本发明专利技术提供一种能够减小由条纹配线引起的配线电阻的半导体装置。半导体装置(1)包含：源极焊垫电极(21)，形成在第2层间绝缘层(17)之上；多个源极引出电极(22)，在第1方向(X)上从源极焊垫电极(21)引出；漏极焊垫电极(31)，形成在第2层间绝缘层(17)之上；及多个漏极引出电极(32)，在第1方向(X)上从漏极焊垫电极(31)引出。源极焊垫电极(21)及多个源极引出电极(22)电连接于被第2层间绝缘层(17)覆盖的条纹配线(100)的多个源极配线(85)。漏极焊垫电极(31)及多个漏极引出电极(32)电连接于条纹配线(100)的多个漏极配线(86)。多个漏极引出电极(32)与多个源极引出电极(22)啮合。电极(32)与多个源极引出电极(22)啮合。电极(32)与多个源极引出电极(22)啮合。
【技术实现步骤摘要】
半导体装置
[0001]本专利技术涉及一种半导体装置。
技术介绍
[0002]在专利文献1中，记载了一种半导体装置，其在主体区域的一个主面形成有朝一个方向延伸的条纹状漏极区域及源极区域。
[0003][
技术介绍
文献][0004][专利文献][0005][专利文献1]日本专利特开2012
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156205号公报
技术实现思路
[0006][专利技术所要解决的问题][0007]探讨以下情况：在主体区域之上介隔绝缘层(第1绝缘层)配置第1配线层，且在第1配线层之上介隔绝缘层(第2绝缘层)配置第2配线层。第2配线层包含第1焊垫电极及第2焊垫电极。在此情况下，考虑在第1配线层中，将沿着漏极区域及源极区域的条纹方向延伸的多个第1配线(源极配线)及多个第2配线(漏极配线)隔开间隔地形成为条纹状。即，考虑在第1配线层中，形成沿着漏极区域及源极区域的条纹方向延伸的条纹配线。
[0008]在此情况下，若将第1焊垫电极电连接于条纹配线的一端部，将第2焊垫电极电连接于条纹配线的另一端部，则存在从第1焊垫电极到条纹配线(的另一端部侧的区域)的电流路径变长，从而导致条纹配线的配线电阻增加的担忧。同样地，存在从第2焊垫电极到条纹配线(的一端部侧的区域)的电流路径变长，从而导致由条纹配线引起的配线电阻增加。
[0009]本专利技术的一实施方式提供一种能够减少由条纹配线引起的配线电阻的半导体装置。
[0010][解决问题的技术手段][0011]本专利技术的一实施方式提供一种半导体装置，包含：第1绝缘层；条纹配线，包含多个第1配线及多个第2配线，所述多个第1配线及多个第2配线在所述第1绝缘层之上分别沿第1方向延伸，并在与所述第1方向交叉的第2方向上隔开间隔而排列，所述条纹配线具有所述第1方向的一侧的第1端部及所述第1方向的另一侧的第2端部；第2绝缘层，在所述第1绝缘层之上覆盖所述条纹配线；第1焊垫电极，在所述第2绝缘层之上配置在所述条纹配线的所述第1端部侧，并且电连接于多个所述第1配线；多个第1引出电极，在所述第2绝缘层之上从所述第1焊垫电极向所述条纹配线的所述第2端部侧呈梳齿状引出，并且相对于所述第1焊垫电极而在所述条纹配线的所述第2端部侧电连接于多个所述第1配线；第2焊垫电极，在所述第2绝缘层之上配置于所述条纹配线的所述第2端部侧，并且电连接于多个所述第2配线；以及多个第2引出电极，在所述第2绝缘层之上以啮合于多个所述第1引出电极的方式，从所述第2焊垫电极向所述条纹配线的所述第1端部侧呈梳齿状引出，并且相对于所述第2焊垫电极而在所述条纹配线的所述第1端部侧电连接于多个所述第2配线。
[0012]根据该半导体装置，能够利用第1引出电极缩短从第1焊垫电极到条纹配线的电流路径。同样地，能够利用第2引出电极缩短从第2焊垫电极到条纹配线的电流路径。由此，能够减小配线电阻。
[0013]本专利技术的一实施方式提供一种半导体装置，包含：第1绝缘层；条纹配线，包含多个第1配线及多个第2配线，所述多个第1配线及多个第2配线在所述第1绝缘层之上分别沿第1方向延伸，并在与所述第1方向交叉的第2方向上隔开间隔地排列，所述条纹配线具有所述第1方向的一侧的第1端部及所述第1方向的另一侧的第2端部；第2绝缘层，在所述第1绝缘层之上覆盖所述条纹配线；第1焊垫电极，在所述第2绝缘层之上配置在所述条纹配线的所述第1端部侧，且电连接于多个所述第1配线；第1引出电极，在所述第2绝缘层之上，在所述第1方向上从所述第1焊垫电极向所述条纹配线的所述第2端部侧引出，并且相对于所述第1焊垫电极而在所述条纹配线的所述第2端部侧电连接于多个所述第1配线；第2焊垫电极，在所述第2绝缘层之上配置在所述条纹配线的所述第2端部侧，且电连接于多个所述第2配线；以及第2引出电极，在所述第2绝缘层之上从所述第2焊垫电极向所述条纹配线的所述第1端部侧而在所述第1方向上引出，并且相对于所述第2焊垫电极而在所述条纹配线的所述第1端部侧电连接于多个所述第2配线；所述第1引出电极及所述第2引出电极的其中一个包含向所述第2方向的一侧突出的突出部，所述第1引出电极及所述第2引出电极的另一个包含向所述第2方向的所述一侧凹陷并与所述突出部啮合的凹陷部。
[0014]根据该半导体装置，能够利用第1引出电极缩短从第1焊垫电极到条纹配线的电流路径。同样地，能够利用第2引出电极缩短从第2焊垫电极到条纹配线的电流路径。通过在第1引出电极及第2引出电极中的至少一个形成突出部，能够增加电流路径得以缩短的条纹配线的数量。由此，能够减小配线电阻。
[0015]本专利技术的一实施方式提供一种半导体装置，包含：第1绝缘层；条纹配线，包含多个第1配线及多个第2配线，所述多个第1配线及多个第2配线在所述第1绝缘层之上分别沿第1方向延伸，并在与所述第1方向交叉的第2方向上隔开间隔地排列，所述条纹配线具有所述第1方向的一侧的第1端部及所述第1方向的另一侧的第2端部；第2绝缘层，在所述第1绝缘层之上覆盖所述条纹配线；第1焊垫电极，在所述第2绝缘层之上配置在所述条纹配线的所述第1端部侧，且电连接于多个所述第1配线；第1引出电极，在所述第2绝缘层之上，在所述第1方向上从所述第1焊垫电极向所述条纹配线的所述第2端部侧引出，并且相对于所述第1焊垫电极而在所述条纹配线的所述第2端部侧电连接于多个所述第1配线；第2焊垫电极，在所述第2绝缘层之上配置在所述条纹配线的所述第2端部侧，且电连接于多个所述第2配线；以及第2引出电极，在所述第2绝缘层之上，在所述第1方向上从所述第2焊垫电极向所述条纹配线的所述第1端部侧引出，并且相对于所述第2焊垫电极而在所述条纹配线的所述第1端部侧电连接于多个所述第2配线；所述第1引出电极及所述第2引出电极中的至少一个包含：第1延伸部，沿所述第1方向延伸；第3延伸部，从所述第1延伸部向所述第2端部侧或所述第1端部侧离开地沿所述第1方向延伸；及连接部，将所述第1延伸部与第3延伸部连接。
[0016]根据该半导体装置，能够利用第1引出电极缩短从第1焊垫电极到条纹配线的电流路径。同样地，能够利用第2引出电极缩短从第2焊垫电极到条纹配线的电流路径。
附图说明
[0017]图1是本专利技术的一实施方式涉及的半导体装置的示意性缺口立体图。
[0018]图2是表示所述半导体装置的内部结构的俯视图，表示半导体芯片的第1主面的布局。
[0019]图3是表示图2所示的单位单元的放大图。
[0020]图4是沿着图3所示的IV
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IV切断线的剖视图。
[0021]图5是沿着图3所示的V
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V切断线的剖视图。
[0022]图6A是沿着图3所示的VIA
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VIA切断线的剖视图。
[0023]图6B是沿着图3所示的VIB
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VIB切断线的剖视图。
[0024]图7是表示所述半导体装置的内部结构的图，主要用来说明第1配线层的布局。
[0025]图8是与图3对应的图，主要用来说明所述第1配线层本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包含：第1绝缘层；条纹配线，包含多个第1配线及多个第2配线，所述多个第1配线及多个第2配线在所述第1绝缘层之上分别沿第1方向延伸，并在与所述第1方向交叉的第2方向上隔开间隔地排列，所述条纹配线具有所述第1方向的一侧的第1端部及所述第1方向的另一侧的第2端部；第2绝缘层，在所述第1绝缘层之上覆盖所述条纹配线；第1焊垫电极，在所述第2绝缘层之上配置在所述条纹配线的所述第1端部侧，且电连接于多个所述第1配线；多个第1引出电极，在所述第2绝缘层之上从所述第1焊垫电极向所述条纹配线的所述第2端部侧呈梳齿状引出，并且相对于所述第1焊垫电极而在所述条纹配线的所述第2端部侧电连接于多个所述第1配线；第2焊垫电极，在所述第2绝缘层之上配置在所述条纹配线的所述第2端部侧，且电连接于多个所述第2配线；以及多个第2引出电极，在所述第2绝缘层之上以与多个所述第1引出电极啮合的方式，从所述第2焊垫电极向所述条纹配线的所述第1端部侧呈梳齿状引出，并且相对于所述第2焊垫电极而在所述条纹配线的所述第1端部侧电连接于多个所述第2配线。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第1引出电极与多个所述第2配线电绝缘，所述第2引出电极与多个所述第1配线电绝缘。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中所述条纹配线包含多对所述第1配线及所述第2配线，所述第1引出电极及第2引出电极的至少一个在俯视下与至少一对所述第1配线及所述第2配线重叠。4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其中所述第1引出电极包含向所述第2方向弯曲的第1弯曲部，所述第2引出电极包含沿着所述第1弯曲部的弯曲方向延伸的第2弯曲部。5.根据权利要求4所述的半导体装置，还包含：第1接点，形成在所述第2绝缘层内，将所述第1配线与所述第1焊垫电极电连接；以及第2接点，形成在所述第2绝缘层内，将所述第2配线与所述第2焊垫电极电连接，所述第1弯曲部电连接于所述第1接点，与所述第2配线介隔所述第2绝缘层而电绝缘，所述第2弯曲部电连接于所述第2接点，与所述第2配线介隔所述第2绝缘层而电绝缘。6.根据权利要求4或5所述的半导体装置，其中所述第1弯曲部在俯视下横穿多个所述第1配线及多个所述第2配线，所述第2弯曲部在俯视下横穿多个所述第1配线及多个所述第2配线。7.根据权利要求4至6中任一项所述的半导体装置，其中所述第1引出电极包含多个所述第1弯曲部，所述第2引出电极包含多个所述第2弯曲部。8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中所述第1引出电极在所述第1方向呈锯齿状延伸，
所述第2引出电极以与所述第1引出电极匹配的方式在所述第1方向呈锯齿状延伸。9.根据权利要求4至8中任一项所述的半导体装置，其中所述第1引出电极还包含从所述第1焊垫电极向所述第1方向延伸的第1延伸部，所述第1弯曲部包含从所述第1延伸部向所述第2方向的一侧弯曲的第3弯曲部，所述第2引出电极还包含向所述第2方向的所述一侧凹陷且与所述第3弯曲部啮合的凹陷部。10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中所述第3弯曲部包含第2延伸部，所述第2延伸部在比所述第1延伸部更靠所述第2端部侧，从相对于所述第1延伸部向所述第2方向的所述一侧偏移的位置沿所述第1方向延伸。11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中所述第2延伸部在所述第1方向上与所述第2引出电极对向。12.根据权利要求11所述的半导体装置，其中所述第2延伸部在第1方向上不与在所述一侧相邻的第1引出电极的所述第1延伸部对向。13.根据权利要求9至12中任一项所述的半导体装置，其中所述第1弯曲部还包含向所述第2方向的另一侧弯曲的第4弯曲部。14.根据权利要求13所述的半导体装置，其中所述第4弯曲部包含第3延伸部，所述第3延伸...
【专利技术属性】
技术研发人员：川，
申请(专利权)人：罗姆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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