具有凸块的基底结构及封装结构制造技术

本发明专利技术揭示了一种具有凸块的基底结构及封装结构，包括：基底以及设置于所述基底上方的凸块；所述凸块包括：叠层形成于基底上方的金属层，所述金属层远离基底的表面开设有开口；自开口位置向上设置的导电柱，包覆所述导电柱侧壁且延伸至所述金属层上的介电材料层；其中，所述金属层抵接所述介电材料层的面的外轮廓尺寸不小于所述导电柱贴合所述金属层的面的外轮廓尺寸，且所述金属层抵接所述介电材料层的面的外轮廓的尺寸小于所述介电材料层包覆所述导电柱侧壁最下端的外轮廓的尺寸。本发明专利技术使得具有凸块的基底结构及封装结构的良率及稳定度均得到大幅提升。率及稳定度均得到大幅提升。率及稳定度均得到大幅提升。

【技术实现步骤摘要】
具有凸块的基底结构及封装结构


[0001]本专利技术属于半导体制造领域，尤其涉及一种具有凸块的基底结构及封装结构。

技术介绍

[0002]倒装芯片封装技术是使用凸块将芯片与基板进行电性接触；在结构上，凸块含有凸块本身，以及位于凸块下的金属层(UBM)；凸块本身的最下端是铜柱结构，顶端是焊锡层，通过使用铜柱可以控制焊锡层散布，但是铜柱结构的侧面有时还是会出现爬锡的现象，为减少此爬锡情况，现有技术中，通常是在铜柱结构上方制作较厚的Ni层或在Ni层上面再增加铜层。
[0003]另外，在凸块下的金属层上进行湿蚀刻工艺期间，会产生等向性的蚀刻轮廓，此蚀刻在所有方向具有相同的蚀刻速率，导致蚀刻的凸块下的金属层材料产生侧蚀现象，此行为造成凸块宽度损失，并且使得凸块下的金属层的尺寸小于铜柱的尺寸，此时会引发应力集中，破坏凸块结构，进而造成凸块脱层。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种解决上述技术问题的具有凸块的基底结构及封装结构。
[0005]为了实现上述专利技术目的之一，本专利技术一实施方式提供一种具有凸块本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有凸块的基底结构，包括：基底以及设置于所述基底上方的凸块；其特征在于：所述凸块包括：叠层形成于基底上方的金属层；设置于所述金属层上方的导电柱；以及包覆所述导电柱侧壁且延伸至所述金属层上的介电材料层；其中，所述金属层抵接所述介电材料层的面的外轮廓尺寸不小于所述导电柱贴合所述金属层的面的外轮廓尺寸，且所述金属层抵接所述介电材料层的面的外轮廓的尺寸小于所述介电材料层包覆所述导电柱侧壁最下端的外轮廓的尺寸。2.根据权利要求1所述的具有凸块的基底结构，其特征在于，所述金属层包括：以基底为基础、依次叠层设置于基底上方粘结层和籽晶层，所述籽晶层远离基底的表面开设有开口；所述导电柱自所述开口位置向上设置。3.根据权利要求2所述的具有凸块的基底结构，其特征在于，所述籽晶层的贴合所述导电柱的面的外轮廓的尺寸设置为与导电柱贴合所述籽晶层的面的外轮廓尺寸相同；所述粘结层贴合所述籽晶层的面的外轮廓尺寸大于所述籽晶层贴合所述粘结层的面的外轮廓尺寸，且所述粘结层贴合所述籽晶层的面的外轮廓尺寸小于所述介电材料层包覆所述导电柱侧壁最下端的外轮廓的尺寸；所述介电材料层延伸至所述粘结层。4.根据权利要求2所述的具有凸块的基底结构，其特征在于，所述籽晶层贴合所述导电柱的面的外轮廓的尺寸设置为大于导电柱贴合所述籽晶层的面的外轮廓尺寸，且所述籽晶层贴合所述导电柱的面的外轮廓尺寸小于所述介电材料层包覆所述导电柱侧壁最下端的外轮廓的尺寸；所述介电材料层延伸至所述籽晶层。5.根据权利要求1所述的具有凸块的基底结构，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：林耀剑，杨丹凤，徐晨，何晨烨，
申请(专利权)人：江苏长电科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：