一种铁电薄膜红外探测器硅微桥腐蚀装置制造方法及图纸

一种铁电薄膜红外探测器硅微桥腐蚀装置，属于单晶硅基片制备的有关设备，目的在于有效地防止腐蚀液渗漏，使得薄膜沉积工艺先于微桥制备工艺成为可能，提高器件的质量及成品率。本发明专利技术加热器上安置水浴缸，水浴缸中置有烧杯，冷凝器通过密封盖设置于烧杯上，水浴缸中同时置有温度计，温度计、温控仪和加热器串联构成温度控制回路；其特征在于烧杯中设有不锈钢圆筒，该不锈钢圆筒由不同直径的两个不锈钢圆筒构成一体、直径较大的不锈钢圆筒内壁旋有固紧螺栓；该固紧螺栓为中心透空的螺栓。应用该装置，能有效地保护硅基片正面图形，使薄膜沉积工艺先于微桥制备工艺进行，提高器件的质量及成品率。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于单晶硅基片制备的有关设备，具体涉及铁电薄膜热释电红外探测器及非致冷红外探测器焦平面阵列背面与像元相对应区域微桥的制备装置。
技术介绍
热释电红外探测器是一种利用材料的热释电效应探测红外辐射能量的器件，它能够将外界入射的红外辐射能量吸收并转变为易于测量的电信号，具有响应速度快、光谱响应宽以及室温下工作无须制冷、易于热成像及性能价格比高等优点，目前已被广泛应用于军事、航空航天等尖端
以及工业生产和民用部门。热释电红外探测器的主要性能参数与探测系统的结构密切相关。作为热释电红外探测器灵敏元的主要组成部分，硅基片与探测器响应率的关系主要表现在它对探测器内部热传导的影响上。入射红外辐射被探测器灵敏元吸收后，进一步转化为热能。由于薄膜探测器灵敏元较薄，当调制频率在一定频段内时，热波的透射深度大于灵敏元上层薄膜的厚度。此时，热波足以透过上层薄膜进入硅基片，而硅基片由于热导率较大，可以看作一个热汇。有研究表明，在调制频率f＝1～100Hz频段，当硅基片厚度为300μm时，探测器电流响应比硅基片厚度为0μm和10μm时的电流响应分别低大约两个数量级和一个数量级。也就是说，在这个本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种铁电薄膜红外探测器硅微桥腐蚀装置，加热器上安置水浴缸，水浴缸中置有烧杯，冷凝器通过密封盖设置于烧杯上，水浴缸中同时置有温度计，温度计、温控仪和加热器串联构成温度控制回路；其特征在于烧杯中设有不锈钢圆筒，该不锈钢圆筒由不同直径的两个不锈钢圆筒构成一体、直径较大的不锈钢圆筒内壁旋有固紧螺栓；该固紧螺栓为中心透空的螺栓。

【技术特征摘要】
1.一种铁电薄膜红外探测器硅微桥腐蚀装置，加热器上安置水浴缸，水浴缸中置有烧杯，冷凝器通过密封盖设置于烧杯上，水浴缸中同时置有温度计，温度计、温控仪和加热器串联构...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈实，曾亦可，姜胜林，刘梅冬，刘少波，
申请(专利权)人：华中科技大学，
类型：发明
国别省市：83[中国|武汉]