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半导体器件及其制造方法技术
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文档序号:3196163
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提供一种含Al金属膜上的抗反射膜和导电栓塞之间的接触性能优异的半导体器件以及导电栓塞,具有良好的制造稳定性。该半导体器件包括半导体衬底、绝缘中间层(101)以及多层结构。绝缘中间层(101)形成在半导体衬底的上部分中。多层结构设置在绝缘中间...
该专利属于恩益禧电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过恩益禧电子股份有限公司授权不得商用。
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