薄膜晶体管、薄膜晶体管及像素结构之制造方法技术

一种薄膜晶体管、薄膜晶体管与像素结构之制造方法，此薄膜晶体管的制造方法是先在基板上形成栅极。接着，在基板上形成栅绝缘层以覆盖栅极。继之，在栅绝缘层上形成源极／漏极层，且源极／漏极层暴露出栅极上方之部分栅绝缘层。之后，在栅极上方之栅绝缘层上形成通道层。由于此方法是先形成源极／漏极层再形成通道层，因此可避免通道层在形成源极／漏极层之过程中因过度蚀刻而受到损坏，以提升薄膜晶体管与像素结构的制造合格率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体元件及其制造方法，且特别涉及一种薄膜晶体管及其制造方法以及像素结构之制造方法。
技术介绍
显示器为人与信息的沟通接口，目前以平面显示器为发展之趋势。平面显示器主要有以下几种有机电致发光显示器(OrganicElectro-Luminescence Display，OELD)、等离子显示器(Plasma DisplayPanel，PDP)以及薄膜晶体管液晶显示器等(Thin Film Transistor LiquidCrystal Display，TFT-LCD)。其中，又以薄膜晶体管液晶显示器的应用最为广泛。薄膜晶体管液晶显示器主要由薄膜晶体管数组基板、彩色滤光数组基板和液晶层所构成，其中薄膜晶体管数组基板是由多个以数组方式排列的像素单元(pixel unit)所组成。其中，每一像素单元由薄膜晶体管以及与薄膜晶体管电连接之资料线、扫描线及像素电极(pixel electrode)所组成。上述之薄膜晶体管包括栅极、通道层、源极/漏极，且薄膜晶体管用来作为像素单元(pixel unit)的开关组件。图1A～1E为一种公知的薄膜晶体管的制造流程剖面示意图。请参本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管的制造方法，其特征是包括：在基板上形成栅极；在该基板上形成栅绝缘层以覆盖该栅极；在该栅绝缘层上形成源极／漏极层，该源极／漏极层暴露出该栅极上方之部分该栅绝缘层；以及在该栅极上方之部分该栅绝缘层上 形成通道层。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征是包括在基板上形成栅极；在该基板上形成栅绝缘层以覆盖该栅极；在该栅绝缘层上形成源极/漏极层，该源极/漏极层暴露出该栅极上方之部分该栅绝缘层；以及在该栅极上方之部分该栅绝缘层上形成通道层。2.根据权利要求1所述之薄膜晶体管的制造方法，其特征是形成该源极/漏极层的步骤包括在该栅绝缘层上形成奥姆接触层，且该奥姆接触层暴露出该栅极上方之部分该栅绝缘层；以及在该奥姆接触层上形成源极/漏极导体层。3.根据权利要求2所述之薄膜晶体管的制造方法，其特征是形成该源极/漏极层的步骤包括依序在该栅绝缘层上形成奥姆接触材料层以及导体材料层；以及依序图案化该导体材料层及该奥姆接触材料层，以暴露出该栅极上方之部分该栅绝缘层。4.根据权利要求3所述之薄膜晶体管的制造方法，其特征是图案化该奥姆接触材料层的方法包括湿式蚀刻或干式蚀刻。5.根据权利要求3所述之薄膜晶体管的制造方法，其特征是图案化该导体材料层的方法包括湿式蚀刻或干式蚀刻。6.根据权利要求1所述之薄膜晶体管的制造方法，其特征是该栅绝缘层之材质包括氮化硅或氧化硅。7.根据权利要求1所述之薄膜晶体管的制造方法，其特征是该信道层之材质包括非晶硅或多晶硅。8.一种薄膜晶体管，其特征是包括栅极，设置在基板上；栅绝缘层，设置于该基板上，该栅绝缘层覆盖该栅极；源极/漏极层，设置于该栅绝缘层上，且该源极/漏极层暴露出该栅极上方之部分该栅绝缘层；以及通道层，设置于该栅极上方之部分该栅绝缘层上。9.根据权利要求8所述之薄膜晶体管，其特征是该源极/漏极层包括奥姆接触层，设置于该栅绝缘层上，且该奥姆接触层暴露出该栅极上方之部分该栅绝缘层；以及源极/漏极导体层，设置于该奥姆接触层上。10.根据权利要求8所述之薄膜晶体管，其特征是该栅绝缘层之材质包括氮化硅或氧化硅。11.根据权利要求8所述之薄膜晶体管，其特征是该信道层之材质包括非晶硅或多晶硅。12.一种像素结构的制造方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈俊宏，李育舟，
申请(专利权)人：中华映管股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]