【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及在形成了许多例如，IC、LSI等半导体芯片的半导体晶片背面，用研磨装置薄薄地而且均匀地整体研磨以后，在其背面上形成氧化薄膜等的。
技术介绍
这种形成了多个IC、LSI等半导体芯片的半导体晶片，是用研磨装置研磨背面减薄形成以后，借助于划片装置等分割装置分成一个个半导体芯片，组装到携动电话、个人计算机等电气机器的电路里才广泛利用的。尽管，随着近年来半导体芯片的薄型化，上下层叠半导体芯片谋求功能、处理能力、存储容量等提高的层叠芯片正在实用化，因此携动电话，笔记型个人计算机等电气机器的薄型化、小型化、轻量化成为可能。在层叠芯片的制造中，在半导体晶片阶段，埋设从形成电路的表面到背面的电极，采用进行背面的机械研磨或化学的蚀刻法使电极露出，同时为防止构成电极的铜等金属向硅等半导体内部扩散，在半导体晶片背面上形成SiO2薄膜等绝缘薄膜。并且，在半导体晶片的表面上形成了功率晶体管等电路后，研磨或蚀刻半导体晶片的背面，而向其背面以数十nm厚度形成Ti、Ag、Au等金属薄膜构成的半导体晶片技术也正在提供实用。这样地研磨、抛光等在表面形成了电路的半导体晶片背面减薄形成...
【技术保护点】
一种半导体晶片的制造方法，用于表面上形成了电路的半导体晶片的背面上形成薄膜，其特征是 至少，包括有平坦的支持面的支持衬底支持半导体晶片的表面，使该支持衬底和该半导体晶片成为整体的一体化工序；用具有保持半导体晶片的吸盘台和研磨 该吸盘台上所保持的半导体晶片背面的研磨手段的研磨装置，把成为整体的支持衬底侧保持在该吸盘台上，用该研磨手段研磨半导体晶片背面使其薄型化的研磨加工工序；和用具有保持半导体晶片的吸盘台和在该吸盘台上所保持的生成薄膜的薄膜生成手段的薄膜生 成装置，把成为整体的支持衬底侧保持在该吸盘台上，用该薄膜生成手段而在半导体晶...
【技术特征摘要】
JP 2003-11-17 2003-3864511.一种半导体晶片的制造方法，用于表面上形成了电路的半导体晶片的背面上形成薄膜，其特征是至少，包括有平坦的支持面的支持衬底支持半导体晶片的表面，使该支持衬底和该半导体晶片成为整体的一体化工序；用具有保持半导体晶片的吸盘台和研磨该吸盘台上所保持的半导体晶片背面的研磨手段的研磨装置，把成为整体的支持衬底侧保持在该吸盘台上，用该研磨手段研磨半导体晶片背面使其薄型化的研磨加工工序；和用具有保持半导体晶片的吸盘台和在该吸盘台上所保持的生成薄膜的薄膜生成手段的薄膜生成装置，把成为整体的支持衬...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。