具有高电阻缓冲层的发光组件制造技术

一种具有高电阻缓冲层的发光组件，其包含形成于第一电极上之基板，形成于基板上之第一束缚层，形成于第一束缚层上之活性层，形成于活性层上之第二束缚层，形成于第二束缚层上之高电阻缓冲层，形成于高电阻缓冲层上之接触层，用以提供一欧姆接触（ｏｈｍｉｃ　　ｃｏｎｔａｃｔ），形成于接触层上之导电透光氧化层，以及一电流阻隔区。其中高电阻缓冲层之电阻大于第二束缚层之电阻，使得流经高电阻缓冲层之电流能维持其水平方向之分散度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种发光组件，特别是涉及一种具有高电阻缓冲层的发光组件。
技术介绍
Fletcher等人于美国专利号5,008,718的专利中提出一种发光二极管结构1，如图1所示。其包含电极底层10、n型GaAs基板12、AlGaInP双异质结构14、p型GaP窗户层16及电极顶层18。上述之AlGaInP双异质结构14包含n型AlGaInP束缚底层140、AlGaInP活性层142及p型AlGaInP束缚顶层144。窗户层16可以选用低电阻之材质，使得电流可以达到均匀分散。前述的现有技术利用掺杂高载流子浓度的材质形成该具有低电阻值的窗户层，使得电流可以均匀分散，然而却使得由活性层产生的部分光线被窗户层吸收，减少发光组件的亮度。在颁予Biing-Jye Lee等人的美国专利第5,789,768号〔其申请人与本案相同〕中，揭露如图2显示的发光二极管构造，其中由n型GaAs构成的半导体基板22形成于n型后电极20上，半导体基板22上形成多层之布拉格反射层23，此多层布拉格反射层23宜由AlGaInP或AlGaAs等系列材料构成。叠层结构24形成于反射层23上，此叠层结构24中包含由AlGaInP构成之n型底部束缚层240、AlGaInP构成之活性层242、及由AlGaInP构成之p型顶部束缚层244。一层p型窗户层26形成于顶部束缚层244上，此窗户层26宜由GaP、GaAsP、GaInP、或AlGaAs等透明材料构成。一层p型接触层27形成于窗户层26上，此接触层27宜由GaP、GaAsP、GaInP、或GaAs等材料构成。一层透明导电层28形成于接触层27上，且延伸至接触层27之中央中空部分，并与窗户层26接触而形成肖特基障碍，此导电层28宜由氧化铟锡、氧化镉锡、氧化锑锡、氧化锌或氧化锌锡等透明材料构成。一p型前电极29形成于导电层28上。此现有技术的发光二极管的特征在于导电层28与接触层27之接触面形成欧姆接触，而导电层28与窗户层26之接触面形成肖特基障碍，因而自前电极29送出之电流，在导电层28中分布开后，通过该欧姆接触，但不通过该肖特基障碍，向下流经接触层27、窗户层26至活性层242中，与来自后电极10之电流遭遇，而产生发光作用。在此现有技术发光二极管中，虽然能够控制自前电极29送出之电流通过该欧姆接触，但不通过该肖特基障碍，因而能够减小在前电极29正下方之电流与发光作用，达到电流阻隔，以避免前电极29遮蔽光线之不良效果。惟在其电流流经窗户层26时，由于窗户层低电阻之特性，因此分散开之电流，在经过低电阻窗户层时又向前电极29正下方之窗户层汇流，使得该现有技术之减小在前电极29正下方之电流与发光作用，避免前电极29遮蔽光线的电流阻隔目的丧失。
技术实现思路
本案专利技术人于思考如何解决前述的问题时，认为若提供一种具有高电阻缓冲层的发光组件，藉由缓冲层高电阻的特性，来减低分散后的电流于缓冲层中水平方向扩散，避免电流向前电极正下方的缓冲层扩散，而达到维持电流阻隔的目的，进而提高发光组件亮度的增进功效。另外，本专利技术的高电阻缓冲层由于载子浓度较低，因此具有优选的透光性，可避免由活性层产生的光在通过缓冲层时被吸收，以提高发光组件的亮度。因而，本专利技术之一目的在于提供一种具有高电阻缓冲层之发光组件，藉由缓冲层高电阻之特性，来减低分散后之电流于缓冲层中水平方向扩散，避免电流向前电极正下方之缓冲层扩散，而达到维持电流阻隔之目的，进而提高发光组件亮度之增进功效。本专利技术之另一目的在于提供一种具有高电阻缓冲层的发光组件，藉由该高电阻缓冲层具有较好的透光性，以提高发光组件亮度的目的。为达此目的，本专利技术提供了一种具有高电阻缓冲层的发光组件，其包括一第一电极；一半导体基层，形成于该第一电极上；一第一束缚层，形成于该半导体基层上；一活性层，形成于该第一束缚层上；一第二束缚层，形成于该活性层上；一高电阻缓冲层，形成于该第二束缚层上，其中缓冲层之电阻大于第二束缚层之电阻；一接触层，形成于该缓冲层上；一透明导电层，形成于该接触层上，此透明导电层与该接触层间形成欧姆接触；以及一第二电极，形成于该导电层上。附图说明图1显示一种现有发光二极管结构；图2显示一种现有发光二极管结构；图3显示本专利技术第一实施例中发光二极管之剖面图；图4显示本专利技术另一实施例中发光二极管之剖面图。附图符号说明1 发光二极管构造10 电极底层12 n型GaAs基板14AlGaInP双异质结构140n型AlGaInP束缚底层142 AlGaInP活性层144p型AlGaInP束缚顶层16 p型GaP窗户层18 电极顶层2 发光二极管构造20 n型后电极22 基板240n型底部束缚层242活性层244p型顶部束缚层26 p型窗户层27 接触层28 透明导电层29 p型前电极3 发光组件30 第一电极 32 半导体基板340第一束缚层342活性层344第二束缚层36 高电阻缓冲层37 接触层38 透明导电层39 第二电极4 发光组件40 第一电极42 半导体基板440第一束缚层442活性层444第二束缚层46 高电阻缓冲层47 接触层48 透明导电层49 第二电极具体实施方式图3显示依本专利技术第一优选实施例之一种具有高电阻缓冲层之发光组件3，其包含一第一电极30；一半导体基板32，形成于该第一电极上；一第一束缚层340，形成于该半导体基板上；一活性层342，形成于该第一束缚层上340；一第二束缚层344，形成于该活性层342上；一高电阻缓冲层36，形成于该第二束缚层344上，其中该缓冲层之电阻大于第二束缚层之电阻；一接触层37，形成于该缓冲层上36；一透明导电层38，形成于该接触层37上，此透明导电层38与该接触层37间形成欧姆接触；以及一第二电极39，形成于该透明导电层38上。图4显示依本专利技术另一优选实施例之一种具有高电阻缓冲层之发光组件4，其包含一第一电极40；一半导体基板42，形成于该第一电极40上；一第一束缚层440，形成于该半导体基板42上；一活性层442，形成于该第一束缚层440上；一第二束缚层444，形成于该活性层442上；一高电阻缓冲层46，形成于该第二束缚层444上，其中缓冲层之电阻大于第二束缚层之电阻；一接触层47，形成于该高电阻缓冲层46上，用以提供一欧姆接触(ohmiccontact)，该接触层具有一凹陷区域，自该接触层之顶部延伸至该接触层的底部，因而贯通至该缓冲层之表面；一透明导电层48，形成于该接触层47上，且填满位于该接触层内之该凹陷区域；以及一第二电极49，形成于该导电透光氧化层48之部份表面上，该第二电极大约对准于该接触层内的该凹陷区域。前述之基层包括选自于GaAs、GaP、AlGaAs、或GaAsP所构成材料组群中之至少一种材料；前述之活性层包括AlGaInP所构成材料组群中之至少一种材料；前述之缓冲层包括选自于GaP、GaAsP、GaInP、AlGaInP、或lGaAs所构成材料群组中之至少一种材料，前述之接触层包括选自于GaP、GaAsP、GaInP、GaAs、Be/Au、Zn/Au、Ge/Au或Ge所构成材料群组中之至少一种材料，前述之透明导电层包括选自于氧化铟锡、氧化镉锡、氧化锑锡、氧化锌或氧化锌锡或所构成材料群本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有高电阻缓冲层的发光组件，包括：一基板；一第一束缚层，形成于该基板上；　一活性层，形成于该第一束缚层上；一第二束缚层，形成于该活性层上；一高电阻缓冲层，形成于该第二束缚层上，其中该缓冲层之电阻大 于该第二束缚层之电阻；一接触层，形成于该高电阻缓冲层上；一透明导电层，形成于该接触层上；以及电极。

【技术特征摘要】
1.一种具有高电阻缓冲层的发光组件，包括一基板；一第一束缚层，形成于该基板上；一活性层，形成于该第一束缚层上；一第二束缚层，形成于该活性层上；一高电阻缓冲层，形成于该第二束缚层上，其中该缓冲层之电阻大于该第二束缚层之电阻；一接触层，形成于该高电阻缓冲层上；一透明导电层，形成于该接触层上；以及电极。2.一种具有高电阻缓冲层的发光组件，包括一第一电极；一基板，形成于该第一电极上；一第一束缚层，形成于该基板上；一活性层，形成于该第一束缚层上；一第二束缚层，形成于该活性层上；一高电阻缓冲层，形成于该第二束缚层上，其中该缓冲层之电阻大于该第二束缚层之电阻；一接触层，形成于该高电阻缓冲层上，用以提供一欧姆接触，该接触层具有一凹陷区域，自该接触层之顶部延伸至该接触层之底部，因而贯通至该缓冲层之表面；一透明导电层，形成于该接触层上，且填满位于该接触层内之该凹陷区域；以及一第二电极，形成于该导电透光氧化层之部份表面上，该第二电极大致对准于该接触层内之该凹陷区域。3.如权利要求1项或2所述的具有高电阻缓冲层的发光组件，其中上述之活性层包括AlGaInP所构成材料组群中之至少一种材料。4.如权利要求1或2所述的具有高电阻缓冲层的发光组件，其中上述的活性层至少包含一AlGaInP多重量子井结构。5.如权利要求1或2所述的具有高电阻缓冲层的发光组件，其中上...

【专利技术属性】
技术研发人员：周铭俊，金明达，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]