具有混合源极/漏极区的晶体管制造技术

本发明专利技术涉及具有混合源极/漏极区的晶体管，揭示了场效应晶体管的结构，以及形成用于场效应晶体管的结构的方法。半导体衬底包括第一区、第二区、及该第一区中的第一源极/漏极区。半导体鳍片定位在该半导体衬底的该第二区上方。该半导体鳍片沿纵轴侧向延伸以连接至该半导体衬底的该第一区。该结构包括第二源极/漏极区，该第二源极/漏极区包含耦合至该第一半导体鳍片的外延半导体层，以及在该半导体鳍片上方延伸的栅极结构。该栅极结构包括第一侧壁及与该第一侧壁相对的第二侧壁，该第一源极/漏极区位在邻接该栅极结构的该第一侧壁，以及该第二源极/漏极区位在邻接该栅极结构的该第二侧壁。该第二侧壁。该第二侧壁。

【技术实现步骤摘要】
具有混合源极/漏极区的晶体管


[0001]本专利技术涉及半导体装置的制造以及集成电路，更特别地，涉及用于场效应晶体管的结构以及形成用于场效应晶体管的结构的方法。

技术介绍

[0002]可采用互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺来建置p型和n型场效应晶体管的组合，用以构建例如逻辑单元的装置。场效应晶体管通常包括源极区、漏极区、源极区和漏极区之间的沟道区、以及与沟道区重叠的栅极电极。当超过特征阈值电压的控制电压施加在栅极电极时，载流发生在源极区和漏极区之间的沟道区中以产生装置输出电流。场效应晶体管可包括与多沟道区重叠的多栅极。
[0003]鳍式场效应晶体管(FinFET)是一种非平面装置结构，可比平面场效应晶体管更密集封装在集成电路中。鳍式场效应晶体管可包括半导体鳍片、环绕半导体鳍片的栅极结构、以及在栅极结构相对侧布置在半导体鳍片上的重掺杂源极和漏极区。源极和漏极区可在半导体鳍片中蚀刻的相应空腔中外延生长。
[0004]多栅极场效应晶体管可使用宽栅极间距来降低电容。与多栅极场效应晶体管中宽栅极间距相关的问题是半导体材料的底部填充，半本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于场效应晶体管的结构，该结构包括：半导体衬底，包括第一区、第二区、及该第一区中的第一源极/漏极区；第一半导体鳍片，在该半导体衬底的该第二区上方，该第一半导体鳍片沿纵轴侧向延伸以连接至该半导体衬底的该第一区；第二源极/漏极区，包括耦合至该第一半导体鳍片的外延半导体层；以及第一栅极结构，在该第一半导体鳍片上方延伸，该第一栅极结构包括第一侧壁及与该第一侧壁相对的第二侧壁，其中，该第一源极/漏极区位在邻接该第一栅极结构的该第一侧壁，以及该第二源极/漏极区位在邻接该第一栅极结构的该第二侧壁。2.如权利要求1所述的结构，还包括:第二栅极结构，在该第一半导体鳍片上方延伸，该第二栅极结构包括邻接该第一栅极结构的该第一侧壁的侧壁，其中，该第一源极/漏极区侧向地位在该第一栅极结构与该第二栅极结构之间。3.如权利要求2所述的结构，还包括:第三栅极结构，在该第一半导体鳍片上方延伸，该第三栅极结构包括邻接该第一栅极结构的该第二侧壁的侧壁，其中，该第二源极/漏极区侧向地位在该第一栅极结构与该第三栅极结构之间。4.如权利要求3所述的结构，其中，该第一栅极结构的该第一侧壁和该第二栅极结构的该侧壁以第一间距分开，该第一栅极结构的该第一侧壁和该第三栅极结构的该侧壁以第二间距分开，且该第一间距大于该第二间距。5.如权利要求4所述的结构，其中，该第一间距相等于该第二间距的整数倍。6.如权利要求4所述的结构，其中，该第一间距相等于该第二间距的两倍。7.如权利要求1所述的结构，其中，该第一源极/漏极区为该场效应晶体管的漏极，以及该第二源极/漏极区为该场效应晶体管的源极。8.如权利要求1所述的结构，其中，该半导体衬底的该第一区包括侧表面，且该第一半导体鳍片连接至该半导体衬底的该第一区的该侧表面的第一部分。9.如权利要求8所述的结构，还包括：第二半导体鳍片，连接至该半导体衬底的该第一区的该侧表面的第二部分，其中，该第二源极/漏极区的该外延半导体层还耦合至该第二半导体鳍片。10.如权利要求1所述的结构，其中，该半导体衬底的该第一区包括第一表面，该半导体衬底的该第二区包括第二表面，该第一源极/漏极区配置在该第一表面下方，以及该第一半导体鳍片远离该第二表面延伸。11.如权利要求10所述的结构，其中，...

【专利技术属性】
技术研发人员：李文君，谷曼，
申请(专利权)人：格芯美国集成电路科技有限公司，
类型：发明
国别省市：