【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及液晶显示LCD器件,更具体地,涉及一种LCD器件及其制造方法,其通过减少处理时间来提高产量。
技术介绍
近来,已经进行了努力,来研究和开发各种类型的平板显示装置,例如,液晶显示器(LCD)、等离子体显示板(PDP)、电致发光显示器(ELD)、以及真空荧光显示器(VFD)。某些类型的平板显示装置已用作各种应用中的显示器。在这些类型的平板显示装置当中,液晶显示(LCD)装置由于其外形薄、重量轻以及能耗低的优点而使用最为广泛,由此LCD装置取代了阴极射线管(CRT)。除了诸如笔记本电脑显示器的移动型LCD装置以外,还为计算机监视器和电视机开发了LCD装置,以接收和显示广播信号。尽管LCD技术中的各种技术开发已在不同领域中得到应用,但是与LCD器件的其它特征和优点相比,在某些方面,缺乏对提高LCD器件的图像质量的研究。为了在多个领域中作为通用显示器而使用LCD器件,开发LCD器件的关键取决于LCD器件是否能够使用大尺寸的屏幕实现高质量的图像,例如高分辨率和高亮度,同时仍然保持重量轻、外形薄以及低能耗。通常,LCD器件包括LCD板,用于显示画面图像;以及驱 ...
【技术保护点】
一种液晶显示器件,其包括:基本相互垂直地形成在基板上并限定单元像素区域的多条选通线和多条数据线;形成在所述选通线和数据线的交叉点处的薄膜晶体管;形成在所述选通线、所述数据线以及所述薄膜晶体管上的有源层;形成在 栅极绝缘层的不包括所述选通线、所述数据线以及所述薄膜晶体管的部分上的有机树脂;形成在所述基板的包括所述薄膜晶体管在内的整个表面上的钝化层;以及形成在所述单元像素区域中的像素电极,该像素电极与所述薄膜晶体管的漏极相连。
【技术特征摘要】
KR 2005-5-6 10-2005-00378741.一种液晶显示器件,其包括基本相互垂直地形成在基板上并限定单元像素区域的多条选通线和多条数据线;形成在所述选通线和数据线的交叉点处的薄膜晶体管;形成在所述选通线、所述数据线以及所述薄膜晶体管上的有源层;形成在栅极绝缘层的不包括所述选通线、所述数据线以及所述薄膜晶体管的部分上的有机树脂;形成在所述基板的包括所述薄膜晶体管在内的整个表面上的钝化层;以及形成在所述单元像素区域中的像素电极,该像素电极与所述薄膜晶体管的漏极相连。2.根据权利要求1所述的液晶显示器件,其中,位于所述选通线上方并与所述选通线绝缘、与所述数据线相邻的所述有源层被选择性地去除。3.根据权利要求1所述的液晶显示器件,其中,所述薄膜晶体管包括从所述选通线突出的栅极;形成在所述基板的整个表面上的所述栅极绝缘层;从所述数据线突出并与所述栅极的一端交叠的源极;与所述栅极的另一端交叠并被形成为与所述源极具有预定间隔的所述漏极;以及形成在所述栅极、所述源极以及所述漏极上的所述有源层。4.根据权利要求1所述的液晶显示器件,其中,所述有源层由悬浮在预定液体中的有机半导体材料和纳米半导体材料形成。5.根据权利要求4所述的液晶显示器件,其中,所述有机半导体材料包括并五苯。6.根据权利要求1所述的液晶显示器件,还包括形成在前一选通线上方的栅极绝缘层上的第一存储电极;以及形成在所述漏极和所述第一存储电极的预定部分中的第一接触孔和第二接触孔。7.根据权利要求6所述的液晶显示器件,还包括通过将所述像素电极延伸到所述前一选通线而形成的第二存储电极,其中该第二存储电极通过所述第二接触孔与所述第一存储电极相连。8.根据权利要求7所述的液晶显示器件,其中,所述像素电极和所述第二存储电极由具有高的光透射率的透明导电金属形成。9.根据权利要求8所述的液晶显示器件,其中,所述透明导电金属包括铟锡氧化物ITO、氧化锡TO、铟锌氧化物IZO或者铟锡锌氧化物ITZO中的一种。10.根据权利要求1所述的液晶显示器件,其中,所述有机树脂具有绝缘特性,其中所述...
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