光刻装置和器件制造方法制造方法及图纸

在使用１５７毫微米辐射的光刻装置中，在已经使用了低流量净化模式之后，在低强度下激发投影光束，并监测衬底表面处的强度。当衬底表面处的强度表示光束路径上的传输回到正常水平时，就确定可以安全地重新开始曝光。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种。
技术介绍
光刻装置是可在衬底的目标部分上施加所需图案的机器。光刻装置例如可用于集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可采用图案形成装置如掩模来产生与IC的单个层相对应的电路图案，该图案可被成像到衬底(如硅晶片)上的具有一层辐射敏感材料(抗蚀剂)的目标部分(例如包括一个或多个管芯)上。通常来说，单个衬底包含被连续曝光的相邻目标部分的网络。已知的光刻装置包括所谓的分档器，其中通过将整个图案一次性地曝光在目标部分上来照射各目标部分，还包括所谓的扫描器，其中通过沿给定方向(“扫描”方向)由投影光束来扫描图案并以平行于或反向平行于此方向的方向同步地扫描衬底来照射各目标部分。在光刻装置中，待成像特征的尺寸受到所用曝光辐射的波长的限制。因此，为了成像出更细微的细节，必须使用波长更短的辐射。当前生产所用的光刻装置使用了248毫微米或193毫微米的紫外线辐射。正在研制使用157毫微米辐射的装置。在使用157毫微米辐射的光刻装置中必须要克服的一个问题是，在该波长下普通大气是基本上不透明的。因此，提出了采用非常纯净的氮气(N2)来净化该光刻装置，或至少净化光束路径。所需的纯净程本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光刻装置，包括：－用于提供辐射投影光束的照明系统；－用于支撑图案形成装置的支撑结构，所述图案形成装置用于使所述投影光束的截面具有一定的图案；－用于固定衬底的衬底台；－用于将形成了图案的光束投影到所述衬底的 目标部分上的投影系统；－用于采用净化气体来净化所述装置的至少一部分的净化装置，所述净化装置可在净化气体的流量相对较高的第一模式以及净化气体的流量相对较低的第二模式下工作；和－用于检测相对所述投影光束方向而言处于所述装置一部分 的下游位置处的所述投影光束的强度的传感器，所述部分是由所述净化装置来净化...

【技术特征摘要】
EP 2003-10-30 03256893.31.一种光刻装置，包括-用于提供辐射投影光束的照明系统；-用于支撑图案形成装置的支撑结构，所述图案形成装置用于使所述投影光束的截面具有一定的图案；-用于固定衬底的衬底台；-用于将形成了图案的光束投影到所述衬底的目标部分上的投影系统；-用于采用净化气体来净化所述装置的至少一部分的净化装置，所述净化装置可在净化气体的流量相对较高的第一模式以及净化气体的流量相对较低的第二模式下工作；和-用于检测相对所述投影光束方向而言处于所述装置一部分的下游位置处的所述投影光束的强度的传感器，所述部分是由所述净化装置来净化的部分，其特征在于控制装置，其设置成可控制所述照明模式，以响应于所述净化装置从所述第二模式到所述第一模式的模式变化而产生强度比用于曝光所述衬底目标部分的正常强度更低的投影光束，并且设置成可监测由所述传感器测得的所述投影光束的强度，所述控制装置设置成可在由所述传感器测得的所述投影光束的所述强度达到预定的标准之前，防止所述照明系统产生具有所述正常强度的投影光束。2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述预定标准为所述光束的强度已经达到表示了所述光束路径的传输已回到生产所需水平的水平。3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述预定标准为所述光束强度的变化率已降低到小于预定的阈值。4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述能量传感器是在空间上...

【专利技术属性】
技术研发人员：JCM贾斯佩，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]