【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术是有关于一种半导体组件的制造与制程控制，特别是制程品质与一致性的监测。
技术介绍
制造通孔(hole)是半导体组件制备中常见的步骤之一。通孔主要用于穿越已铺设的非导电性(介电)层，如氧化物层，以电性连接半导体或金属层。为产生通孔，需要先将一层光阻材料沉积于晶片表面。光阻材料被暴露于一定图案的可见光或紫外线照射下，硬化并显影以于晶片上形成可对应该通孔位置的“掩膜”。接下来，将晶片传送至蚀刻站，以形成一可穿过介电层并到达其下方半导体层或金属层的通孔。再移除光阻掩膜，并以金属充填该通孔。相似的掩膜及蚀刻制程亦被应用来形成沟槽或介层孔(via)。为确保组件效能一致，必须在穿越晶片表面的各个位置严格控制接触开口的深度、宽度及底部表面(在本专利申请的下文中，「通孔」代表前述所有各类型结构，包括接触开口、介层孔及沟槽)。在晶片一位置上或整个晶片表面上该接触开口尺寸的偏差，可能造成接触阻抗的变化。如果这种变化过大，则会影响组件的性能，从而造成制程合格率的损失。因此必须严格监测和控制制造流程，不仅为检测个别组件上接触开口形成时的偏差，并且还为了监测穿过晶片表面的不一致...
【技术保护点】
一种用于检测晶片的方法，其包括以下步骤：接收一样本，该样本具有一至少部分导电的第一层，以及形成于该第一层上方的第二介电层，接着在该第二层内生成接触开口；导引一荷电粒子高电流束以同时照射分布在该样品一区域上多个位置处的大量的接 触开口；测量流过该第一层的样品电流，以响应在该多个位置处大量的接触开口上的照射；以及提供一可代表该至少一缺陷通孔的指示，以响应该测量结果。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2003-6-10 60/477,6111.一种用于检测晶片的方法，其包括以下步骤接收一样本，该样本具有一至少部分导电的第一层，以及形成于该第一层上方的第二介电层，接着在该第二层内生成接触开口；导引一荷电粒子高电流束以同时照射分布在该样品一区域上多个位置处的大量的接触开口；测量流过该第一层的样品电流，以响应在该多个位置处大量的接触开口上的照射；以及提供一可代表该至少一缺陷通孔的指示，以响应该测量结果。2.如权利要求1所述的方法，其中该大量的通孔数目超过100个。3.如权利要求1所述的方法，其中该导引与测量步骤以非常高的重复频率重复。4.如权利要求1所述的方法，其中该高电流束的特点在于具有一较大的横剖面，该导引步骤包括偏差补偿。5.如权利要求4所述的方法，其中该高电流束包括在相对于该高电流束光轴的一较大的角度范围内所发射出来的电子。6.如权利要求1所述的方法，其中该补偿步骤包括沿着一长磁透镜传播该高电流束。7.如权利要求1所述的方法，其更包括测量自样品发射的二次电子电流，以响应该高电流束，其中该指示更可响应所测量的该二次电子电流。8.如权利要求1所述的方法，其中在该提供指示的步骤之后，是定位该至少一缺陷通孔的步骤。9.如权利要求8所述的方法，其中该定位步骤包括导引一高分辨率束朝向该至少一缺陷通孔。10.如权利要求1所述的方法，其中该接触开口包括数个通孔。11.如权利要求1所述的方法，其中该接触开口包括数个沟槽。12.如权利要求1所述的方法，其中不同导引期间的区域是互相重叠。13.如权利要求1所述的方法，其重复导引与提供的步骤以照射该晶片的多个区域。14.如权利要求1所述的方法，其更包括估计与该高电流束相关的一信噪比(signal to noise ratio)，并据此改变该高电流束至少一特性的步骤。15.如权利要求14所述的方法，其中该至少一特性从以下组合中选取束电流与射点大小。16.一种用于检测晶片检测的设备，其包括一电子束源，适用于导引一荷电粒子高电流束以同时照射分布在一样品一区域上多个位置处的大量的接触开口；该样本具有一至少部分导电的第一层，以及形成于该第一层上方的第二介电层，接着在该第二层内生成接触开口；一电流的测量装置，适用于测量流过该第一层的样品电流，以响应在该多个位置处大量的接触开口上的照射；以及一控制器，提供一可代表该至少一缺陷通孔的指示，以响应该测量结果。17.如权利要求16所述的设备，其更包括一种二次电子探测器，其适于测量自该样品发射的二次电子电流，以响应该电子束，其中该控制器还适于生成一用于表示该二次电子电流与该样品电流的测绘图。18.如权利要求16所述的设备，其中该大量的通孔数目超过100个。19.如权利要求16所述的设备，其更适于以非常...
【专利技术属性】
技术研发人员：亚历山大卡迪舍维奇，迪米特里舍尔，克里斯托弗塔尔伯特，
申请(专利权)人：应用材料以色列公司，
类型：发明
国别省市：IL[以色列]
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