半导体封装装置及其制造方法制造方法及图纸

本公开涉及半导体封装装置及其制造方法。该半导体封装装置包括：重布线层，表面具有第一凹部；第一芯片和第二芯片，设置在重布线层上，其中，第一凹部位于第一芯片和第二芯片之间间隔的下方。该半导体封装装置及其制造方法能够在第一芯片和第二芯片之间提供更大的空间用于释放膨胀应力或者加强结构强度，从而减小或消除热应力对结构的负面影响，避免半导体封装装置内部出现断裂，有利于提高产品良率。有利于提高产品良率。有利于提高产品良率。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装装置及其制造方法


[0001]本公开涉及半导体封装
，具体涉及半导体封装装置及其制造方法。

技术介绍

[0002]FOCoS(Fan Out Chip on Substrate，扇出型基板上芯片)封装技术通过在典型球栅阵列基板上使用扇出复合芯片来实现。它可提供的解决方案成本较低，实践中比硅中介层结构具有更好的电气和热性能。
[0003]在FOCoS封装装置中，各材料之间存在热膨胀系数(coefficient of thermal expansion，CTE)不一致(mismatch)的情况。在热循环制程中，各材料会因热膨胀系数不一致而产生不同的膨胀量，进而在结构内部产生应力。上述应力容易使FOCoS封装装置的内部结构出现断裂(crack)。
[0004]因此，有必要提出一种新的技术方案以解决上述至少一个技术问题。

技术实现思路

[0005]本公开提供了一种半导体封装装置及其制造方法。
[0006]第一方面，本公开提供了一种半导体封装装置，包括：
[0007]重布线层，表面具有第一凹部；
[0008]第一芯片和第二芯片，设置在所述重布线层上，其中，所述第一凹部位于所述第一芯片和所述第二芯片之间间隔的下方。
[0009]在一些可选的实施方式中，所述第一凹部内设置有底部填充材。
[0010]在一些可选的实施方式中，所述第一凹部内设置有加强件。
[0011]在一些可选的实施方式中，所述加强件的材料为硅。
[0012]在一些可选的实施方式中，所述第一凹部内设置有疏水性材料层。
[0013]在一些可选的实施方式中，所述疏水性材料层的宽度大于所述第一芯片和所述第二芯片之间间隔的宽度。
[0014]在一些可选的实施方式中，所述疏水性材料层上设置有模塑材。
[0015]在一些可选的实施方式中，所述模塑材填充第一芯片和所述第二芯片之间的间隔。
[0016]在一些可选的实施方式中，所述第一凹部位于所述重布线层的介电层上。
[0017]在一些可选的实施方式中，所述第一芯片和所述第二下方设置有第二凹部。
[0018]第二方面，本公开提供了一种半导体封装装置的制造方法，包括：
[0019]在载体上形成重布线层；
[0020]在所述重布线层的表面形成第一凹部；
[0021]分别将第一芯片和第二芯片设置在所述第一凹部的两侧；
[0022]分别在所述第一芯片和所述重布线层之间以及所述第二芯片和所述重布线层之间设置底部填充材，以得到半导体封装装置。
[0023]在一些可选的实施方式中，在所述重布线层的表面形成第一凹部之后，所述方法还包括：
[0024]在所述第一凹部内设置加强件。
[0025]在一些可选的实施方式中，在所述重布线层的表面形成第一凹部之后，所述方法还包括：
[0026]在所述第一凹部内设置疏水性材料层；以及
[0027]在所述分别在所述第一芯片和所述重布线层之间以及所述第二芯片和所述重布线层之间设置底部填充材之后，所述方法还包括：
[0028]在所述重布线层上方进行模塑，以便在所述疏水性材料层上以及所述第一芯片和所述第二芯片之间形成模塑材。
[0029]在本公开提供的半导体封装装置及其制造方法中，通过在重布线层的表面设置第一凹部，能够在第一芯片和第二芯片之间提供更大的空间用于释放膨胀应力或者加强结构强度，从而减小或消除热应力对结构的负面影响，避免半导体封装装置内部出现断裂，有利于提高产品良率。
附图说明
[0030]通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本公开的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
[0031]图1是现有技术中半导体封装装置的示意图；
[0032]图2
‑
图5是根据本公开实施例的半导体封装装置的第一示意图至第四示意图；
[0033]图6
‑
图10是根据本公开实施例的半导体封装装置的制造方法的示意图。
[0034]符号说明：
[0035]11、扇出层；12、左侧芯片；13、右侧芯片；14、填充材料；15、裂痕；100、基板；200、重布线层；210、介电层；220、第一凹部；230、第二凹部；240、导电凸块；300、底部填充材；310、第一芯片；320、第二芯片；400、模塑材；500、加强件；600、疏水性材料层；910、载体；920、光刻胶；930、沉积层。
具体实施方式
[0036]下面结合附图和实施例对说明本公开的具体实施方式，通过本说明书记载的内容本领域技术人员可以轻易了解本公开所解决的技术问题以及所产生的技术效果。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关专利技术，而非对该专利技术的限定。另外，为了便于描述，附图中仅示出了与有关专利技术相关的部分。
[0037]需要说明的是，说明书附图中所绘示的结构、比例、大小等，仅用于配合说明书所记载的内容，以供本领域技术人员的了解与阅读，并非用以限定本公开可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本公开所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本公开所揭示的
技术实现思路
得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“第一”、“第二”及“一”等用语，也仅为便于叙述的明了，而非用以限定本公开可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更
技术实现思路
下，当也视为本公开可实施的范畴。
[0038]还需要说明的是，本公开的实施例对应的纵向截面可以为对应前视图方向截面，横向截面可以为对应右视图方向截面，而水平截面可以为对应上视图方向截面。
[0039]应容易理解，本公开中的“在...上”、“在...之上”和“在...上面”的含义应该以最广义的方式解释，使得“在...上”不仅意味着“直接在某物上”，而且还意味着包括存在两者之间的中间部件或层的“在某物上”。
[0040]此外，为了便于描述，本公开中可能使用诸如“在...下面”、“在...之下”、“下部”、“在...之上”、“上部”等空间相对术语来描述一个元件或部件与附图中所示的另一元件或部件的关系。除了在图中描述的方位之外，空间相对术语还意图涵盖装置在使用或操作中的不同方位。设备可以以其他方式定向(旋转90
°
或以其他定向)，并且在本公开中使用的空间相对描述语可以被同样地相应地解释。
[0041]另外，在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本公开。
[0042]图1是现有技术中半导体封装装置的示意图。如图1所示，该半导体封装装置包括扇出层11、左侧芯片12和右侧芯片13。左侧芯片12和右侧芯片13设置在扇出层11上。左侧芯片12与扇出层11之间、右侧芯片13与扇出层11之间以及左侧芯片12和右侧芯片13之间均设置有填充材料14。由本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装装置，包括：重布线层，表面具有第一凹部；第一芯片和第二芯片，设置在所述重布线层上，其中，所述第一凹部位于所述第一芯片和所述第二芯片之间间隔的下方。2.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中，所述第一凹部内设置有底部填充材。3.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中，所述第一凹部内设置有加强件。4.根据权利要求3所述的半导体封装装置，其中，所述加强件的材料为硅。5.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中，所述第一凹部内设置有疏水性材料层。6.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：庄劭萱，张皇贤，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：