测试半导体器件中的膜层厚度专用的新图形识别标记制造技术

本发明专利技术提出一种测试半导体器件中的膜层厚度专用的新图形识别标记，它放在晶片上，是好的对比图形，用于图形识别。按本发明专利技术的专用新图形识别标记，设置在晶片上，该新图形识别标记的轮廓是，用两个几何形状相同但面积不同的边形或圆按面心重叠方式重叠，并按对角线或垂直直径划分成多个区域，其中，两个相邻的区域用不同的材料构成并具有不同的颜色，两个相邻区域中的一个区域用金属构成，例如铝、铜、银、或金等，而另一个区域用不同的材料构成，例如，介质材料、氧化物、氮化物、或氮氧化物（ＳｉＯＮ）等，反之亦然，两个相邻区域的颜色不同，两个相邻区域构成在不同的膜层中，两个相邻区域具有从芯片底层开始计算的不同高度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种新的图形识别标记，具体涉及测试半导体器件中的膜层厚度专用的新图形识别标记。
技术介绍
在先进的工厂中，为了能获得质量一致的半导体器件，通常以监测实际工艺的方式来测试制造中的半导体器件中的膜层厚度。为此，首先需要成功地识别图形，以测试半导体器件中的膜层厚度。这就要求有专用的好的对比图形。现在通用的方法是，任意选择晶片上的一个器件图形作为测试标记，随着工艺步骤的不断进行，作为测试标记所选择的图形也随着变化，用这样不断变化的图形作为图形识别标记不能准确地测试半导体器件中的膜层厚度。随着在半导体芯片上的晶体管越来越多，芯片的构图变得越来越复杂，找出好的标记图形进行图形识别变得越来越困难。图形识别失误会导致不能正确地测试半导体器件中的膜层厚度，中断工艺，延长了工艺周期，甚至不能获得真实的工艺数据。
技术实现思路
为了克服上述的现有半导体器件中膜层厚度测试技术中用于识别图形的标记图形的缺陷，提出本专利技术。本专利技术的目的是，提出一种专用的新图形识别标记，它放在晶片上，是好的对比图形，用于图形识别，能明显减少图形识别错误。按本专利技术的专用的新图形识别标记，是用几何形状相同但面积不同的多边形，按面心重叠的方式重叠，并按对角线画分成多个区域，相邻的两个区域用不同的材料构成，具有不同的颜色，和从衬底开始计算的不同高度。按本专利技术第一实施例的专用新图形识别标记，设置在晶片上，该新图形识别标记的轮廓是，两个面积不同的正方形按面心重叠方式重叠，并按对角线划分成八个区域，其中，两个相邻的区域用不同的材料构成两个相邻区域中的一个区域用金属构成，例如铝、铜、银、或金等，而另一个区域用不同的材料构成，例如，介质材料、氧化物、氮化物、或氮氧化物(SiON)等，反之亦然。两个相邻区域的颜色不同，例如，其中的一个区域是白色，而另一个区域是暗色。两个相邻区域构成在不同的膜层中。两个相邻区域具有从芯片底层开始计算的不同高度。按本专利技术第二实施例的专用新图形识别标记，设置在晶片上，该新图形识别标记的轮廓是，两个面积不同的矩形按面心重叠方式重叠，并按对角线划分成八个区域，其中，两个相邻的区域用不同的材料构成，例如，两个相邻区域中的一个区域用金属构成，例如铝、铜、银、或金等，而另一个区域用不同的材料构成，诸如介质材料、氧化物、氮化物、或氮氧化物(SiON)等，反之亦然。两个相邻区域的颜色不同，例如，其中的一个区域是白色，而另一个区域是暗色。两个相邻区域构成在不同的膜层中，两个相邻区域具有从芯片底层开始计算的不同高度。按本专利技术第三实施例的专用新图形识别标记，设置在晶片上，该新图形识别标记的轮廓是，两个面积不同的六边形按面心重叠方式重叠，并按对角线划分成十二个区域，其中，两个相邻的区域用不同的材料构成，例如，两个相邻区域中的一个区域用金属构成，例如，铝、铜、银、或金等，而另一个区域用不同的材料构成，诸如介质材料、氧化物、氮化物、或氮氧化物(SiON)等，反之亦然。两个相邻区域的颜色不同，例如，其中的一个区域是白色，而另一个区域是暗色。两个相邻区域构成在不同的膜层中，两个相邻区域具有从芯片底层开始计算的不同高度，按本专利技术第四实施例的专用新图形识别标记，设置在晶片上，该新图形识别标记的轮廓是，两个面积不同的圆按圆心重叠方式重叠，并按相互垂直的两根直径划分成八个顶角为90°的圆弧扇形区域，其中，两个相邻的区域用不同的材料构成并具有不同的颜色，例如，两个相邻区域中的一个区域用金属构成，例如铝、铜、银、或金等，而另一个区域用不同的材料构成，诸如介质材料、氧化物、氮化物、或氮氧化物(SiON)等，反之亦然。两个相邻区域的颜色不同，例如，其中的一个区域是白色，而另一个区域是暗色。两个相邻区域构成在不同的膜层中，两个相邻区域具有从芯片底层开始计算的不同高度。附图说明本申请书中包括的多个附图显示出本专利技术的多个实施例，本申请中包括的附图是说明书的一个构成部分，附图与说明书和权利要求书一起用于说明本专利技术的实质内容，用于更好地理解本专利技术。附图中相同或相似的构成部分用相同的参考数字指示。附图中图1是按本专利技术第一实施例的测试半导体器件中的膜层厚度专用的新图形识别标记的顶视图；图2是按图1显示的本专利技术第一实施例的测试半导体器件中的膜层厚度专用的新图形识别标记的I-I线的剖视图；图3是按图1显示的本专利技术第一实施例的测试半导体器件中的膜层厚度专用的新图形识别标记的II-II线的剖视图；图4是按本专利技术第二实施例的测试半导体器件中的膜层厚度专用的新图形识别标记的顶视图；图5是按图4显示的本专利技术第二实施例的测试半导体器件中的膜层厚度专用的新图形识别标记的I-I线的剖视图；图6是按图4显示的本专利技术第二实施例的测试半导体器件中的膜层厚度专用的新图形识别标记的II-II线的剖视图；图7是按本专利技术第一实施例的测试半导体器件中的膜层厚度专用的新图形识别标记的顶视图；图8是按图7显示的本专利技术第三实施例的测试半导体器件中的膜层厚度专用的新图形识别标记的I-I线的剖视图；图9是按图7显示的本专利技术第三实施例的测试半导体器件中的膜层厚度专用的新图形识别标记的II-II线的剖视图；图10是按本专利技术第四实施例的测试半导体器件中的膜层厚度专用的新图形识别标记的顶视图； 图11是按图10显示的本专利技术第四实施例的测试半导体器件中的膜层厚度专用的新图形识别标记的I-I线的剖视图；和图12是按图10显示的本专利技术第四实施例的测试半导体器件中的膜层厚度专用的新图形识别标记的II-II线的剖视图。附图中的符号说明1-是衬底，白区域-是区域(A)；暗区域-是区域(B)。具体实施例方式以下参见附图详细描述本专利技术。图1是按本专利技术第一实施例的测试半导体器件中的膜层厚度专用的新图形识别标记的顶视图。图2是按图1显示的本专利技术第一实施例的测试半导体器件中的膜层厚度专用的新图形识别标记的I-I线的剖视图。图3是按图1显示的本专利技术第一实施例的测试半导体器件中的膜层厚度专用的新图形识别标记的II-II线的剖视图。按本专利技术第一实施例的测试半导体器件中的膜层厚度的专用新图形识别标记，设置在晶片上，该新图形识别标记的轮廓是，两个面积不同的正方形按面心重叠方式重叠，并按对角线划分成八个区域，其中，两个相邻的区域用不同的材料构成，两个相邻区域中的一个区域(A)用金属构成，例如铝、铜、银、或金等，而另一个区域(B)用不同的材料构成，例如，介质材料、氧化物、氮化物、或氮氧化物(SiON)等。反之，两个相邻区域中的一个区域(B)用金属构成，例如铝、铜、银、或金等，而另一个区域(A)用不同的材料构成，例如，介质材料、氧化物、氮化物、或氮氧化物(SiON)等。两个相邻区域的颜色不同，例如，其中的一个区域(A)是白色，而另一个区域(B)是暗色，反之亦然。两个相邻区域(A和B)构成在不同的膜层中，即，区域(A)构成在金属层中，而区域(B)构成在例如，介质材料、氧化物、氮化物、或氮氧化物(SiON)等膜层中。或者，区域(B)构成在金属层中，而区域(A)构成在例如，介质材料、氧化物、氮化物、或氮氧化物(SiON)等膜层中。两个相邻区域具有从芯片底层开始计算的不同高度。两个相邻区域具有从芯片底层开始计算的不同高度取决于区域形成在什么膜层中。膜层在芯片底层开始计算的本文档来自技高网...

【技术保护点】
测试半导体器件中的膜层厚度专用的新图形识别标记，其特征是，该图形识别标记构成为，用两个几何形状相同但面积不同的多边形按面心重叠方式重叠，并按对角线划分成多个区域，这些区域分成两种区域，即区域（Ａ）和区域（Ｂ），其中两个相邻的区域（Ａ）和区域（Ｂ）用不同的材料构成，两个相邻区域中的一个区域（Ａ）用金属构成，而另一个区域（Ｂ）用不同的材料构成，反之，两个相邻区域中的一个区域（Ｂ）用金属构成，而另一个区域（Ａ）用不同的材料构成，两个相邻区域（Ａ和Ｂ）的颜色不同，例如，其中的一个区域（Ａ）是白色，而另一个区域（Ｂ）是暗色，反之亦然，两个相邻区域构成在不同的膜层中，两个相邻区域具有从芯片底层开始计算的不同高度。

【技术特征摘要】
1.测试半导体器件中的膜层厚度专用的新图形识别标记，其特征是，该图形识别标记构成为，用两个几何形状相同但面积不同的多边形按面心重叠方式重叠，并按对角线划分成多个区域，这些区域分成两种区域，即区域(A)和区域(B)，其中两个相邻的区域(A)和区域(B)用不同的材料构成，两个相邻区域中的一个区域(A)用金属构成，而另一个区域(B)用不同的材料构成，反之，两个相邻区域中的一个区域(B)用金属构成，而另一个区域(A)用不同的材料构成，两个相邻区域(A和B)的颜色不同，例如，其中的一个区域(A)是白色，而另一个区域(B)是暗色，反之亦然，两个相邻区域构成在不同的膜层中，两个相邻区域具有从芯片底层开始计算的不同高度。2.按权利要求1的图形识别标记，其特征是，所述的两个几何形状相同但面积不同的图形是正方形，并按对角线划分成八个区域3.按权利要求1的图形识别标记，其特征是，所述的两个几何形状相同但面积不同的图形是矩形，并按对角线划分成八个区域。4.按权利要求1的图形识别标记，其特征是，所述的两个几何形状相同但面积不同的图形是六边形，并按对角线划分成十二个区域。5.按权利要求1的图形识别标记，其特征是，两个相邻区域(A和B)构成在不同的膜层中，即，区域(A)构成在金属层中，而区域(B)构成在例如，介质材料、氧化物、氮化物、或氮氧化物(SiON)等膜层中，或者，区域(B)构成在金属层中，而区域(A)构成在例如，介质材料、氧化物、氮化物、或氮氧化物(SiON)等膜层中。6.按权利要求2的图形识别标记，其特征是，两个相邻区域(A和B)构成在不同的膜层中，即，区域(A)构成在金属层中，而区域(B)构成在例如，介质材料、氧化物、氮化物、或氮氧化物(SiON)等膜层中，或者，区域(B)构成在金属层中，而区域(A)构成在例如，介质材料、氧化物、氮化物、或氮氧化物(SiON)等膜层中。7.按权利要求3的图形识别标记，其特征是，两个相邻区域(A和B)构成在不同的膜层中，即，区域(A)构成在金属层中，而区域(B)构成在例如，介质材料、氧化物、氮化物、或氮氧化物(SiON)等膜层中，或者，区域(B)构成在金属层中，而区域(A)构成在例如，介质材料、氧化物、氮化物、或氮氧化物(SiON)等膜层中。8.按权利要求4的图形识别标记，其特征是，两个相邻区域(A...

【专利技术属性】
技术研发人员：龚新军，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]