具有至少一个存储节点的半导体器件及其制造方法技术

一种半导体器件及制造该半导体器件的方法，适于防止在存储节点之间产生电桥，而不增加平面面积。在一个实施例中，半导体器件包括半导体衬底和形成在半导体衬底上的至少一个存储节点。该存储节点具有底部和从底部边缘向上延伸的侧壁。至少部分侧壁凹陷。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件及其制造方法，更具体涉及。
技术介绍
一般，具有存储功能的半导体器件一般具有至少一个电容器，以便存储由用户输入的数据。电容器包括下电极(下面，称为“存储节点”)，以及在上电极和两个电极之间插入的介质层。根据存储节点的结构，电容器可以分为平面型、沟槽型、层叠型以及由层叠型变形的柱体型。动态RAM采用了上面列出的存储节点结构，以及随设计规则的减小同时增加其集成度。而且，现在大规模生产具有至少一个柱体型存储节点的半导体器件，以便应付消费者的低成本需要。为了这样做，随着设计规则减小，应该在单个半导体衬底上形成大量半导体器件以及在存储节点之间没有电桥。但是，由于存储节点形成在半导体衬底上，以致与设计规则减小之前相比节点之间的间隔变得更窄，由于半导体制造工艺的影响，可能更容易发生存储节点之间不希望的电桥。而且，随着设计规则减小，存储节点的接触面积和半导体衬底变得越小，半导体衬底上存储节点倒塌的可能性越高，即倾斜现象。存储节点中采用的设计规则决定半导体衬底上的一个选定存储节点的尺寸和选定的存储节点和相邻存储节点之间的间隔。因此，在半导体制造工艺中需要一种解决办法，以防止本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件包括：半导体衬底；以及存储节点，形成在半导体衬底上以及具有底部和从底部边缘向上延伸的侧壁，至少部分侧壁凹陷。

【技术特征摘要】
KR 2003-11-17 2003-812531.一种半导体器件包括半导体衬底；以及存储节点，形成在半导体衬底上以及具有底部和从底部边缘向上延伸的侧壁，至少部分侧壁凹陷。2.根据权利要求1的半导体器件，其中侧壁包括两对侧壁，每对侧壁中的侧壁互相面对以及四个侧壁的至少一个在高度上低于剩余的侧壁。3.根据权利要求1的半导体器件，其中存储节点的侧壁具有倾斜的外形，以便存储节点的上部宽度大于存储节点的下部宽度。4.根据权利要求1的半导体器件，在存储节点的底部和半导体衬底之间还包括，覆盖半导体衬底的位线层间绝缘层；位于位线层间绝缘层上的两个相邻的位线图形，每个位线图形具有位线和在其上层叠的位线帽盖层图形；以及位于位线图形之间的位线层间绝缘层中并电连接到底部和半导体衬底的掩埋接触孔焊盘。5.根据权利要求4的半导体器件，在位线层间绝缘层和底部之间还包括，位于位线层间绝缘层上、覆盖位线图形并围绕掩埋接触孔焊盘的掩埋层间绝缘层；以及位于掩埋层间绝缘层上并围绕底部的刻蚀停止层。6.根据权利要求4的半导体器件，其中存储节点包括具有与掩埋接触孔焊盘基本上相同刻蚀率的导电层。7.根据权利要求5的半导体器件，其中刻蚀停止层包括具有不同于掩埋层间绝缘层的刻蚀率的绝缘层。8.根据权利要求5的半导体器件，其中掩埋层间绝缘层包括具有与位线层间绝缘层基本上相同刻蚀率的绝缘层。9.根据权利要求4的半导体器件，在位线图形之间还包括，分别接触掩埋接触孔焊盘并覆盖位线图形的侧壁的位线隔片。10.一种半导体器件，包括半导体衬底；以及沿半导体衬底上的列和行的二维阵列中的多个柱体型存储节点，每个存储节点具有平行于行且互相面对的第一侧壁和第二侧壁，以及平行于列且互相面对的第三侧壁和第四侧壁，存储节点的第一和第二侧壁的至少一个在高度上低于第三和第四侧壁。11.根据权利要求10的半导体器件，其中每个存储节点具有倾斜的外形，以便第一至第四侧壁的上部宽度大于其下部宽度。12.一种半导体器件，包括半导体衬底；以及位于半导体衬底上的多个存储节点，多个存储节点具有底部和分别从底部边缘向上延伸的柱体型侧壁，每个存储节点沿侧壁边缘基本上具有相同的高度，以及两个相邻的存储节点具有彼此不同高度的侧壁。13.根据权利要求12的半导体器件，在存储节点的底部和半导体衬底之间还包括，覆盖半导体衬底的位线层间绝缘层；位于位线层间绝缘层上的位线图形，每个位线图形具有位线和在其上层叠的位线帽盖层图形；以及位于位线图形之间的位线层间绝缘层中、并电连接到底部和半导体衬底的掩埋接触孔焊盘。14.根据权利要求13的半导体器件，在位线层间绝缘层和底部之间还包括，位于位线层间绝缘层上、覆盖位线图形并围绕掩埋接触孔焊盘的掩埋层间绝缘层；以及位于掩埋层间绝缘层上并围绕底部的刻蚀停止层。15.根据权利要求13的半导体器件，其中存储节点包括具有与掩埋接触孔焊盘基本上相同刻蚀率的导电层。16.根据权利要求14的半导体器件，其中刻蚀停止层包括相对于掩埋层间绝缘层具有刻蚀选择率的绝缘层。17.根据权利要求14的半导体器件，其中掩埋层间绝缘层包括具有与位线层间绝缘层基本上相同刻蚀率的绝缘层。18.根据权利要求13的半导体器件，在位线图形之间还包括，分别接触掩埋接触孔焊盘并覆盖位线图形的侧壁的位线隔片。19.一种半导体器件包括半导体衬底；以及沿半导体衬底上的列和行的二维阵列中的多个柱体型存储节点，存储节点具有沿偶数行的第一组存储节点和沿奇数行的第二组存储节点，第一组存储节点在高度上低于第二组存储节点。20.根据权利要求19的半导体器件，其中每个存储节点具有倾斜的外形，以便上部宽度大于下部宽度。21.一种半导体器件包括半导体衬底；以及沿半导体衬底上的列和行的二维阵列中的多个柱体型存储节点，存储节点具有第一组存储节点和第二组存储节点，第一组存储节点位于偶数行和偶数列以及奇数行和奇数列的交叉位置上，第二组存储节点位于偶数行和奇数列以及奇数行和偶数列的另一交叉位置上，且邻近于第一组存储节点，第一组存储节点在高度上低于第二组存储节点。22.根据权利要求21的半导体器件，其中每个存储节点具有倾斜的外形，以便上部宽度大于下部宽度。23.一种制造半导体器件的方法，该方法包括在半导体衬底上形成铸模层；形成贯穿铸模层的存储接触孔；形成连续地层叠在存储接触孔中的存储节点和牺牲层图形，在铸模层和牺牲层图形之间露出存储节点的顶表面；在具有牺牲层图形和铸模层的半导体衬底上形成光刻胶层，光刻胶层具有存储开口；以及使用光刻胶层作为蚀刻掩模在存储节点上执行刻蚀工序，以通过存储开口部分地除去存储...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘硕垣，吴京锡，朴柱成，辛中铉，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[]