半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种可靠性高的半导体装置及其制造方法。半导体装置具有：半导体基板（１０），形成有电极（１４）；树脂层（２０），按照避开所述电极（１４）的形式形成；连接盘（３２），设在树脂层（２０）上；布线（３４），将电极（１４）和连接盘（３２）电连接；和外部端子（４０），接合在连接盘（３２）上。树脂层（２０）包括：第１树脂部（２２），避开连接盘（３２）对外部端子（４０）的接合面（３５）的中央部，并支撑端部；和第２树脂部（２４），与第１树脂部（２２）相邻。第１树脂部（２２）的弹性系数比第２树脂部（２４）低。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及。
技术介绍
作为半导体封装件，CSP(芯片尺度/尺寸封装件)正受到关注。此外，开发了以晶片级制造封装件的技术(晶片级封装件)。以该方法制造的封装件(例如为晶片级CSP)的外部尺寸成了半导体芯片尺寸，因此结构与现有的半导体封装件不同，但要求与现有的半导体封装件相等或优于它的可靠性。
技术实现思路
本专利技术的目的为提供一种可靠性高的。(1)本专利技术的半导体装置，具有半导体基板，其具有集成电路，形成有电极；树脂层，按照避开所述电极的形式被形成在所述半导体基板上；连接盘，其被设置在所述树脂层上；布线，用于将所述电极和所述连接盘电连接；和外部端子，其接合在所述连接盘上。所述树脂层包括第1树脂部，其避开所述连接盘对所述外部端子的接合面的中央部，并支撑端部；和第2树脂部，其与所述第1树脂部相邻。所述第1树脂部的弹性系数比所述第2树脂部低。根据本专利技术，树脂层包括弹性系数不同的两个树脂部。并且，通过弹性系数低的树脂部(第1树脂部)，支撑着连接盘与外部端子的接合面的端部。因此，可提供即使在连接盘和外部端子的界面上施加了较大的力的情况下，也能够防止因连接盘变形而连接盘和外部端子脱离且可靠性高的半导体装置。(2)在该半导体装置中，也可以是所述第1树脂部在围绕所述接合面的所述中央部的周缘部整体的下方形成。(3)在该半导体装置中，也可以是所述第1树脂部避开所述连接盘对所述布线的连接部的下方，在围绕所述接合面的所述中央部的周缘部的下方形成；在所述连接盘对所述布线的所述连接部的下方，形成所述第2树脂部的一部分。(4)在该半导体装置中，也可以是设有多个所述连接盘，各个所述连接盘的所述接合面的所述端部包括围绕所述多个连接盘的区域的中央侧的第1端部、和朝向所述区域的外方向的第2端部；所述第1树脂部避开各个所述连接盘的所述第1端部的下方，在所述第2端部的下方形成。(5)在该半导体装置中，也可以是所述第1树脂部按照上面大于底面的形式使侧面倾斜。(6)在该半导体装置中，也可以是所述第1树脂部按照上面小于底面的形式使侧面倾斜。(7)在该半导体装置中，也可以是所述第1树脂部由所述第2树脂部覆盖，以使所述连接盘不与所述第1树脂部接触。(8)在该半导体装置中，也可以是按照不与所述第1树脂部接触的形式形成所述连接盘。(9)本专利技术的半导体装置的制造方法，包括在具有集成电路且形成有电极的半导体基板上按照避开所述电极的形式形成树脂层的过程；形成配置于所述树脂层上的连接盘和将所述电极与所述连接盘电连接的布线的过程；和形成接合在所述连接盘上的外部端子的过程；使所述树脂层形成为包括用于避开所述连接盘对所述外部端子的接合面的中央部而支撑端部的第1树脂部和与所述第1树脂部相邻的所述第2树脂部；使所述第1树脂部形成为弹性系数低于所述第2树脂部。根据本专利技术，使第1树脂部形成为支撑连接盘与外部端子的接合面的端部。因此，能够制造出即使在连接盘和外部端子的界面上施加了较大的力的情况下，也能够防止因连接盘变形而连接盘和外部端子脱离且可靠性高的半导体装置。附图说明图1为用于说明适用了本专利技术的第1实施方式的半导体装置的图。图2为用于说明适用了本专利技术的第1实施方式的半导体装置的图。图3为表示安装适用了本专利技术的第1实施方式的半导体装置的电路基板的图。图4为表示具有适用了本专利技术的实施方式的半导体装置的电子仪器的图。图5为表示具有适用了本专利技术的实施方式的半导体装置的电子仪器的图。图6为用于说明适用了本专利技术的第1实施方式的变形例的半导体装置的图。图7为用于说明适用了本专利技术的第1实施方式的变形例的半导体装置的图。图8(A)～图8(B)为用于说明适用了本专利技术的第1实施方式的半导体装置的制造方法的图。图9(A)～图9(C)为用于说明适用了本专利技术的第1实施方式的半导体装置的制造方法的图。图10(A)～图10(C)为用于说明适用了本专利技术的第1实施方式的半导体装置的制造方法的图。图11为用于说明适用了本专利技术的第1实施方式的半导体装置的制造方法的图。图12为用于说明适用了本专利技术的第2实施方式的半导体装置的图。图13为用于说明适用了本专利技术的第3实施方式的半导体装置的图。图中10-半导体基板，12-集成电路，14-电极，16-钝化膜，20-树脂层，22-第1树脂部，24-第2树脂部，30-布线图案，32-连接盘，33-连接部，34-布线，35-接合面，40-外部端子，50-保护层，60-覆盖层。具体实施例方式下面，参照附图对适用了本专利技术的实施方式进行说明。但是，本专利技术不限于下面的实施方式。(第1实施方式)图1和图2为用于说明适用了本专利技术的第1实施方式的半导体装置的图。图1为半导体装置1的俯视图，图2为图1的II-II线剖面的局部放大图。本实施方式的半导体装置具有半导体基板10。半导体基板10例如也可为硅基板。半导体基板10也可为半导体芯片(参照图1)。半导体芯片的平面形状一般为矩形，但并不限于此。或者，半导体基板也可为半导体晶片(未图示)。半导体基板10具有1个或多个(半导体芯片中为1个，半导体晶片中为多个)集成电路12(参照图2)。集成电路12的构成没有特别限定，但也可包括例如晶体管等有源元件、以及电阻、线圈和电容等无源元件。在半导体基板10上形成了电极14。电极14也可与半导体基板10的内部电连接。或者，也可包括没有与集成电路12电连接的电极，称作电极14。电极14也可沿半导体基板10的平行的两边排列配置在端部，还可沿着4边排列配置。也可以避开电极14的至少一部分，在半导体基板10的表面(形成电极14的面)上形成钝化膜16。钝化膜16为电绝缘膜。钝化膜16也可由例如SiN、SiO2、聚酰亚胺树脂等形成。本实施方式的半导体装置如图1和图2所示，具有树脂层20。树脂层20形成于半导体基板10上。树脂层20形成为避开电极14(电极14的至少一部分)。此时，树脂层20也可形成为露出电极14中从钝化膜16露出部分的至少一部分。例如，树脂层20也可形成为避开电极14中从钝化膜16露出部分，且与电极14的一部分重叠。如图1和图2所示，树脂层20也可避开半导体基板10的端部而形成于中央部。树脂层20也可以具有应力缓冲功能。树脂层20包括第1树脂部22和与第1树脂部22相邻的第2树脂部24。也可将第1及第2树脂部22、24合起来统称为树脂层20。第1树脂部22和第2树脂部24也可以由聚酰亚胺树脂、硅变性聚酰亚胺树脂、环氧树脂、硅变性环氧树脂、苯环丁烯(BCB；benzocyclobutene)、聚苯恶唑(PBO；polybenzoxazole)等形成。第1树脂部22形成为弹性系数低于第2树脂部24。换言之，第1树脂部22形成为比第2树脂部24柔软。即，第1树脂部22与第2树脂部24比较而言，能以较小的力使之弹性变形。也可以通过由不同的材料形成第1及第2树脂部22、24，设定两者的弹性系数的差异。当由聚酰亚胺树脂形成第2树脂部24时，还可通过使第1树脂部22由硅变性聚酰亚胺树脂或苯环丁烯(BCB；benzocyclobutene)、聚苯恶唑(PBO；polybenzoxazole)等形成，从而对两者的弹性系数设定差异。此外，当第2树脂部24由环氧树脂形成时，也可通过使第1树脂部22由聚酰亚胺树脂形成，对两者本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于，具有：半导体基板，其具有集成电路，形成有电极；树脂层，按照避开所述电极的形式被形成在所述半导体基板上；连接盘，其被设置在所述树脂层上；布线，用于将所述电极和所述连接盘电连接；和 外部端子，其接合在所述连接盘上；所述树脂层包括：第１树脂部，其避开所述连接盘对所述外部端子的接合面的中央部，并支撑端部；和第２树脂部，其与所述第１树脂部相邻；所述第１树脂部的弹性系数比所述第２树脂部低。

【技术特征摘要】
JP 2004-5-26 2004-1562721.一种半导体装置，其特征在于，具有半导体基板，其具有集成电路，形成有电极；树脂层，按照避开所述电极的形式被形成在所述半导体基板上；连接盘，其被设置在所述树脂层上；布线，用于将所述电极和所述连接盘电连接；和外部端子，其接合在所述连接盘上；所述树脂层包括第1树脂部，其避开所述连接盘对所述外部端子的接合面的中央部，并支撑端部；和第2树脂部，其与所述第1树脂部相邻；所述第1树脂部的弹性系数比所述第2树脂部低。2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第1树脂部在围绕所述接合面的所述中央部的周缘部整体的下方形成。3.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第1树脂部避开所述连接盘对所述布线的连接部的下方，在围绕所述接合面的所述中央部的周缘部的下方形成；在所述连接盘对所述布线的所述连接部的下方，形成所述第2树脂部的一部分。4.如权利要求1所述的半导体装置，其中，设有多个所述连接盘，各个所述连接盘的所述接合面的所述端部包括围绕所述多个连接盘的区域的中央侧的第1端部、...

【专利技术属性】
技术研发人员：黑泽康则，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]