包含有机受体膜的有机薄膜晶体管制造技术

一种有机薄膜晶体管（ＴＦＴ），其包括：有机半导体膜；与该有机半导体膜电接通的源极和漏极；与源极和漏极以及有机半导体膜电绝缘的栅电极；和插入源极和漏极与有机半导体膜之间的有机受体膜。

【技术实现步骤摘要】
优先权要求根据35U.S.C.§119，本申请要求于2004年4月29日向韩国知识产权局提交的申请题目为“包括有机受体膜的有机薄膜晶体管”，申请号为No.2004-30222的申请的所有权益，并且本文引用该专利申请作为参考。 专利技术
技术介绍
领域本专利技术涉及一种有机薄膜晶体管(TFT)，更具体地，涉及一种包含有机受体膜的有机TFT，该有机受体膜放置于源极和漏电极以及有机半导体膜之间，从而获得掺杂效应。相关技术由于共轭有机聚合物-聚乙炔的开发，在功能电子和光学装置领域中对有机半导体的深入研究已经有所进展。与其它有机材料相似，有机半导体可以通过各种方法合成并且可容易地被模制成纤维或薄膜。并且，有机半导体具有高度的韧性、导电性以及经济性。使用导电聚合物的装置中的有机薄膜晶体管(TFT)包含有机活性膜，对有机TFT的研究开始于1980年并在全世界范围内继续进行。除了半导体活性区域是由有机材料而非由硅形成之外，有机TFT与硅TFT在结构上是相似的。与硅TFT相比，有机TFT制造简单、经济，高度抗震，并且适用于被弯曲或折叠的基底。尤其是，当大面积制造有机TFT时，该有机TFT对需要低处理温度并本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机薄膜晶体管，其包括：　　　　有机半导体膜；　　　　与该有机半导体膜电接通的源极和漏极；　　　　与源极和漏极以及有机半导体膜电绝缘的栅电极；和　　　　插入源极和漏极与有机半导体膜之间的有机受体膜。

【技术特征摘要】
KR 2004-4-29 30222/041.一种有机薄膜晶体管，其包括有机半导体膜；与该有机半导体膜电接通的源极和漏极；与源极和漏极以及有机半导体膜电绝缘的栅电极；和插入源极和漏极与有机半导体膜之间的有机受体膜。2.根据权利要求1的有机薄膜晶体管，其中所述的有机半导体膜由并五苯制成。3.根据权利要求1的有机薄膜晶体管，还包括使所述的源极和漏极与所述的栅电极电绝缘的栅绝缘膜；其中所述的有机受体膜与所述的源极和漏极以及所述的栅绝缘膜接触。4.根据权利要求3的有机薄膜晶体管，还包括一种增强所述的栅绝缘膜与所述的有机受体膜之间的粘附力的表面处理膜。5.根据权利要求4的有机薄膜晶体管，其中所述的表面处理膜由选自三氯甲硅烷基-(SiCl3)、三甲氧基甲硅烷基-(Si(OMe)3)及巯基-(-SH)部分中的任意一种制成。6.根据权利要求1的有机薄膜晶体管，还包括使所述的源极和漏极与所述的栅电极电绝缘的栅绝缘膜；其中所述的有机受体膜与所述的源极和漏极接触。7.根据权利要求6的有机薄膜晶体管，还包括一种增强所述的栅绝缘膜与所述的有机半导体膜之间的粘附力的表面处理膜。8.根据权利要求7的有机薄膜晶体管，其中所述的表面处理膜由选自三氯甲硅烷基-(SiCl3)、三甲氧基甲硅烷基-(Si(OMe)3)及巯基-(-SH)部分中的任意一种制成。9.根据权利要求1的有机薄膜晶体管，其中所...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐旼彻，杨南喆，金慧东，
申请(专利权)人：三星SDI株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]