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本发明涉及具有混合源极/漏极区的晶体管，揭示了场效应晶体管的结构，以及形成用于场效应晶体管的结构的方法。半导体衬底包括第一区、第二区、及该第一区中的第一源极/漏极区。半导体鳍片定位在该半导体衬底的该第二区上方。该半导体鳍片沿纵轴侧向延伸以连...
该专利属于格芯（美国）集成电路科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过格芯（美国）集成电路科技有限公司授权不得商用。

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