高电子注入效率有机电致发光器件及其制备方法，包括玻璃基板，以及自下而上依次层叠在其上的阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极；所述的电子传输层分为上电子传输层和下电子传输层，且在上电子传输层和下电子传输层之间设置有栅格结构的Al膜电极层，所述的阴极与栅格结构的Al膜电极层之间并联电压U1，阳极与栅格结构的Al膜电极层之间并联电压U2。本发明专利技术通过增加栅格结构的Al膜电极层，能够有效地提高有机电致发光器件的电子注入效率和发光效率。由于栅格结构的Al膜电极层为镂空结构，电子传输层仍为一整体，不会增加界面势垒，而且可以改变施加于电子传输层上的电压。增强电子传输能力以达到载流子注入平衡。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于平板显示领域，涉及一种发光器件及其制备方法，尤其是。
技术介绍
有机电致发光显示器件是一种载流子双注入型器件，在电场作用下，由阳极发出空穴，阴极发出电子，电子和空穴注入到有机材料中，在有机材料中传输，进一步迁移到发光层中，在发光层中，电子和空穴由于库伦作用而形成激子，激子具有较高的能量处于不稳定状态，激子退激时就释放出光能。因此要提高器件的发光效率就必须增加激子的形成几率，而激子的产生又依赖于载流子的注入水平及注入平衡。当电子和空穴由两侧电极向发光层传输时，其注入能力可由电流密度来表示，在有机OLED中，电流密度J α αμ1—，其中a''μ为载流子的迁移率，V为施加于薄膜两端的电压，d为电流流过的厚度。由公式可知，载流子的注入能力与有机材料的迁移率及其施加于其上的电压平方成正比，与薄膜厚度成反Ito 一般情况下，电子传输材料的迁移率约在l(T4l(T6cm2/V · s左右，空穴传输材料的迁移率约为10-2 10-3cm2/V · s，两者最大相差约四个数量级。对于薄膜厚度，电子传输层与空穴传输层都约为几十个nm，量级相同。在有机电致发光器件中，当电压施加于两端电极时，可近似认为电场强度均匀的落在有机材料膜层上，这样，在电子传输层上与空穴传输层上所承担的电压几乎相同。导 致两种载流子的传输能力由于迁移率而产生很大差异。这种注入的不平衡会严重影响激子的产生。如果能够改变施加在电子传输层和空穴传输层上的电压，使电子传输层上的电压增加，则可以很容易提高其注入能力以与空穴传输能力匹配。另 ；MP夕卜，当两种载流子注入到发光层中时，由公式A τ为发光强度，N, P分别为电子N + P和空穴的浓度，Π,为效率)可知，发光强度与电子和空穴的浓度乘积成正比，当电子和空穴浓度相差越大时，发光强度越小；当电子和空穴浓度相同时，发光强度最大。而且能够避免多余的载流子继续流向对面而造成焦耳热。缩短器件的寿命。由以上分析可以看出，提高器件的发光效率，不仅要增加电子和空穴的注入能力，还要使得两种载流子在相遇时其浓度保持平衡，这样才能够得到最大亮度与效率。综合以上分析，要获得较高的器件效率，须大力提高电子注入能力以期与空穴达到平衡是一个非常重要的途径。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种能够有效地提高有机电致发光器件的电子注入效率和发光效率的高电子注入效率有机电致发光器件及其制备方法。为达到上述目的，本专利技术高电子注入效率有机电致发光器件包括玻璃基板，以及自下而上依次层叠在玻璃基板上的阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极；所述的电子传输层分为上电子传输层和下电子传输层，且在上电子传输层和下电子传输层之间设置有栅格结构的Al膜电极层，所述的阴极与栅格结构的Al膜电极层之间并联电压U1，阳极与栅格结构的Al膜电极层之间并联电压U2。所述的栅格结构的Al膜电极层为由覆膜部分和镂空部分组成的镂空网格结构。所述的栅格结构的Al膜电极层的厚度为3飞nm，且覆膜部分的宽度为镂空部分的1/3 1/4。所述的上电子传输层、下电子传输层米用同种有机材料，且上电子传输层的厚度为下电子传输层的4飞倍。本专利技术的制备方法包括以下步骤I)首先，将干净的玻璃基板烘干后放入真空室中，依次在玻璃基板上蒸镀阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、下电子传输层；2)然后，使用覆膜部分的宽度为镂空部分的1/3 1/4的镂空网格结构的栅格掩膜板向下电子传输层上蒸镀厚度为3飞nm的栅格结构的Al膜电极层；3)最后向栅格结构的Al膜电极层上依次蒸镀下电子传输层、电子注入层以及阴极；在阴极与栅格结构的Al膜电极层之间施加电压U1，在栅格结构的Al膜电极层与阳极之间施加电压U2。所述蒸镀时的真空度为10_4Pa。本专利技术通过增 加栅格结构的Al膜电极层，能够有效地提高有机电致发光器件的电子注入效率和发光效率。由于栅格结构的Al膜电极层为镂空结构，电子传输层仍为一整体，不会增加界面势垒，而且可以改变施加于电子传输层上的电压。增强电子传输能力以达到载流子注入平衡。并且很好的避免了由于一种载流子过多而造成的发光猝灭和形成器件的焦耳热。本专利技术的通过简单的操作方便地控制施加于电子传输层上的电压，避免了传统的电压均匀分布，而能够有侧重的调节电子传输部分的电压，有效地提高电子传输能力，保证与空穴载流子尽量平衡，提高器件的发光效率。附图说明图1是本专利技术的整体结构示意图；图2是本专利技术栅格结构的Al膜电极层的结构示意图。图中1为阴极；2为电子注入层；3为上电子传输层；4为栅格结构的Al膜电极层；5为下电子传输层；6为发光层；7为空穴传输层；8为空穴注入层；9为阳极；10为玻璃基板；11为覆膜部分；12为镂空部分。具体实施例方式下面结合附图对本专利技术做进一步详细描述参见图1，本专利技术包括玻璃基板10，以及自下而上依次层叠在玻璃基板10上的阳极9、空穴注入层8、空穴传输层7、发光层6、电子传输层、电子注入层2以及阴极I ;所述的电子传输层分为上电子传输层3和下电子传输层5,且在上电子传输层3和下电子传输层5之间设置有厚度为3、nm的栅格结构的Al膜电极层4,上电子传输层3和下电子传输层5采用同种有机材料，且上电子传输层3的厚度为下电子传输层5的4 5倍，参见图2，栅格结构的Al膜电极层4为由覆膜部分11和镂空部分12组成的镂空网格结构，且覆膜部分11的宽度为镂空部分12的1/3 1/4，所述的阴极I与栅格结构的Al膜电极层4之间并联电压Ul，阳极9与栅格结构的Al膜电极层4之间并联电压U2。本专利技术的制备方法包括以下步骤I)首先，将干净的玻璃基板10烘干后放入真空度为10_4Pa真空室中，依次在玻璃基板10上蒸镀阳极9、空穴注入层8、空穴传输层7、发光层6、下电子传输层5 ；2)然后，使用覆膜部分11的宽度为镂空部分12的1/3 1/4的镂空网格结构的栅格掩膜板向下电子传输层5上蒸镀厚度为3飞nm的栅格结构的Al膜电极层4 ；3)最后向栅格结构的Al膜电极层4上依次蒸镀下电子传输层3、电子注入层2以及阴极I ;在阴极I与栅格结构的Al膜电极层4之间施加电压Ul，在栅格结构的Al膜电极层与阳极9之间施加电压U2。本专利技术的通过简单的操作方便地控制施加于电子传输层上的电压，避免了传统的电压均匀分布，而能够有侧重的调节电子传输部分的电压，有效地提高电子传输能力，保证与空穴载流子尽量平衡，提高器件的发光效率。在电子传输层之间增加栅格结构的Al膜电极层，将电子传输层分为两层，由于栅格结构的Al膜电极层为镂空结构，电子传输层仍为一整体，不会增加界面势垒，而且可以改变施加于电子传输层上的电压。增强电子传输能力以达到载流子注入平衡。并且很好的避免了由于一种载流子过多而造成的发光猝灭和形成器件的焦耳热。在玻璃基板上，阴极、阳极和栅格结构的Al膜电极层都留有引脚，在阴极与栅格结构的Al膜电极层之间施加电压Ul，栅格结构的Al膜电极层与阳极之间施加电压U2，Ul和U2通 过可调变压器实现电压控制。相比于传统电压施加方式，适当增加电压U1，尽力弥补由于迁移率所引起的电子和空穴传输能力的差异。使电子传输能力与空穴传输能力尽量匹配，增加激子产生几率，也避免了一方载流子过多而造成的发光猝灭本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种高电子注入效率有机电致发光器件，其特征在于：包括玻璃基板（10），以及自下而上依次层叠在玻璃基板（10）上的阳极（9）、空穴注入层（8）、空穴传输层（7）、发光层（6）、电子传输层、电子注入层（2）以及阴极（1）；所述的电子传输层分为上电子传输层（3）和下电子传输层（5），且在上电子传输层（3）和下电子传输层（5）之间设置有栅格结构的Al膜电极层（4），所述的阴极（1）与栅格结构的Al膜电极层（4）之间并联电压U1，阳极（9）与栅格结构的Al膜电极层（4）之间并联电压U2。
【技术特征摘要】
1.一种高电子注入效率有机电致发光器件，其特征在于包括玻璃基板(10)，以及自下而上依次层叠在玻璃基板(10)上的阳极(9)、空穴注入层(8)、空穴传输层(7)、发光层(6)、电子传输层、电子注入层(2)以及阴极(I);所述的电子传输层分为上电子传输层(3)和下电子传输层(5),且在上电子传输层(3)和下电子传输层(5)之间设置有栅格结构的Al膜电极层(4)，所述的阴极(I)与栅格结构的Al膜电极层(4)之间并联电压U1，阳极(9)与栅格结构的Al膜电极层(4)之间并联电压U2。2.根据权利要求书I所述的高电子注入效率有机电致发光器件，其特征在于所述的栅格结构的Al膜电极层(4)为由覆膜部分(11)和镂空部分(12)组成的镂空网格结构。3.根据权利要求书2所述的高电子注入效率有机电致发光器件，其特征在于所述的栅格结构的Al膜电极层(4)的厚度为3~5nm，且覆膜部分(11)的宽度为镂空部分(12)的1/3 1/4。4.根据权利要求书I所述的高电子注入效率有机电致发光器...
【专利技术属性】
技术研发人员：袁桃利，牟强，张方辉，马颖，
申请(专利权)人：陕西科技大学，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。