温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种半导体器件及制造该半导体器件的方法，适于防止在存储节点之间产生电桥，而不增加平面面积。在一个实施例中，半导体器件包括半导体衬底和形成在半导体衬底上的至少一个存储节点。该存储节点具有底部和从底部边缘向上延伸的侧壁。至少部分侧壁凹陷。...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。