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本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。ＮＭＯＳ晶体管的有源区和ＰＭＯＳ晶体管的有源区被ＳＴＩ元件隔离结构隔开。ＳＴＩ元件隔离结构由第一元件隔离结构以及在除了第一元件隔离结构之外的区域中形成的第二元件隔离结构组成，其中形成该第一元件隔离结构以...
该专利属于富士通株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过富士通株式会社授权不得商用。

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