方法，其中所述第一和第二单环路有限几何形状具有相同的有限几何形状。4.如权利要求2的方法，其中所述第一和第二单环路有限几何形状具有不同的有限几何形状。5.如权利要求2的方法，其中所述第一和第二单环路有限几何形状具有相同的节点数目。6.如权利要求2的方法，其中所述第一和第二单环路有限几何形状具有不同的节点数目。7.如权利要求2的方法，其中确定所述第一单环路有限几何形状的所述步骤包括基于所述多个感兴趣点和所述感兴趣区之间的关系计算所述第一单环路有限几何形状。8.如权利要求2的方法，该方法还包括以下步骤定位所述第一单环路有限几何形状的第一节点；定位所述第一单环路有限几何形状的第二节点；和确定所述第一和第二节点在所述矩阵内相对于所述感兴趣区的位置。9.如权利要求8的方法，其中所述第一和第二节点彼此相邻，并分别代表所述掩模矩阵内的所述多个感兴趣点的相邻第一和第二感兴趣点。10.如权利要求8的方法，其中所述位置包括位于所述感兴趣区内的所述第一和第二节点，该方法还包括以下步骤将所述第一节点指定给所述感兴趣区内的所述第二单环路有限几何形状的第一节点；和对所述第一单环路有限几何形状的所有节点重复所述步骤。11.如权利要求8的方法，其中所述位置包括位于所述感兴趣区内的所述第一节点和位于所述感兴趣区外的所述第二节点，该方法还包括以下步骤钉扎所述第二节点至与所述感兴趣区的所述边界最近的交叉点；将所述第一节点指定给所述感兴趣区内的所述第二单环路有限几何形状的第一节点；将所述被钉扎第二节点指定给所述感兴趣区内的所述第二单环路有限几何形状的第二节点；和对所述第一单环路有限几何形状的所有节点重复所述步骤。12.如权利要求8的方法，其中所述位置包括位于所述感兴趣区外的所述第一节点和位于所述感兴趣区内的所述第二节点，该方法还包括以下步骤钉扎所述第一节点至与所述感兴趣区的所述边界最近的交叉点；将所述第一被钉扎节点指定给所述感兴趣区内的所述第二单环路有限几何形状的第一节点；和对所述第一单环路有限几何形状的所有节点重复所述步骤。13.如权利要求8的方法，其中所述位置包括位于所述感兴趣区外的所述第一节点和第二节点，该方法还包括以下步骤确定所述第一节点的所述位置所在的所述掩模矩阵的区域；基于所述第一节点所在的所述掩模矩阵的所述区域钉扎所述第一节点至所述感兴趣区的所述边界，其中如果所述第一节点位于临近所述感兴趣区的角的区域内，则钉扎所述第一节点至所述感兴趣区的最近角，如果所述第一节点位于临近所述感兴趣区的侧边的区域内，则钉扎所述第一节点至所述感兴趣区的最近侧边；和对所述第一单环路有限几何形状的所有节点重复所述步骤。14.如权利要求13的方法，该方法还包括以下步骤定位所述第一单环路有限几何形状的侧边，该侧边连接所述第一和第二节点，和确定是否所述侧边与所述感兴趣区相交于两被钉扎点。15.如权利要求14的方法，其中确定所述侧边与所述感兴趣区相交于两点，该方法还包括以下步骤将所述两被钉扎点的第一点指定给所述感兴趣区内的所述第二单环路有限几何形状的第一节点；和将所述两被钉扎点的第二点指定给所述感兴趣区内的所述第二单环路有限几何形状的第二节点。16.如权利要求14的方法，其中确定所述侧边未与所述感兴趣区相交于两点，该方法还包括确定是否所述第一和第二节点位于所述掩模矩阵的相同区域内。17.如权利要求16的方法，该方法还包括以下步骤，其中如果所述第一和第二节点位于相同区域内，则前进至对所述第一单环路有限几何形状的所有节点重复所述步骤的所述步骤，如果所述第一和第二节点不位于相同区域内，则确定是否所述第一和第二节点位于所述掩模矩阵的相邻区域内。18.如权利要求17的方法，该方法还包括以下步骤，其中如果所述第一和第二节点位于所述掩模矩阵的相邻区域内，则前进至对所述第一单环路有限几何形状的所有节点重复所述步骤的所述步骤，如果所述第一和第二节点不位于所述掩模矩阵的相邻区域内，则确定是否所述第一和第二节点不位于所述掩模矩阵的相邻区域内。19.如权利要求18的方法，该方法还包括以下步骤，其中如果确定所述第一和第二节点不是不位...

【专利技术属性】
技术研发人员：格里格M加勒廷，伊曼纽尔戈弗曼，黎家辉，马克A拉维恩，玛哈拉杰穆克吉，多夫拉姆，艾伦E罗森布鲁斯，施洛莫谢拉夫曼，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]