【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于等离子体处理室部件的密封剂涂层
相关申请的交叉引用
[0001]本申请要求于2019年6月12日申请的美国申请No.62/860,540的优先权,其通过引用合并于此以用于所有目的。
[0002]本公开涉及半导体设备的制造。更具体地,本公开涉及用于制造半导体设备的等离子体室部件。
技术介绍
[0003]在半导体晶片处理期间,等离子体处理室用于处理半导体设备。等离子体处理室的部件受到等离子体的影响,这会使部件劣化。
技术实现思路
[0004]为了实现上述目的并且根据本公开的目的,提供了一种用于在等离子体处理室中使用的部件。提供了一种含金属部件主体。密封剂涂层位于含金属部件主体的表面上,其中密封剂涂层包括硅酮密封剂、有机密封剂或环氧密封剂中的至少一种,其中密封剂涂层未被覆盖且直接暴露于等离子体处理室中的等离子体。
[0005]在另一个表现形式中,提供了一种用于形成等离子体处理室的部件的方法。提供了一种含金属部件主体。密封剂被施加在含金属部件主体的表面上。
[0006]本公开内容的 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于等离子体处理室的部件,其包括:含金属部件主体;和在所述含金属部件主体的表面上的密封剂涂层,其中所述密封剂涂层包括基于硅酮的密封剂、有机密封剂或环氧密封剂中的至少一种,其中所述密封剂涂层未被覆盖并且直接暴露于等离子体处理室中的等离子体。2.根据权利要求1所述的部件,其中所述密封剂涂层是氟化聚合物、全氟化聚合物、硅酮、环氧树脂或聚(对二甲苯)聚合物中的至少一种的有机涂层。3.根据权利要求1所述的部件,其中所述密封剂涂层是聚对二甲苯、PCT S
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Sealer、Loctite PC 7319、Xylan 2630和dichtol WF 49中的至少一种。4.根据权利要求1所述的部件,其中所述含金属部件主体形成衬底支撑件。5.根据权利要求1所述的部件,其还包括在所述含金属部件主体的表面上的陶瓷涂层,其中所述密封剂涂层浸渍到所述陶瓷涂层中。6.根据权利要求5所述的部件,其中所述密封剂涂层是氟化聚合物、全氟化聚合物或聚(对二甲苯)聚合物中的至少一种的有机涂层。7.根据权利要求5所述的部件,其中所述密封剂涂层是聚对二甲苯、PCT S
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Sealer、Loctite PC 7319、Xylan 2630和dichtol WF 49中的至少一种。8.根据权利要求5所述的部件,其中所述含金属部件主体形成衬底支撑件。9.一种用于形成等离子体处理室的部件的方法,其包括:提供含金属部件主体;以及在所述含金属部件主体的表面上施加密封剂。10.根据权利要求9所述的方法...
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