一种晶圆化学镀前处理方法技术

技术编号:31923275 阅读:15 留言:0更新日期:2022-01-15 13:07
本发明专利技术涉及一种晶圆化学镀前处理方法,包括首先将表面完成电镀钯金属的晶圆放置于载具内,然后将载具放置超声波清洗机上的清洗槽内;在超声波清洗机上的清洗槽内注入清水,此时清水的高度高于载具的高度,清水的量具体为60到80升;然后超声波清洗机开始工作对晶圆进行清洗,在此过程中保持1到2分钟的清洗时间;最后清洗结束后将晶圆搬运到指定位置处。本发明专利技术提供一种晶圆化学镀前处理方法,提高了活化前晶圆的清洁度,提高了后期度镍金属层均匀性。性。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆化学镀前处理方法


[0001]本专利技术涉及活化前处理领域,具体涉及一种晶圆化学镀前处理方法。

技术介绍

[0002]在生产过程中需要在晶圆上化镀一层镍金属,在化镀镍金属之前需要对晶圆进行活化处理,活化处理就是在晶圆的铜金属分布的表面上再次镀一层钯金属用于增加铜金属表面的活化程度,提高化镀镍金属时的活化程度。
[0003]在活化过程中由于部分钯金属化镀在铜金属线路上和两个铜金属线路之间,形成不规则的钯金属镀层,在活化后化镀镍金属的过程中化镀液内的镍离子会化镀在不规则的钯金属化镀层的外侧,造成晶圆上镍金属的分布不均匀,并且活化后会有部分活化药水残留,从而产生镀镍异常,现在急需要解决这一问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的是:提供一种晶圆化学镀前处理方法,解决以上问题。
[0005]为了实现上述目的,本专利技术提供如下的技术方案:
[0006]一种晶圆化学镀前处理方法,其特征在于:其制作方法为:
[0007]a)首先将钯金属镀在晶圆的表面上,此时晶圆表面残留部分药水;
[0008]b)先将表面完成镀钯金属的晶圆放置于载具内,然后将载具放置超声波清洗机上的清洗槽内,所述载具与超声波清洗机的清洗槽侧壁分离;
[0009]c)在超声波清洗机上的清洗槽内注入清水,此时清水的高度高于载具的高度,载具上的晶圆淹没在清洗槽内的清水中,清水的量具体为60到80升;
[0010]d)然后超声波清洗机开始工作对晶圆进行清洗,在此过程中保持1到2分钟的清洗时间;
[0011]e)最后清洗结束后将晶圆搬运到指定位置处;
[0012]f)完成晶圆化学镀前处理。
[0013]进一步的,所述载具在所述超声波清洗机上的清洗槽内清洗的过程中,始终与清洗槽的侧壁保持间距,所述钯金属通过化学镀镀在晶圆表面。
[0014]进一步的,所述清水具体为常温状态,所述超声波清洗机的功率具体为1KW。
[0015]进一步的,所述超声波清洗机工作时的频率具体为40KHz。
[0016]本专利技术的有益效果为:提供一种晶圆化学镀前处理方法,通过使用超声波清洗机对活化后的晶圆进行清洁,实现确保活化后可以在晶圆上均匀的镀镍金属的效果,清洁了残留的活化药水,提高了活化前晶圆的清洁度,提高了后期度镍金属层均匀性,避免了产生镀镍异常。
具体实施方式
[0017]为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下对本专利技术作进一步的
详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅用以解释本专利技术,并不用于限定本专利技术。
[0018]一种晶圆化学镀前处理方法,其特征在于:其制作方法为:
[0019]a)首先将钯金属镀在晶圆的表面上,此时晶圆表面残留部分药水;
[0020]b)先将表面完成镀钯金属的晶圆放置于载具内,然后将载具放置超声波清洗机上的清洗槽内,所述载具与超声波清洗机的清洗槽侧壁分离;
[0021]c)在超声波清洗机上的清洗槽内注入清水,此时清水的高度高于载具的高度,载具上的晶圆淹没在清洗槽内的清水中,清水的量具体为60到80升,用于确保超声波清洗达到预期效果;
[0022]d)然后超声波清洗机开始工作对晶圆进行清洗,在此过程中保持1到2分钟的清洗时间,用于确保超声波清洗达到预期效果,确保位于铜金属线路之间的钯金属可以在超声波清洗机的作用下被清除,从而达到使铜金属线路上的镍分布均匀;
[0023]e)最后清洗结束后将晶圆搬运到指定位置处;
[0024]f)完成晶圆化学镀前处理。
[0025]所述载具在所述超声波清洗机上的清洗槽内清洗的过程中,始终与清洗槽的侧壁保持间距,所述钯金属通过化学镀镀在晶圆表面。
[0026]所述清水具体为常温状态,所述超声波清洗机的功率具体为1KW。
[0027]所述超声波清洗机工作时的频率具体为40KHz。
[0028]本专利技术的工作原理为:当开始活化工作后,晶圆表面镀上部分钯金属,并且由大量的钯金属残留在晶圆表面,将晶圆放置于载具内,再将载具放置于超声波清洗机上的清洗槽内,然后向超声波清洗槽内添加清水,进而超声波清洗机开始工作对晶圆进行超声波清洗,在此过程中超声波清洗机产生大量的气泡,气泡炸开将晶圆表面多于的钯金属从晶圆表面去掉,保持1到2分钟完成晶圆表面多于的钯金属的清洁,清洗结束后将晶圆搬运到指定位置处工作结束。
[0029]上述实施例用于对本专利技术作进一步的说明,但并不将本专利技术局限于这些具体实施方式。凡在本专利技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应理解为在本专利技术的保护范围之内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆化学镀前处理方法,其特征在于:其制作方法为:a)首先将钯金属镀在晶圆的表面上,此时晶圆表面残留部分药液;b)先将表面完成镀钯金属的晶圆放置于载具内,然后将载具放置超声波清洗机上的清洗槽内,所述载具与超声波清洗机的清洗槽侧壁分离;c)在超声波清洗机上的清洗槽内注入清水,此时清水的高度高于载具的高度,载具上的晶圆淹没在清洗槽内的清水中,清水的量具体为60到80升;d)然后超声波清洗机开始工作对晶圆进行清洗,在此过程中保持1到2分钟的清洗时间;e)最后清洗结束...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈云利王健李军周志强
申请(专利权)人:苏州尊恒半导体科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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