独立式静电掺杂碳纳米管器件及其制造方法技术

一种用于形成独立式静电掺杂碳纳米管器件的方法和相关联的结构。所述方法包括将碳纳米管设置在基底上以便具有独立部分。形成所述碳纳米管的独立部分的一种方式是去除所述基底的一部分。形成所述碳纳米管的独立部分的另一种方式是将一对金属电极设置在第一基底部分上、去除所述第一基底部分与所述金属电极接近的部分以及将第二基底部分一致地设置在所述第一基底部分上以形成沟槽。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术主要涉及纳米
更具体而言，本专利技术涉及一种用于形成独立式静电掺杂碳纳米管器件的方法和相关联的结构。
技术介绍
碳纳米管由于其具有用作纳米级电子器件如二极管、晶体管和半导体电路的可能性而因此近年来已经吸引了大量注意。在结构上，碳纳米管类似于卷成圆筒的碳的六方晶格且可能属于两个品种，即单壁品种和多壁品种，中的一种。这些品种中的任一种可根据其手性(即构象几何)整体或部分地呈现出金属材料或半导体材料行为。呈现出半导体材料行为的碳纳米管通常使用多种化学方法进行掺杂。换句话说，使用不同的化学品以在碳纳米管中形成p型(空穴多数载流子)区域和n型(电子多数载流子)区域。这导致产生P-N结，当施加适当电压时，所述P-N结发出光线(在发光二极管(“LED”)的情况下)。然而，对碳纳米管进行掺杂的化学方法受到p型区域和n型区域通常不精确定性从而导致纳米级电子器件性能特征减弱的问题的困扰。因此，所需要的是一种用于形成静电掺杂碳纳米管的方法和相关联的结构，所述静电掺杂碳纳米管具有精确定性的p型区域和n型区域且允许形成具有增强的性能特征的纳米级电子器件如光电二极管、光电探测器、光生伏打器本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种静电掺杂碳纳米管器件（１１０），包括碳纳米管（１１２），所述碳纳米管被设置在基底（２２）上以使得至少一部分所述碳纳米管是独立的。

【技术特征摘要】
US 2005-2-18 11/0606671.一种静电掺杂碳纳米管器件(110)，包括碳纳米管(112)，所述碳纳米管被设置在基底(22)上以使得至少一部分所述碳纳米管是独立的。2.根据权利要求1所述的静电掺杂碳纳米管器件，其中所述基底包括沟槽(128)。3.根据权利要求1所述的静电掺杂碳纳米管器件，其中所述碳纳米管具有第一端(114)和第二端(116)，所述器件进一步包括直接设置在接近所述碳纳米管的所述第一端的位置处的第一金属触点(18)；和直接设置在接近所述碳纳米管的所述第二端的位置处的第二金属触点(20)，其中所述碳纳米管被电耦接至所述第一和第二金属触点。4.根据权利要求3所述的静电掺杂碳纳米管器件，进一步包括设置在所述基底中且接近所述碳纳米管的所述第一端且与其相隔一定距离的第一金属电极(24)，其中所述第一金属电极被电容性地耦接至所述碳纳米管的所述第一端且可操作以接收第一偏压以对所述碳纳米管的所述第一端进行静电掺杂；...

【专利技术属性】
技术研发人员：JU李，
申请(专利权)人：通用电气公司，
类型：发明
国别省市：US[]