半导体封装装置及其制造方法制造方法及图纸

本公开涉及半导体封装装置及其制造方法。该半导体封装装置包括：重布线层，表面设置有凸块下金属；阻挡结构，设置于重布线层上并对应凸块下金属上表面设置有开口，阻挡结构对应开口边缘处高于凸块下金属；第一芯片和第二芯片，设置于重布线层上，通过焊锡与重布线层的凸块下金属电连接，焊锡至少部分设置于开口内。该半导体封装装置及其制造方法能够通过阻挡结构的开口对焊锡定位，以提高第一芯片和第二芯片与重布线层的电连接性能。二芯片与重布线层的电连接性能。二芯片与重布线层的电连接性能。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装装置及其制造方法


[0001]本公开涉及半导体封装
，具体涉及半导体封装装置及其制造方法。

技术介绍

[0002]目前FOCoS(Fan Out Chip on Substrate，扇出型基板上芯片)平台发展至今，因属于异质整合的平台，常会在FOCoS平台上整合各种不同功能的芯片，而连接的方式大多为使用锡银球来进行对接，但近年来因发展趋势、客户设计需求，都需要让连接部位的尺寸越小越好，但整体尺寸缩小可能会对芯片键合制程带来对位、锡银球滑动等挑战，目前锡银球来做对接但因会有遭遇锡银球滑动导致芯片键合的对位不准确等问题，会影响整体传输效能。

技术实现思路

[0003]本公开提供了一种半导体封装装置及其制造方法。
[0004]第一方面，本公开提供了一种半导体封装装置，包括：
[0005]重布线层，表面设置有凸块下金属；
[0006]阻挡结构，设置于所述重布线层上并对应所述凸块下金属上表面设置有开口，所述阻挡结构对应所述开口边缘处高于所述凸块下金属；
[0007]第一芯片和第二芯片，设置于所述重布线层上，通过焊锡与所述重布线层的凸块下金属电连接，焊锡至少部分设置于所述开口内。
[0008]在一些可选的实施方式中，所述阻挡结构对应所述开口边缘处的内壁向所述凸块下金属方向渐缩。
[0009]在一些可选的实施方式中，所述开口小于所述凸块下金属上表面。
[0010]在一些可选的实施方式中，所述阻挡结构至少部分围设于所述凸块下金属上表面的边缘。r/>[0011]在一些可选的实施方式中，所述重布线层表面对应所述第一芯片和所述第二芯片之间间隔的下方设置有第一凹部。
[0012]在一些可选的实施方式中，所述重布线层表面对应所述第一芯片和所述第二芯片下方设置有第二凹部。
[0013]在一些可选的实施方式中，所述重布线层上设置有底部填充材，所述底部填充材至少部分填设于所述第一凹部和所述第二凹部。
[0014]在一些可选的实施方式中，所述第一芯片和所述第二芯片与所述重布线层之间设置有底部填充材。
[0015]在一些可选的实施方式中，所述装置还包括：
[0016]封装材，设置于所述重布线层上，包覆所述第一芯片和所述第二芯片。
[0017]第二方面，本公开提供了一种半导体封装装置的制造方法，包括：
[0018]提供重布线层，所述重布线层表面设置有凸块下金属；
[0019]在所述重布线层上设置介电层；
[0020]在所述介电层对应所述凸块下金属上表面设置开口，以形成阻挡结构，所述阻挡结构对应所述开口边缘处高于所述凸块下金属；
[0021]将第一芯片和第二芯片设置于所述重布线层上，通过焊锡与所述重布线层的凸块下金属电连接，焊锡至少部分设置于所述开口内。
[0022]在一些可选的实施方式中，所述开口小于所述凸块下金属上表面。
[0023]在一些可选的实施方式中，所述在所述介电层对应所述凸块下金属上表面设置开口，包括：
[0024]刻蚀以形成所述开口，以使所述凸块下金属上表面经所述开口露出。
[0025]在本公开提供的半导体封装装置及其制造方法中，通过设计半导体封装装置包括：重布线层，表面设置有凸块下金属；阻挡结构，设置于重布线层上并对应凸块下金属上表面设置有开口，阻挡结构对应开口边缘处高于凸块下金属；第一芯片和第二芯片，设置于重布线层上，通过焊锡与重布线层的凸块下金属电连接，焊锡至少部分设置于开口内；通过阻挡结构的开口对焊锡定位，以提高第一芯片和第二芯片与重布线层的电连接性能。
附图说明
[0026]通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本公开的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
[0027]图1A是根据本公开的半导体封装装置的一个实施例的纵向截面结构示意图；
[0028]图1B是根据图1A矩形虚线部分的局部结构示意图；
[0029]图1C是根据图1A圆形虚线部分在一些实施例的局部结构示意图；
[0030]图2A至2D是根据本公开的一个实施例在各个阶段制造的半导体封装装置的纵向截面结构示意图；
[0031]图3A至3C是图2C中虚线部分在各个阶段制造的局部结构示意图；
[0032]图4A至4C是图2D中虚线部分在各个阶段制造的局部结构示意图。
[0033]符号说明：
[0034]11
‑
重布线层；111
‑
凸块下金属；112
‑
第一凹部；113
‑
第二凹部；13
‑
阻挡结构；131
‑
开口；14
‑
第一芯片；15
‑
第二芯片；16
‑
焊锡；17
‑
底部填充材；18
‑
封装材；20
‑
载板；21
‑
光刻胶；22
‑
介电层；23
‑
锡银氧化物。
具体实施方式
[0035]下面结合附图和实施例对说明本公开的具体实施方式，通过本说明书记载的内容本领域技术人员可以轻易了解本公开所解决的技术问题以及所产生的技术效果。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关专利技术，而非对该专利技术的限定。另外，为了便于描述，附图中仅示出了与有关专利技术相关的部分。
[0036]需要说明的是，说明书附图中所绘示的结构、比例、大小等，仅用于配合说明书所记载的内容，以供本领域技术人员的了解与阅读，并非用以限定本公开可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本公开所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本公开所揭示的
技术实现思路
得能涵盖的
范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“第一”、“第二”及“一”等用语，也仅为便于叙述的明了，而非用以限定本公开可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更
技术实现思路
下，应当也视为本公开可实施的范畴。
[0037]还需要说明的是，本公开的实施例对应的纵向截面可以为对应前视图方向截面，横向截面可以为对应右视图方向截面，而水平截面可以为对应上视图方向截面。
[0038]应容易理解，本公开中的“在...上”、“在...之上”和“在...上面”的含义应该以最广义的方式解释，使得“在...上”不仅意味着“直接在某物上”，而且还意味着包括存在两者之间的中间部件或层的“在某物上”。
[0039]此外，为了便于描述，本公开中可能使用诸如“在...下面”、“在...之下”、“下部”、“在...之上”、“上部”等空间相对术语来描述一个元件或部件与附图中所示的另一元件或部件的关系。除了在图中描述的方位之外，空间相对术语还意图涵盖装置在使用或操作中的不同方位。设备可以以其他方式定向(旋转90
°
或以其他定向)，并且本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装装置，包括：重布线层，表面设置有凸块下金属；阻挡结构，设置于所述重布线层上并对应所述凸块下金属上表面设置有开口，所述阻挡结构对应所述开口边缘处高于所述凸块下金属；第一芯片和第二芯片，设置于所述重布线层上，通过焊锡与所述重布线层的凸块下金属电连接，焊锡至少部分设置于所述开口内。2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述阻挡结构对应所述开口边缘处的内壁向所述凸块下金属方向渐缩。3.根据权利要求1所述的装置，其中，所述开口小于所述凸块下金属上表面。4.根据权利要求1所述的装置，其中，所述阻挡结构至少部分围设于所述凸块下金属上表面的边缘。5.根据权利要求1所述的装置，其中，所述重布线层表面对应所述第一芯片和所述第二芯片之间间隔的下方设置有第一凹部。6.根据权利要求5所述的装置，其中，所述重布线层表面...

【专利技术属性】
技术研发人员：庄劭萱，张皇贤，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：