半导体器件及其制造方法技术

提供一种含Ａｌ金属膜上的抗反射膜和导电栓塞之间的接触性能优异的半导体器件以及导电栓塞，具有良好的制造稳定性。该半导体器件包括半导体衬底、绝缘中间层（１０１）以及多层结构。绝缘中间层（１０１）形成在半导体衬底的上部分中。多层结构设置在绝缘中间层（１０１）上。在多层结构上顺序地形成Ｔｉ膜（１０５）、ＴｉＮ膜（１０７）、ＡｌＣｕ膜（１０９）、Ｔｉ膜（１１１）、ＴｉＮ膜（１１３）以及刻蚀调整膜（１１５）。该半导体器件包括绝缘中间层（１０３）和导电栓塞。绝缘中间层（１０３）设置在绝缘中间层（１０１）和多层结构上。导电栓塞贯穿绝缘中间层（１０３）和刻蚀调整膜（１１５），以及导电栓塞的端面位于ＴｉＮ膜（１１３）中。导电栓塞包括Ｔｉ膜（１１７）、ＴｉＮ膜（１１９）和Ｗ膜（１２１）。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及。
技术介绍
例如，在日本特许-公开号2002-190520和2000-235973中公开了制造半导体器件的常规方法。在制造半导体器件的上述常规方法中，在铝互连上设置抗反射膜，铝互连是下层，在抗反射膜上形成等离子体氮化物膜，等离子体氮化物膜在刻蚀过程中用作停止层，以及在等离子体氮化物膜上形成层间膜，层间膜是绝缘膜。当在绝缘膜中形成通孔时，在可以保证绝缘膜和等离子体氮化物膜之间的刻蚀选择率的条件下执行第一刻蚀。然后，在第二刻蚀中过刻蚀等离子体氮化物膜，以制造通过其露出抗反射膜的通孔。在日本特许-公开号2002-319620中公开了常规半导体器件的例子。图8是用于解释制造日本特许-公开号2002-319620中所示的接触孔的方法的示图。在制造接触孔的方法中，通过使用抗蚀剂34作为掩模执行干法刻蚀，由此在硅衬底22的表面上形成的下扩散层24上的厚绝缘中间层32中制成接触孔38，同时在氧化物层30上形成的下互连层26上的薄绝缘中间层32中制成接触孔36。尽管在制造接触孔38中，仅仅绝缘中间层32被刻蚀，但是在制造接触孔36中，绝缘中间层32和刻蚀延迟层28被刻蚀。然后，除去本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：　　　　半导体衬底；　　　　设置所述半导体衬底的上部分中的多层结构，其中顺序地叠层含铝的金属膜、抗反射膜和刻蚀调整膜；　　　　设置在所述多层结构上的绝缘中间层；以及　　　　贯穿所述绝缘中间层和所述刻蚀调整膜的导电栓塞，导电栓塞的端面位于所述抗反射膜中。

【技术特征摘要】
JP 2004-9-29 2004-2836061.一种半导体器件，包括半导体衬底；设置所述半导体衬底的上部分中的多层结构，其中顺序地叠层含铝的金属膜、抗反射膜和刻蚀调整膜；设置在所述多层结构上的绝缘中间层；以及贯穿所述绝缘中间层和所述刻蚀调整膜的导电栓塞，导电栓塞的端面位于所述抗反射膜中。2.根据权利要求1的半导体器件，其中从所述抗反射膜的上表面至所述导电栓塞的端面的深度范围为所述抗反射膜的薄膜厚度的1/10或以上和9/10或以下。3.根据权利要求1的半导体器件，其中所述刻蚀调整膜是SiON膜。4.根据权利要求1的半导体器件，其中多个所述多层结构被设置在相同的水平面中，以及多个所述多层结构中包括的多个所述刻蚀调整膜由在相同工序中形成的薄膜构成。5.根据权利要求1的半导体器件，其中所述刻蚀调整膜被设置在所述含铝金属膜的侧表面和所述抗反射膜的侧表面上。6.根据权利要求1的半导体器件，还包括通过与所述绝缘中间层中的所述导电栓塞相同的工序形成的第二导电栓塞，其中所述导电栓塞和所述第二导电栓塞彼此长度不同。...

【专利技术属性】
技术研发人员：盛一正成，小西纲一，
申请(专利权)人：恩益禧电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]