半导体封装结构及其制造方法技术

本公开提供了半导体封装结构及其制造方法，通过在位于第一芯片和第二芯片之间间隙下方的桥接线路上设置加强结构，其中加强结构包括环绕在桥接线路周围的边缘侧向支撑件以及位于桥接线路上方的顶部支撑件。当加强结构承受应力时,垂直于加强结构之应力分量可被加强结构本身材料强度抵抗而相互抵消。平行于加强结构之应力分量，由于有边缘侧向支撑件固定顶部支撑件,因而可以提供足够的应力抵抗能力，进而可以避免桥接线路承受结构应力带来的冲击，防止桥接线路断裂。防止桥接线路断裂。防止桥接线路断裂。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装结构及其制造方法


[0001]本公开涉及半导体
，具体涉及半导体封装结构及其制造方法。

技术介绍

[0002]现有的封装结构，例如FOCoS(Fan Out Chip on Substrate，扇出型基板上芯片)封装结构，由于各材料的热膨胀系数存在差异，在温度变化时各材料的形变程度不同，使得封装结构发生翘曲并在内部产生应力。由于热循环过程中整体结构无法直接释放应力，因此位于应力集中点的ASIC(Application Specific Integrated Circuit，专用集成电路)芯片与HBM(High BandwidthMemory，高带宽存储器)芯片之间的底部填充材因抗拉能力不足而产生裂纹(crack)，进而裂纹可能向下延伸破坏重布线层。

技术实现思路

[0003]本公开提供了半导体封装结构及其制造方法。
[0004]第一方面，本公开提供了一种半导体封装结构，包括：
[0005]第一芯片；
[0006]第二芯片，与所述第一芯片相邻设置；
[0007]重布线层，包括桥接线路和位于所述桥接线路上方的加强结构，所述桥接线路位于所述第一芯片和所述第二芯片之间间隙的下方，所述加强结构具有延伸至所述重布线层的边缘侧向支撑件。
[0008]在一些可选的实施方式中，所述半导体封装结构还包括位于所述加强结构上方的焊接层，所述焊接层分别电连接所述第一芯片和所述第二芯片。
[0009]在一些可选的实施方式中，所述边缘侧向支撑件包括至少两个导通孔。r/>[0010]在一些可选的实施方式中，所述边缘侧向支撑件包括两个导通孔，且两个所述导通孔分别位于所述桥接线路相对的两侧；以及
[0011]所述加强结构还包括位于两个所述导通孔之间的顶部支撑件，所述顶部支撑件的中心线与所述桥接线路的中心线异面并且非异面垂直。
[0012]在一些可选的实施方式中，所述桥接线路具有相对的第一侧和第二侧；以及
[0013]所述边缘侧向支撑件包括四个导通孔，且四个所述导通孔中的两个位于所述第一侧，四个所述导通孔中的其他两个位于所述第二侧。
[0014]在一些可选的实施方式中，所述加强结构还包括位于四个所述导通孔之间的顶部支撑件，所述顶部支撑件呈现为交叉形态和/或呈现环绕状。
[0015]在一些可选的实施方式中，所述加强结构还包括覆盖四个所述导通孔之间的顶部支撑件，所述顶部支撑件呈现为矩形状。
[0016]在一些可选的实施方式中，所述桥接线路具有相对的第一侧和第二侧、与所述第一侧相邻的第三侧、与所述第三侧相对的第四侧；以及
[0017]所述边缘侧向支撑件包括六个导通孔，且六个所述导通孔中的两个位于所述第一
侧，其余四个所述导通孔中的两个位于所述第二侧，其余两个所述导通孔分别位于所述第三侧和所述第四侧；以及
[0018]所述加强结构还包括位于所述第一侧的导通孔和所述第二侧的导通孔之间的第一顶部支撑件以及位于所述第三侧的导通孔和位于第四侧的导通孔之间的第二顶部支撑件，所述第一顶部支撑件呈现为交叉形态和/或呈现环绕状。
[0019]在一些可选的实施方式中，所述半导体封装结构还包括：
[0020]基板，所述重布线层设于所述基板上并电连接所述基板。
[0021]在一些可选的实施方式中，所述半导体封装结构还包括：
[0022]模封层，包覆所述第一芯片与所述第二芯片。
[0023]第二方面，本公开提供了一种半导体封装结构的制造方法，包括：
[0024]提供基板；
[0025]在所述基板上形成底部重布线层，所述底部重布线层包括位于预设第一芯片区域和预设第二芯片区域之间间隙的桥接线路；
[0026]在所述底部重布线层上形成顶部重布线层和位于所述桥接线路的上方的加强结构，所述加强结构具有延伸至所述重布线层的边缘侧向支撑件和位于所述边缘侧向支撑件之间的顶部支撑件。
[0027]在一些可选的实施方式中，所述方法还包括：
[0028]形成与所述顶部重布线层和所述加强结构电连接的焊接层。
[0029]在一些可选的实施方式中，所述方法还包括：
[0030]在所述焊接层上形成与所述焊接层电连接的第一芯片和第二芯片。
[0031]在一些可选的实施方式中，所述方法还包括：
[0032]形成包覆所述第一芯片与所述第二芯片的模封层。
[0033]本公开提供了半导体封装结构及其制造方法，通过在位于第一芯片和第二芯片之间间隙下方的桥接线路上设置加强结构，其中加强结构包括环绕在桥接线路周围的边缘侧向支撑件以及位于桥接线路上方的顶部支撑件。当加强结构承受应力时,垂直于加强件之应力分量可被加强结构本身材料强度抵抗而相互抵消。平行于加强结构之应力分量，由于有边缘侧向支撑件固定顶部支撑件,因而可以提供足够的应力抵抗能力，进而可以避免桥接线路承受结构应力带来的冲击，防止桥接线路断裂。
附图说明
[0034]通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本公开的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
[0035]图1是根据本公开的半导体封装结构的第一结构示意图；
[0036]图2是根据本公开的加强结构的立体结构图；
[0037]图3
‑
图9是根据本公开的加强结构的第一结构示意图至第七结构示意图；
[0038]图10是根据本公开的半导体封装结构的第二结构示意图；
[0039]图11
‑
图16是根据本公开的半导体封装结构的制造过程中的结构示意图。
[0040]符号说明：
[0041]1‑
第一芯片，2
‑
第二芯片，3
‑
重布线层，31
‑
桥接线路，32
‑
加强结构，321
‑
边缘侧向
支撑件，322
‑
顶部支撑件，33
‑
焊接层，34
‑
底部重布线层，35
‑
顶部重布线层，4
‑
基板，5
‑
模封层，6
‑
底部填充材，7
‑
预设第一芯片区域，8
‑
预设第二芯片区域，9
‑
光阻层。
具体实施方式
[0042]下面结合附图和实施例对说明本专利技术的具体实施方式，通过本说明书记载的内容本领域技术人员可以轻易了解本专利技术所解决的技术问题以及所产生的技术效果。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关专利技术，而非对该专利技术的限定。另外，为了便于描述，附图中仅示出了与有关专利技术相关的部分。
[0043]需要说明的是，说明书附图中所绘示的结构、比例、大小等，仅用于配合说明书所记载的内容，以供本领域技术人员的了解与阅读，并非用以限定本专利技术可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装结构，包括：第一芯片；第二芯片，与所述第一芯片相邻设置；重布线层，包括桥接线路和位于所述桥接线路上方的加强结构，所述桥接线路位于所述第一芯片和所述第二芯片之间间隙的下方，所述加强结构具有延伸至所述重布线层的边缘侧向支撑件。2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中，所述半导体封装结构还包括位于所述加强结构上方的焊接层，所述焊接层分别电连接所述第一芯片和所述第二芯片。3.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中，所述边缘侧向支撑件包括至少两个导通孔。4.根据权利要求3所述的半导体封装结构，其中，所述边缘侧向支撑件包括两个导通孔，且两个所述导通孔分别位于所述桥接线路相对的两侧；以及所述加强结构还包括位于两个所述导通孔之间的顶部支撑件，所述顶部支撑件的中心线与所述桥接线路的中心线异面并且非异面垂直。5.根据权利要求3所述的半导体封装结构，其中，所述桥接线路具有相对的第一侧和第二侧；以及所述边缘侧向支撑件包括四个导通孔，且四个所述导通孔中的两个位于所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：呂文隆，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：