【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种具有通过STI(浅沟隔离)方法形成的元件隔离结构的半导体器件，并且还涉及该半导体器件的制造方法。
技术介绍
通常，通过STI方法形成的元件隔离结构(后文中简称为STI元件隔离结构)被用作半导体器件的元件隔离结构，在每个元件隔离结构中，元件隔离区域中形成的沟槽填充有绝缘材料，以确保有源区之间的电绝缘。由于这种STI元件隔离结构能够确保元件隔离而不会从衬底表面凸起，例如通过称为LOCOS方法形成的场氧化膜，所以需要STI元件隔离结构满足近来对进一步减小半导体器件尺度的需求。专利文献1日本专利申请特开No.2003-203989在由STI元件隔离结构所代表的元件隔离结构中，用于元件隔离的绝缘材料将压应力施加于相邻的元件区域。也就是说，虽然介电常数为3.9的二氧化硅通常被用作STI元件隔离结构的绝缘材料，以避免增大寄生电容，但是由于相对于原来的硅，二氧化硅体积膨胀，所以二氧化硅将压应力施加于相邻的有源区。在这种压应力的影响下，元件尺寸特性的变化尤为显著。当压应力增大至超过半导体衬底母晶的弹性极限时，便产生位错、堆垛层错等，并且这会引起例如PN结漏电。...
【技术保护点】
一种半导体器件，包括： 元件隔离结构，其中在半导体衬底上的元件隔离区域中形成的沟槽被绝缘材料填满； 第一导电类型元件，形成在由所述元件隔离结构隔开的第一有源区中； 第二导电类型元件，形成在由所述元件隔离结构隔开的第二有源区中； 所述元件隔离结构包括： 所述元件隔离区域的第一元件隔离区域，其包括与所述第二有源区的一对相对端相邻的区域，所述第一元件隔离区域填充有对所述第二有源区施加压应力的绝缘材料；以及 所述元件隔离区域除了所述第一元件隔离区域之外的第二元件隔离区域，所述第二元件隔离区域填充有对每一个所述第一和第二有源区施加张应力的绝缘材料。
【技术特征摘要】
JP 2005-3-31 2005-1042341.一种半导体器件，包括元件隔离结构，其中在半导体衬底上的元件隔离区域中形成的沟槽被绝缘材料填满；第一导电类型元件，形成在由所述元件隔离结构隔开的第一有源区中；第二导电类型元件，形成在由所述元件隔离结构隔开的第二有源区中；所述元件隔离结构包括所述元件隔离区域的第一元件隔离区域，其包括与所述第二有源区的一对相对端相邻的区域，所述第一元件隔离区域填充有对所述第二有源区施加压应力的绝缘材料；以及所述元件隔离区域除了所述第一元件隔离区域之外的第二元件隔离区域，所述第二元件隔离区域填充有对每一个所述第一和第二有源区施加张应力的绝缘材料。2.根据权利要求1的半导体器件，其中在每一个所述第一和第二有源区上，栅极形成为一种图案，且栅极绝缘膜置于所述有源区与栅极之间，并且所述第二有源区上的栅极平行于所述第一元件隔离区域延伸。3.根据权利要求1的半导体器件，其中任一所述第一和第二导电类型元件为晶体管，并且所述第二有源区的所述一对相对端是所述第二有源区平行于第二导电类型晶体管栅极宽度方向的两端。4.根据权利要求1的半导体器件，其中第一和第二导电类型元件交替排列，并且所述第一元件隔离区域形成在每一对第一和第二导电类型元件之间。5.根据权利要求1的半导体器件，其中由多个第一导电类型元件排列构成第一导电类型元件组，每个第二导电类型元件以及每个第二导电类型元件与所述第一导电类型元件组形成在所述半导体衬底上相互独立的区域中，并且形成所述第一元件隔离区域以使每个第二有源区夹在其中。6.根据权利要求5的半导体器件，其中在每个第二导电类型元件的两端形成虚设有源区。7.根据权利要求1的半导体器件，其中由多个第一导电类型元件排列构成的第一导电类型元件组以及由多个第二导电类型元件排列构成第二导电类型元件组形成在所述半导体衬底上相互独立的区域中，并且形成所述第一元件隔离区域以使所述第二导电类型元件组的每个第二有源区夹在其中。8.根据权利要求7的半导体器件，其中在所述第二导电类型元件组的两端形成虚设有源区。9.根据权利要求1的半导体器件，其中仅所述第一元件隔离区域的上层部分，填充有施加压应力的所述绝缘材料。10.根据权利要求9的半导体器件，其中所述第一元件隔离区域的下层部分，填充有与所述第二元件隔离区域中施加张应力的绝缘材料相同的绝缘材料。11.根据权利要求1的半导体器件，其中所述第一元件隔离区域的上层部分和下层部分填充有不同的施加压应力的绝缘材料。12.根据权利要求1的半导体器件，其中所述施加压应力的绝缘材料是从高密度等离子体氧化物、...
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