液晶显示器件及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种液晶显示器结构。该液晶显示器结构包括在基板上彼此交叉以限定像素区的栅线和数据线、与栅线和数据线相连的薄膜晶体管、在像素区中的滤色片图案、以及在像素区中的像素电极。像素电极在滤色片图案上方并且为包括透明层、不透明层和低反射层的堆叠结构。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种液晶显示(LCD)器件，特别涉及一种。
技术介绍
直到最近，显示器件通常使用阴极射线管(CRT)。近年来，人们致力于研究和开发用来代替CRT的各种类型的平板显示器件，例如液晶显示(LCD)器件、等离子体显示面板(PDP)、场致发射显示器(FED)以及电致发光显示器件(ELD)。在这些平板显示器件中，LCD器件具有很多优点，诸如分辨率高，重量轻，外形薄，尺寸小，以及功耗低等。LCD器件通常包括以分隔开并彼此相对的两个基板，液晶材料介于两个基板之间。所述两个基板包括彼此相对的电极，施加于电极之间的电压感应出穿过液晶材料的电场。液晶材料中液晶分子的排列根据感应电场的强度改变为感应电场的方向，由此改变LCD器件的光透射比。从而LCD器件通过改变感应电场的强度来显示图像。图1为根据现有技术的LCD器件的透视图。如图1所示，LCD器件11包括第一基板22、第二基板5和液晶材料14。第二基板5被称为滤色片基板，其包括滤色片图案8、在滤色片图案8之间的黑矩阵6、以及同时在滤色片图案8和黑矩阵6上的公共电极18。第一基板22被称为阵列基板，其包括彼此交叉以限定像素区“P”的数据线15和栅线13。像素电极17和作为开关元件的薄膜晶体管“T”位于各像素区“P”中。设置在靠近数据线15和栅线13的交叉点处的薄膜晶体管“T”在第一基板22上设置成矩阵形式。存储电极30与栅线13重叠，以限定存储电容器“C”。第一基板22和第二基板5具有可阻挡光的图案。第一基板22和第二基板5彼此对准并粘结在一起。由于第一基板22和第二基板5之间未对准可能会导致LCD器件漏光。因此，已经采用在阵列基板上形成滤色片图案的LCD器件。这样的LCD器件被称为晶体管上滤色片(COT)型LCD器件。图2为根据现有技术的COT型LCD器件的截面图。如图2所示，COT型LCD器件“LC”包括通过密封剂60粘结的第一基板30和第二基板70。栅线32和数据线(未示出)彼此交叉，以在第一基板30上限定像素区“P”。薄膜晶体管“T”包括栅极33、半导体图案38、以及源极40和漏极42。栅焊盘电极34和栅焊盘电极端子58设置在栅线32的一端。滤色片图案52a和52b设置在各像素区“P”中的钝化层50上。黑矩阵“BM”与薄膜晶体管“T”相对应。像素电极56设置在滤色片图案52a和52b上。光屏蔽图案72设置在第二基板70的周边部分。公共电极74设置在第二基板70上，以与像素电极56感应垂直电场。栅绝缘层36设置在栅极33和半导体图案38之间，并且连接到像素电极56的存储电极46与栅线36限定存储电容。在现有技术的COT型LCD器件中，由于滤色片图案和薄膜晶体管形成于同一基板上，不需要对粘结第一基板和第二基板时未对准进行的误差补偿余量。然而，由于现有技术的COT型LCD器件使用由垂直感应电场控制的扭曲向列(TN)液晶材料，视角受到限制，从而显示质量下降。
技术实现思路
因此，本专利技术的目的在于提供一种，能够基本上克服由于现有技术的局限和缺点所导致的一个或多个问题。本专利技术的一个目的在于提供一种液晶显示器件，其能够提供较宽范围的视角并改善显示质量。本专利技术的另一目的在于提供一种液晶显示器件的制造方法，其能够提供较宽范围的视角并改善显示质量。为了实现这些和其它优点，根据本专利技术的目的，如所具体和概括描述的，一种液晶显示结构包括在基板上彼此交叉以限定像素区的栅线和数据线；靠近栅线和数据线的交叉点处的薄膜晶体管；在像素区中的滤色片图案；在像素区中的像素电极和第一公共电极，像素电极和第一公共电极中的每一个电极具有透明层、不透明层以及低反射层；分别在栅线和数据线的末端部分的栅焊盘电极和数据焊盘电极，栅焊盘电极端子和数据焊盘电极端子中的每一个端子至少具有透明层。根据另一方面，一种制造液晶显示结构的方法包括在基板上形成栅线和在栅线末端部分的栅焊盘电极；形成与栅线交叉以限定像素区的数据线和在数据线末端的数据焊盘电极；形成靠近栅线和数据线的交叉点处的薄膜晶体管；在像素区中形成滤色片图案；以及在像素区中形成像素电极和第一公共电极，并在栅焊盘电极和数据焊盘电极上分别形成栅焊盘电极端子和数据焊盘电极端子，像素电极和第一公共电极中的每一个电极具有透明层、不透明层以及低反射层，栅焊盘电极端子和数据焊盘电极端子中的每一个端子至少具有透明层。根据另一方面，一种制造液晶显示结构的方法包括在第一基板上形成栅线和在栅线末端部分的栅焊盘电极；形成与栅线交叉以限定像素区的数据线和在数据线末端部分的数据焊盘电极；形成靠近栅线和数据线的交叉点处的薄膜晶体管；在像素区中形成滤色片图案；在像素区中形成像素电极和第一公共电极，并在栅焊盘电极和数据焊盘电极上分别形成栅焊盘电极端子和数据焊盘电极端子，像素电极、第一公共电极以及栅焊盘电极端子和数据焊盘电极端子中的每一个具有透明层、以及在透明层上的不透明层和低反射层，连接第一基板和第二基板，以便暴露栅焊盘电极端子和数据焊盘电极端子；以及除去每个栅焊盘电极端子和数据焊盘电极端子的不透明层和低反射层。从以下的详细描述中本专利技术可应用性的更大范围将变得更加明显。然而，应当理解，由于从详细描述中，在本专利技术精神和范围内的各种变型和修改对于本领域的技术人员将是显而易见的，因此指明本专利技术优选实施方式的详细描述和具体实施例仅仅是示例性的。附图说明从以下的详细描述和附图可以更加全面的理解本专利技术，附图仅是示例性的，因此不会限制本专利技术，其中图1为根据现有技术的LCD器件的透视图；图2为根据现有技术的COT型LCD器件的截面图； 图3为根据本专利技术第一具体实施方式的LCD结构的平面图；图4A到4D为分别沿图3中的III-III、IV-IV、V-V和VI-VI线提取的截面图，示出了用于形成根据本专利技术第一具体实施方式的LCD器件的第一和第二掩模工序；图5A到5D为分别沿图3中的III-III、IV-IV、V-V和VI-VI线提取的截面图，示出了用于形成根据本专利技术第一具体实施方式的LCD器件的第三掩模工序；图6A到6D为分别沿图3中的III-III、IV-IV、V-V和VI-VI线提取的截面图，示出了根据本专利技术第一具体实施方式的具有钝化层的LCD结构；图7A到7D为分别沿图3中的III-III、IV-IV、V-V和VI-VI线提取的截面图，示出了用于形成根据本专利技术第一具体实施方式的LCD器件的第四掩模工序；图8A到8D为分别沿图3中的III-III、IV-IV、V-V和VI-VI线提取的截面图，示出了用于形成根据本专利技术第一具体实施方式的LCD器件的第五掩模工序；图9A到9D为分别沿图3中的III-III、IV-IV、V-V和VI-VI线提取的截面图，示出了用于形成根据本专利技术第一具体实施方式的LCD器件的第六掩模工序；图10A到10D为分别沿图3中的III-III、IV-IV、V-V和VI-VI线提取的截面图，示出了用于形成根据本专利技术第一具体实施方式的LCD器件的第七掩模工序中；图11A到11D为分别沿图3中的III-III、IV-IV、V-V和VI-VI线提取的截面图，示出了用于形成根据本专利技术第一具体实施方式的LCD器件的第八掩模工序；图12A到12D为分别沿图3中的III-III、IV-IV、本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种液晶显示器结构，包括：　　　　在基板上相互交叉以限定像素区的栅线和数据线；　　　　与栅线和数据线相连的薄膜晶体管；　　　　在像素区中的滤色片图案；以及　　　　在像素区中的像素电极，该像素电极在滤色片图案上方，并且该像素电极为包括透明层、不透明层和低反射层的第一堆叠结构。

【技术特征摘要】
KR 2004-6-30 10-2004-00503321.一种液晶显示器结构，包括在基板上相互交叉以限定像素区的栅线和数据线；与栅线和数据线相连的薄膜晶体管；在像素区中的滤色片图案；以及在像素区中的像素电极，该像素电极在滤色片图案上方，并且该像素电极为包括透明层、不透明层和低反射层的第一堆叠结构。2.根据权利要求1所述的液晶显示器结构，其特征在于，所述像素电极具有第一直线部分和第二直线部分，在第一直线部分和第二直线部分的连接处形成斜角。3.根据权利要求1所述的液晶显示器结构，其特征在于，在像素区中进一步包括第一公共电极，该第一公共电极为包括透明层、不透明层和低反射层的第二堆叠结构。4.根据权利要求3所述的液晶显示器结构，其特征在于，所述第一公共电极是在滤色片图案上方。5.根据权利要求3所述的液晶显示器结构，其特征在于，所述第一公共电极具有第一直线部分和第二直线部分，在第一直线部分和第二直线部分的连接处形成斜角。6.根据权利要求3所述的液晶显示器结构，其特征在于，所述像素电极和第一公共电极共平面，以形成共平面电场。7.根据权利要求3所述的液晶显示器结构，其特征在于，所述第一公共电极从第一公共线伸出，该第一公共线和像素电极共平面。8.根据权利要求7所述的液晶显示器结构，其特征在于，所述第一公共线在薄膜晶体管和栅线的正上方。9.根据权利要求1所述的液晶显示器结构，其特征在于，进一步包括在基板上的第二公共电极；以及屏蔽部分，该屏蔽部分位于数据线和第二公共电极之间的区域上方，并覆盖该区域，以阻挡通过数据线和第二公共电极之间区域的光。10.根据权利要求9所述的液晶显示器结构，其特征在于，所述第二公共电极从第二公共线伸出，该第二公共线和栅线共平面。11.根据权利要求10所述的液晶显示器结构，其特征在于，进一步包括存储电容，该存储电容器包括从薄膜晶体管伸出的存储电极，该存储电极与像素电极相连，并且该存储电极和第二公共线为存储电容的两个电极。12.根据权利要求1所述的液晶显示器结构，其特征在于，所述透明层在第一堆叠结构的顶部。13.根据权利要求1所述的液晶显示器结构，其特征在于，所述透明层在第一堆叠结构的底部。14.根据权利要求13所述的液晶显示器结构，其特征在于，所述透明层的宽度比不透明层和低反射层的宽度要窄。15.根据权利要求13所述的液晶显示器结构，其特征在于，所述透明层的宽度比不透明层和低反射层的宽度要大。16.根据权利要求1所述的液晶显示器结构，其特征在于，进一步包括分别在栅线端部和数据线端部的栅焊盘电极和数据焊盘电极；以及分别在栅焊盘电极和数据焊盘电极上的栅焊盘电极端子和数据焊盘电极端子，各栅焊盘电极端子和数据焊盘电极端子至少具有透明层。17.根据权利要求16所述的液晶显示器结构，其特征在于，所述各栅焊盘电极端子和数据焊盘电极端子在透明层下进一步具有不透明层。18.根据权利要求1所述的液晶显示器结构，其特征在于，所述不透明层是由铝、铝合金、铜、钨、铬、钼和钛中的至少一种制造得到。19.根据权利要求1所述的液晶显示器结构，其特征在于，所述低反射层是由氧化铬制造得到。20.根据权利要求1所述的液晶显示器结构，其特征在于，所述透明层是由氧化铟锡和氧化铟锌中的至少一种制造得到。21.一种液晶显示器件，包括在下基板上相互交叉以限定像素区的栅线和数据线；与栅线和数据线相连的薄膜晶体管；在像素区中的滤色片图案；在像素区中的像素电极，该像素电极在滤色片图案上方，并且该像素电极为包括透明层、不透明层和低反射层的第一堆叠结构；上基板；以及在下基板和上基板之间的液晶材料。22.根据权利要求21所述的液晶显示器件，其特征在于，在像素区中进一步包括第一公共电极，该第一公共电极为包括透明层、不透明层和低反射层的第二堆叠结构。23.根据权利要求22所述的液晶显示器件，其特征在于，所述第一公共电极在滤色片图案上方。24.根据权利要求22所述的液晶显示器件，其特征在于，所述像素电极和第一公共电极共平面，以形成共平面电场。25.根据权利要求22所述的液晶显示器件，其特征在于，所述第一公共电极从第一公共线伸出，该第一公共线和像素电极共平面。26.根据权利要求25所述的液晶显示器件，其特征在于，所述第一公共线在薄膜晶体管和栅线的正上方。27.根据权利要求21所述的液晶显示器件，其特征在于，进一步包括在下基板上的第二公共电极；以及屏蔽部分，该屏蔽部分位于在数据线和第二公共电极之间的区域上方，并覆盖该区域，以阻挡通过数据...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴承烈，
申请(专利权)人：LG菲利浦LCD株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]