高发光效率的氮化物发光元件制造技术

一种高发光效率的氮化物发光元件，其中存在一发光元件，该发光元件包括一暂时基板以及与该暂时基板相连接的一发光叠层，经由移除该暂时基板后，在与该暂时基板相连接的发光叠层面上形成一粗化区域，使得光的摘出效率提高，以提高发光元件的亮度。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种发光元件，特别是涉及一种高发光效率的氮化物发光元件。
技术介绍
发光二极管的应用颇为广泛，例如，可应用于光学显示装置、交通号志、数据储存装置、通讯装置、照明装置、以及医疗装置。如何提高发光二极管的亮度，是在发光二极管制造上的重要课题。发光二极管的应用颇为广泛，例如，可应用于光学显示装置、交通号志、数据储存装置、通讯装置、照明装置、以及医疗装置。由发光二极管发出的光为射向各个方向，并非单一对焦于某处的光束。实际上，由发光二极管产生的光线并不是那么容易由发光二极管中射出，由Snell定律的关系可知，光只有在临界角锒内可以完全被射出，其它的光则会被反射而可能被吸收。也就是由发光二极管内部射出的光的角度需在2锒的圆锥形内才可以完全射出，超过此角度的光则会被反射。因此当发光二极管所发出的光由高折射率的材料进入折射率低的介质中，此过程会因受到折射率的影响使得出光的角度大受限制。因此，如何提高外部光摘出效率是一重要课题。于美国专利第5,040,044号中提及一发光二极管，其表面以化学蚀刻进行粗化，以降低全反射并提高光摘出效率；然而此法并不适用于氮化镓系列的材料，主要原因在于此本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高发光效率的氮化物发光元件，包括：一基板；形成于该基板上的一粘结层；以及形成于该粘结层上的一氮化物发光叠层，其中该氮化物发光叠层远离基板的表面包括一粗化区域。

【技术特征摘要】
1.一种高发光效率的氮化物发光元件，包括一基板；形成于该基板上的一粘结层；以及形成于该粘结层上的一氮化物发光叠层，其中该氮化物发光叠层远离基板的表面包括一粗化区域。2.如权利要求1所述的高发光效率的氮化物发光元件，其中，该粘结层为一透明粘结层。3.如权利要求2所述的高发光效率的氮化物发光元件，其中，该透明粘结层为一透明导电粘结层。4.如权利要求2所述的高发光效率的氮化物发光元件，其中，该透明粘结层为一透明不导电粘结层。5.如权利要求1所述的高发光效率的氮化物发光元件，其中，该粘结层为一不透明粘结层。6.如权利要求5所述的高发光效率的氮化物发光元件，其中，该不透明粘结层为一不透明导电粘结层。7.如权利要求5所述的高发光效率的氮化物发光元件，其中，该不透明粘结层为一不透明不导电粘结层。8.如权利要求1所述的高发光效率的氮化物发光元件，其中，于该基板及该粘结层之间还包括一第一反应层。9.如权利要求1所述的高发光效率的氮化物发光元件，其中，于该粘结层及该发光叠层之间还包括一第二反应层。10.如权利要求8所述的高发光效率的氮化物发光元件，其中，于该复合基板及该第一反应层之间还包括一金属反射层。11.如权利要求9所述的高发光效率的氮化物发光元件，其中，于该第二反应层及该发光叠层之间还包括一金属反射层。12.如权利要求11所述的高发光效率的氮化物发光元件，其中，于该金属反射层及该发光叠层之间还包括一透明导电层。13.如权利要求11所述的高发光效率的氮化物发光元件，其中，于该粘结层及该发光叠层之间还包括一透明导电层。14.如权利要求1所述的高发光效率的氮化物发光元件，其中，该粘结层一金属粘结层。15.如权利要求1所述的高发光效率的氮化物发光元件，其中，该粘结层一金属反射粘结层。16.如权利要求1所述的高发光效率的氮化物发光元件，其中，于该发光叠层的粗化区域之上还包括一透明导电层。17.如权利要求16所述的高发光效率的氮化物发光元件，其中，于该透明导电层之上还包括一接线电极。18.如权利要求1所述的高发光效率的氮化物发光元件，其中，于该发光叠层之上还包括一电极接触区域。19.如权利要求18所述的高发光效率的氮化物发光元件，其中，于该电极接触区域之上还包括一接线电极。20.如权利要求1所述的高发光效率的氮化物发光元件，其中，该发光叠层包括一第一氮化物叠层；一氮化物多重量子阱发光层；一第二氮化物叠层。21.一种高发光效率的氮化物发光元件，包括一基板；形成于该基板上的透明粘结层；形成于该透明粘结层上的一透明导电层，其中，该透明导电层的上表面包括一外延区域与一电极接触区域；形成于该外延区域上的一氮化物第一接触层；形成于该氮化物第一接触层上的一氮化物第一束缚层；形成于该氮化物第一束缚层上的一氮化物发光层；形成于该氮化物发光层上的一氮化物第二束缚层；形成于该氮化物第二束缚层上的一氮化物缓冲层，其中该缓冲层包括一粗化区域及一第二电极接触区域；形成于该第一电极接触区域上的一第一接线电极；以及形成于该第二电极接触区域上的一第二接线电极。22.如权利要求21所述的高发光效率的氮化物发光元件，其中，于该基板及该透明粘结层之间还包括一第一反应层。23.如权利要求21所述的高发光效率的氮化物发光元件，其中，于该透明粘结层及该透明导电层之间还包括一第二反应层。24.如权利要求22所述的高发光效率的氮化物发光元件，其中，于该基板及该第一反应层之间还包括一金属反射层。25.如权利要求23所述的高发光效率的氮化物发光元件，其中，于该第二反应层及该透明导电层之间还包括一金属反射层。26.如权利要求21所述的高发光效率的氮化物发光元件，其中，于该氮化物缓冲层的粗化区域之上、第二电极接触区域及该第二接线电极之间还包括一透明导电层。27.如权利要求21所述的高发光效率的氮化物发光元件，其中，于该第一电极接触区域及该第一接线电极之间还包括一透明导电层。28.一种高发光效率的氮化物发光元件，包括一基板；形成于该基板上的导电粘结层；形成于该导电粘结层上的一氮化物第一接触层；形成于该氮化物第一接触层上的一氮化物第一束缚层；形成于该氮化物第一束缚层上的一氮化物发光层；形成于该氮化物发光层上的一氮化物第二束缚层；形成于该氮化物第二束缚层上的一氮化物缓冲层，其中该缓冲层包括一粗化区域及一电极接触...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢明勋，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]