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集成式热释电薄膜红外探测器制造技术

技术编号:2531878 阅读:248 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
集成式热释电薄膜红外探测器,属于一种热敏红外探测器,主要由包含热释电薄膜6、吸收电极8和传导电极7的红外敏感元1,制有放大电路的硅片衬底2和热绝缘隔离层9构成,热释电薄膜直接沉积附着在硅片衬底上。在硅片衬底2与热绝缘层9之间可有二氧化硅电路保护层5,电路保护层5与热绝缘层9之间还可有一层增强绝热的空气隙10。探测器可作成单元、多元等形式,探测器集成度高,体积小,灵敏度高,可广泛用于红外报警、成像、监控、光谱分析等方面。(*该技术在2003年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本技术属于一种用热释电薄膜材料制作的热敏红外探测器,可以用于红外报警,红外成像,红外监控等方面。目前很多种类的热释电红外探测器所用的热释电材料均为块状体材料,如三甘胺酸硫酸TGS单晶、钽酸锂LiTaOa单晶、钛酸铅PbTiO3陶瓷等。例如1991年7月23日公布的美国专利US5034608号中提出的一种热释电红外传感器是将片状陶瓷材料减薄后再用一种介质与衬底作热耦合以制备红外传感器。《New Electronics》1991年10月号上介绍了一种陶瓷摄象机上采用的热释电传感器,是把片状陶瓷减薄后加工成100×100元的80μm2的小单元列阵,再用热焊剂使陶瓷列阵和衬底上晶体管列阵相连接。由于热释电材料只有在2~5μm厚时制作的红外敏感元才有较高的探测灵敏度。因此已有技术的共同技术难点是需要把体材料从一般机械加工所能达到0.1mm厚的极限再减薄到2~5μm厚,而且还要解决红外敏感元与衬底上放大电路的联接问题(通常是用倒装焊接,热耦合等技术),从而导致热释电红外传感器的制备工艺复杂,体积大,集成度低,成本高。本技术的目的就是为了克服已有技术存在的不足,提出了一种利用现代薄膜制备技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
集成式热释电薄膜红外探测器,由包含热释电材料和吸收电极、传导电极的红外敏感元,制有放大电路的硅片衬底和在其之间的热绝缘隔离层构成,其特征是热释电材料和热绝缘隔离层是薄膜层,沉积附着在硅片衬底上。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员:肖定全朱建国林慎张毓荣钱正洪
申请(专利权)人:四川大学
类型:实用新型
国别省市:51[中国|四川]

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