半导体器件中的场效应晶体管及其制造方法技术

一种场效应晶体管（１）包括：具有第一空腔（５１）的衬底（１０）；隐埋在衬底（１０）中的栅极（４０）；和形成在衬底（１０）中并与第一空腔（５１）接触的扩散层（６０）。沟道区（７０）形成为基本上垂直于扩散层（６０）之间的衬底（１０）表面。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及晶体管工艺，特别是本专利技术涉及场效应晶体管、其制造方法、半导体器件和具有场效应晶体管的半导体存储器件。
技术介绍
易发生的辐射(宇宙射线、热能中子、α-射线等等)进入半导体存储器件，由于与硅衬底的碰撞而产生电子-空穴对。所产生的电子-空穴对集中在扩散层，引起节点的电位变化。在电荷集中机制中，对节点电位变化贡献最大的是紧靠漏极区下面的聚集。由于节点电位改变所致存储单元数据被重写的现象叫做“软故障”。这些年来随着器件小型化的进展，由辐射引起的电子和空穴的干扰变得更为显著。日本专利申请公报JP-P2000-12547A披露了一种技术，目标就在于增强抗单一事件扰乱(软故障)的能力。根据这篇专利文件中披露的半导体器件，在源极区和漏极区下面紧靠耗尽层的区域形成一个高密度缺陷层。高密度缺陷层起复合中心的作用，使少数载流子的复合变得容易。作为一般技术，日本专利申请公报JP-A-Heisei 5-198817和日本专利申请公报JP-P2002-26279A披露了一种纵向场效应晶体管。在这个纵向场效应晶体管中，载流子的迁移方向(导电方向)垂直于衬底表面。T.Sato等人所著文献“SO本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种场效应晶体管，其特征在于包括：具有第一空腔的衬底；隐埋在所述衬底中的栅极；和形成在所述衬底中并与所述第一空腔接触的扩散层。

【技术特征摘要】
JP 2005-3-29 2005-0950541.一种场效应晶体管，其特征在于包括具有第一空腔的衬底；隐埋在所述衬底中的栅极；和形成在所述衬底中并与所述第一空腔接触的扩散层。2.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于所述第一空腔安排在所述扩散层之间。3.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于所述第一空腔底面设置的比所述栅极底面深。4.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于所述栅极从所述衬底表面向上凸出，所述栅极的凸出的部分被侧壁包围。5.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于所述第一空腔到达所述衬底的表面。6.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于所述衬底进一步具有第二空腔，其是所述第一空腔的延续，并在所述扩散层下面扩展。7.根据权利要求6所述的场效应晶体管，其特征在于器件隔离区暴露于所述扩散层下面的所述第二空腔。8.根据权利要求6所述的场效应晶体管，其特征在于衬底安排在器件隔离区和所述栅极下面的所述第二空腔之间。9.根据权利要求7所述的场效应晶体管，其特征在于所述器件隔离区的...

【专利技术属性】
技术研发人员：桥本真吾，
申请(专利权)人：恩益禧电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[]