一种液晶显示器件及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种具有提高的孔径比的多晶硅液晶显示器件以及简化的制造方法。一种液晶显示器件包括：第一基板和第二基板；位于第一基板上的栅线；与栅线交叉以限定像素区的数据线；位于栅线和数据线交叉处附近的薄膜晶体管（ＴＦＴ），该ＴＦＴ具有栅极、源极和漏极；位于像素区中的像素电极，该像素电极具有在透明导电层上形成有金属层的双层结构；位于第二基板上的黑矩阵，该黑矩阵具有与像素电极和漏极部分重叠的孔径部分；以及位于第一基板和第二基板之间的液晶层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种显示器件，尤其涉及一种提高孔径比的多晶硅液晶显示器件及简化的制造方法。
技术介绍
通常，液晶显示器件(LCD)器件通过根据视频信号控制光透射率来显示图像，其包括在液晶面板中呈矩阵结构的多个液晶单元。在各液晶单元中，薄膜晶体管(TFT)用作开关器件以独立施加视频信号。该TFT的有源层通常由非晶硅或多结晶硅(多晶硅)形成。由于多晶硅的载流子迁移率比非晶硅的载流子迁移率快大约百倍，因此可以用多晶硅技术在LCD面板中集成高速驱动电路。多晶硅LCD器件通常包括设置有驱动电路的TFT基板和设置有滤色片的滤色片基板，并在其间设置有液晶。图1所示为根据现有技术在多晶硅LCD器件中部分TFT基板的平面图，而图2所示为沿图1中I-I’线提取的TFT基板的截面图。参照图1和图2，TFT基板包括连接到栅线2和数据线4的薄膜晶体管(TFF)30，以及连接到TFT 30的像素电极22。虽然NMOS-TFT或者PMOS-TFT可以用于TFT 30，但是下面说明采用NMOS-TFT的TFT 30。TFT 30具有连接到栅线2的栅极6、连接到数据线4的源极，和通过贯穿保护膜18的像素接触孔20连接到像素电极22的漏极10。栅极6覆盖设置在缓冲膜12上的有源层14的沟道区14C，在栅极6和有源层14的沟道区14C之间栅绝缘膜16。源极和漏极10以同样方式形成以用与栅极6之间的层间绝缘膜26与栅极6绝缘。此外，源极和漏极10分别通过贯穿层间绝缘膜26和栅绝缘膜16的源接触孔24S和漏接源孔分别与有源层14掺杂有n+杂质的源区14S和漏区14D接触。该多晶硅LCD器件的TFT基板可以通过如图3A到3F所示的六轮掩模工序制造。参照图3A，在下基板1上形成缓冲膜12，然后通过第一掩模工序在缓冲膜12上形成有源层14。通过在缓冲膜12沉积非晶硅层再应用激光将其结晶为多晶硅层并其后利用第一掩模通过光刻工序和蚀刻工序对其进行构图而形成有源层14。参照图3B，在设置有有源层14的缓冲膜12上形成栅绝缘膜16，然后通过第二掩模工序在其上形成栅线2和栅极6。然后采用栅极6作为掩模向有源层14的非重叠区中掺杂n+杂质，从而形成有源区14的源区14S和漏区14D。参照图3C，在设置有栅线2和栅极6的栅绝缘膜16上形成层间绝缘膜26，然后通过第三掩模工序形成贯穿层间绝缘膜26和栅绝缘膜16的源接触孔24S和源接触孔24D。参照图3D，通过第四掩模工序在层间绝缘膜26上形成包括源极和漏极10的数据线4。参照图3E，在设置有数据线4和漏极10的层间绝缘膜26上形成保护膜18，然后通过第五掩模工序形成贯穿保护膜18的像素接触孔20以暴露出漏极10。参照图3F，通过第六掩模工序在保护膜18上形成透明像素电极22。如上所述，通过六轮掩模工序形成现有技术的TFT基板。由于每一掩模工序包括诸如沉积、清洁、光刻、蚀刻、光刻胶剥离和检查等的许多子工序，因此制造工序复杂并且制造成本高。
技术实现思路
因此，本专利技术提供了一种多晶硅液晶显示器件及其制造方法，其可以基本上避免由于现有技术的限制和缺点所引起的一个或多个问题。本专利技术的优点是提供一种具有提高的孔径比的多晶硅液晶显示器件以及简化的制造方法。本专利技术的其他特性与优点将在下列描述中阐明，部分内容可以通过描述显而易见地得出，或者通过本专利技术的实践来获知。本专利技术的目的和其他优点将通过书面描述和声明所阐述的结构以及附图得以认识和获得。根据本专利技术的目的，为了达到上述以及其他优点，依照具体和广泛的描述，本专利技术提供了一种液晶显示器件包括第一基板和第二基板；位于第一基板上的栅线；与栅线交叉以限定像素区的数据线；位于栅线和数据线交叉处附近的薄膜晶体管(TFT)，该TFT具有栅极、源极和漏极；位于像素区中的像素电极，该像素电极具有在透明导电层上形成有金属层的双层结构；位于第二基板上的黑矩阵，该黑矩阵具有与像素电极和漏极部分重叠的孔径部分；以及位于第一基板和第二基板之间的液晶层。根据本专利技术另一方面，一种液晶显示器件的制造方法包括提供第一基板和第二基板；在第一基板上形成栅线；形成与栅线交叉以限定像素区的数据线；在栅线和数据线交叉处附近形成薄膜晶体管(TFT)，该TFT具有栅极、源极和漏极；在像素区中形成像素电极，该像素电极具有在透明导电层上形成有金属层的双层结构；在第二基板上形成黑矩阵，该黑矩阵具有与像素电极和漏极部分重叠的孔径部分；以及在第一基板和第二基板之间形成液晶层。根据本专利技术再一方面，一种液晶显示器件的制造方法包括提供第一基板和第二基板；在第一基板上形成缓冲层；在缓冲层上形成第一有源层和第二有源层；在第一有源层和第二有源层上形成第一绝缘膜；形成包括栅极、栅线、存储线和像素电极的第一导电图案，该第一导电图案具有第一在透明导电层上形成有金属层的双层结构；在第一导电图案上形成第二绝缘膜；形成暴露出第一有源层的源区和漏区的源接触孔和漏接触孔；以及形成暴露出像素电极的透明导电层的传输孔；在第二绝缘膜上形成数据线、源极和漏极；在第二基板上形成黑矩阵，该黑矩阵具有与像素电极和漏极部分重叠的孔径部分。应理解前面的概括描述和下面的详细说明都仅是示例性和说明性的，意欲提供对权利要求所限定的本专利技术进一步的说明。附图说明本专利技术提供的附图用于帮助对本专利技术的进一步理解，构成了本说明书的一部分，说明本专利技术的实施方式，与文字描述内容一起用于本专利技术原理的阐述。在附图中图1所示为根据现有技术在多晶硅LCD器件中的部分TFT基板的平面图；图2所示为沿图1中I-I’线提取的TFT基板的截面图； 图3A到3F所示为说明图2所示薄膜晶体管基板的制造方法的截面图；图4所示为根据本专利技术第一实施方法的多晶硅液晶显示器件中的部分TFT基板的平面图；图5所示为沿图4中II-II’线提取的TFT基板的截面图；图6A到6D所示为说明图5所示薄膜晶体管基板的制造方法的截面图；图7所示为将第一实施方式的TFT基板170粘接到滤色片基板的组装工序的平面图；图8所示为根据本专利技术第二实施方式的多晶硅液晶显示器件中的部分TFF基板的平面图；图9所示为沿图8中III-III’线提取的TFT基板的截面图；图10A和图10B所示分别为根据本专利技术第二实施方式的薄膜晶体管制造方法中第一掩模工序中的平面图和截面图；图11A和图11B所示分别为根据本专利技术第二实施方式的薄膜晶体管制造方法中第二掩模工序中的平面图和截面图；图12A和图12B所示分别为根据本专利技术第二实施方式的薄膜晶体管制造方法中第三掩模工序中的平面图和截面图；图13A和图13B所示分别为根据本专利技术第二实施方式的薄膜晶体管制造方法中第四掩模工序中的平面图和截面图；图14所示为将第二实施方式的TFT基板270粘接到滤色片基板的组装工序的平面图；以及图15所示为根据本专利技术第三实施方式的多晶硅液晶显示器件中的部分TFF基板和组装工序的平面图。具体实施例方式现在，详细说明本专利技术的各种优选实施方式，其实施例示出在附图中。图4所示为根据本专利技术第一实施方式的多晶硅液晶显示器件中的部分TFT基板的平面图；以及图5所示为沿图4中II-II’线提取的TFT基板的截面图。参照图4和图5，薄膜晶体管(TFT)基板170包括栅线102、数据线104、连接到栅线102和数本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种液晶显示器件，包括：　　　　第一基板和第二基板；　　　　位于所述第一基板上的栅线；　　　　与所述栅线交叉以限定像素区的数据线；　　　　位于所述栅线和数据线交叉处附近的薄膜晶体管（ＴＦＴ），所述薄膜晶体管具有栅极、源极和漏极；　　　　位于所述像素区中的像素电极，所述像素电极具有在透明导电层上形成有金属层的双层结构；　　　　位于所述第二基板上的黑矩阵，所述黑矩阵具有与所述像素电极和漏极部分重叠的孔径部分；以及　　　　位于所述第一基板和第二基板之间的液晶层。

【技术特征摘要】
KR 2004-11-12 10-2004-00926811.一种液晶显示器件，包括第一基板和第二基板；位于所述第一基板上的栅线；与所述栅线交叉以限定像素区的数据线；位于所述栅线和数据线交叉处附近的薄膜晶体管(TFT)，所述薄膜晶体管具有栅极、源极和漏极；位于所述像素区中的像素电极，所述像素电极具有在透明导电层上形成有金属层的双层结构；位于所述第二基板上的黑矩阵，所述黑矩阵具有与所述像素电极和漏极部分重叠的孔径部分；以及位于所述第一基板和第二基板之间的液晶层。2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述栅线和连接到所述栅线的所述栅极具有双层结构。3.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，还包括与所述栅线平行的存储线。4.根据权利要求3所述的器件，其特征在于，所述存储线具有所述双层结构。5.根据权利要求3所述的器件，其特征在于，漏极沿所述存储线形成并且靠近两侧的数据线。6.根据权利要求3所述的器件，其特征在于，所述漏极围绕靠近所述存储线的部分像素电极。7.根据权利要求6所述的器件，其特征在于，所述漏极与黑矩阵的孔径部分以及所述存储线和像素电极之间的重叠部分重叠。8.根据权利要求7所述的器件，其特征在于，所述漏极中与所述黑矩阵的孔径部分重叠的部分反射光。9.根据权利要求3所述的器件，其特征在于，所述漏极跨越所述存储线连接到所述像素电极。10.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，还包括位于所述栅线和数据线之间的绝缘膜。11.根据权利要求10所述的器件，其特征在于，所述像素电极通过贯穿所述绝缘膜的传输孔被暴露出来。12.根据权利要求11所述的器件，其特征在于，所述像素电极的金属层围绕所述传输孔的周围。13.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，还包括位于所述源极和漏极之间的第一有源层。14.根据权利要求13所述的器件，其特征在于，还包括重叠在从所述第一有源层延伸出的第二有源层和所述存储线之间的第一存储电容。15.根据权利要求14所述的器件，其特征在于，还包括重叠在所述漏极和存储线之间的第二存储电容。16.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述黑矩阵还包括跨越所述孔径部分的桥。17.根据权利要求16所述的器件，其特征在于，所述桥覆盖所述漏极的台阶部分。18.根据权利要求16所述的器件，其特征在于，所述桥防止在所述漏极的台阶部分漏光。19.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述黑矩阵的孔径部分形成在所述像素电极的第一边界的外部并且在所述像素电极的第二边界的内部。20.一种液晶显示器件的制造方法，包括提供第一基板和第二基板；在第一基板上形成栅线；形成与栅线交叉以限定像素区的数据线；在栅线和数据线交叉处附近形成薄膜晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴容仁，
申请(专利权)人：LG菲利浦LCD株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]