光刻装置、湿浸式投影装置和器件制造方法制造方法及图纸

一种光刻装置，其包括保持基底的基底台和将带图案的辐射光束投影到基底靶部的投影系统。该光刻装置还包括流体供给系统，用于在基底和投影系统的最后一个透镜元件之间提供流体，和位置控制装置，用于控制该流体供给系统的位置。该位置控制装置配置成在被提供基底的位置量时，通过在基底的位置量上增加位置偏差来确定流体供给系统的期望位置，然后根据该期望位置定位流体供给系统。该位置量包括基底台的位置和／或旋转位置和／或基底高度的高度函数。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种光刻装置、湿浸式投影装置和一种制造器件的方法。
技术介绍
光刻装置是将期望的图案应用于基底上通常是基底靶部上的一种装置。光刻装置可以用于例如集成电路(IC)的制造。在这种情况下，构图装置或者可称为掩模或中间掩模版，它可用于产生形成在IC的一个单独层上的电路图案。该图案可以被转移到基底(例如硅晶片)的靶部上(例如包括部分，一个或者多个管芯)。通常这种图案的转移是通过成像在涂敷于基底的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。一般地，单一的基底将包含相继构图的相邻靶部的网格。已知的光刻装置包括所谓的步进器，它通过将整个图案一次曝光到靶部上而辐射每一靶部，已知的光刻装置还包括所谓的扫描器，它通过在辐射光束下沿给定的方向(“扫描”方向)扫描所述图案，并同时沿与该方向平行或者反平行的方向同步扫描基底来辐射每一靶部。还可以通过将图案压印到基底上把图案从构图装置传送到基底上。已经有人提议将光刻投影装置中的基底浸入具有相对较高折射率的液体中，如水，从而填充投影系统的最后一个元件与基底之间的空间。由于曝光辐射在该液体中具有更短的波长，从而能够对更小的特征进行成像。(液体的作用也可以认为是增加了本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光刻装置，包括：配置成保持基底的基底台；配置成将带图案的辐射光束投影到基底靶部的投影系统；构造成在基底和投影系统之间提供流体的流体供给系统；和位置控制装置，用于控制该流体供给系统的位置，和接收作为输入的基底的位置量，其中该位置控制装置进一步配置成通过在基底的位置量上增加位置偏差来确定流体供给系统的期望位置；以及　根据该期望位置定位该流体供给系统。

【技术特征摘要】
US 2005-3-28 11/0906991.一种光刻装置，包括配置成保持基底的基底台；配置成将带图案的辐射光束投影到基底靶部的投影系统；构造成在基底和投影系统之间提供流体的流体供给系统；和位置控制装置，用于控制该流体供给系统的位置，和接收作为输入的基底的位置量，其中该位置控制装置进一步配置成通过在基底的位置量上增加位置偏差来确定流体供给系统的期望位置；以及根据该期望位置定位该流体供给系统。2.如权利要求1所述的光刻装置，其中基底的位置量包括与基底台相对投影系统的焦平面的倾斜相关的量。3.如权利要求1所述的光刻装置，其中基底的位置量包括基底台在垂直于投影系统的焦平面的方向上的位置。4.如权利要求1所述的光刻装置，其中位置偏差包括在扫描基底期间大体上不变的偏差值。5.如权利要求4所述的光刻装置，其中大体上不变的偏差值包括在垂直于投影系统的焦平面的方向上大体上不变的偏差值。6.如权利要求4所述的光刻装置，其中通过在标称偏差值上增加至少部分基底的厚度参数，确定基底的大体上不变的偏差值。7.如权利要求6所述的光刻装置，其中基底的厚度参数包括基底的最大厚度和最小厚度的平均值。8.如权利要求1所述的光刻装置，其中位置控制装置配置成在扫描基底期间使流体供给系统保持在固定位置，基底的位置量包括基底台在垂直于投影系统的焦平面的方向上的平均位置。9.如权利要求1所述的光刻装置，其中位置控制装置进一步配置成确定流体供给系统和基底之间的瞬间间距，并且当该间距达到预定的期望间距范围的极值时临时调节偏差。10.如权利要求1所述的光刻装置，其中位置控制装置进一步配置成确定流体供给系统和基底之间的间距，并且当该间距超过预定的安全间距范围时发出警报信息。11.如权利要求1所述的光刻装置，其中基底位置量包括基底高度的高度函数。12.如权利要求11所述的光刻装置，其中位置控制装置配置成利用所述高度函数确定在部分基底表面上的最合适平面，所述部分基底表面被流体供给系统覆盖；以及通过在该最合适平面的高度上增加预定高度来确定流体供给系统的期望位置。13.如权利要求11所述的光刻装置，其中位置控制装置配置成利用所述高度函数确定在被流体供给系统覆盖的部分基底表面上的这样一个平面，所述平面使高度函数的最小值保持为正...

【专利技术属性】
技术研发人员：JGC范德图恩，H布特勒，HHM科西，EHJ德拉贾，N坦卡特，F范德穆伦，MJH弗兰坎，M侯克斯，AH阿伦德斯，M库帕卢斯，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]