【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及纳米加工领域，是制备电子束和光学混合和匹配曝光套准标记的方法，是保证电子束和光学混合和匹配曝光套准精度的基础。
技术介绍
电子束曝光系统有很高的分辨率，JBX-5000LS电子束曝光系统的最高分辨率可以达到30nm，但由于圆形束电子束曝光系统采用较细的束斑进行超精细图形扫描曝光，图形精度要求越高，选择用于描绘图形的束斑要求越细，相应的束流密度越小，在同样感光灵敏度条件下就需要越长的曝光时间。采用电子束和光学系统的混合和匹配曝光是解决电子束光刻精度和扫描效率的矛盾的有效方法，而高精度电子束和光学混合和匹配曝光套准标记的制备是混合和匹配曝光技术实现的重要保证。
技术实现思路
本专利技术针对电子束光刻精度和扫描效率的矛盾，提出了高精度，利用该方法制备的标记，电子束和光学系统的套准精度可以优于100nm。为达到上述目的，本专利技术的技术解决方案是提供一种，是用光学曝光方法制备可以被电子束系统识别的用于电子束和光学混合和匹配曝光的套准标记，具有优化设计的电子束和光学混合和匹配曝光的套准标记；用电子束曝光系统制备套准标记掩模版；采用光学投影系统将掩模版上的套准标...
【技术保护点】
一种电子束和光学混合和匹配曝光套准标记的制备方法，是用光学曝光方法制备可以被电子束系统识别的用于电子束和光学混合和匹配曝光的套准标记，具有优化设计的电子束和光学混合和匹配曝光的套准标记；用电子束曝光系统制备套准标记掩模版；采用光学投影系统将掩模版上的套准标记曝光在硅片上；采用干法刻蚀将套准标记转移到硅片上；在电子束曝光系统中采用合适的修正方法查找标记等特点；其特征在于，包括下列步骤：第一步，设计电子束和光学混合和匹配曝光的套准标记；第二步，将掩模版装入电子束曝 光系统的电子腔体；第三步，曝光电子束和光学混合与匹配曝光的套准的整片和子场标记；第四...
【技术特征摘要】
1.一种电子束和光学混合和匹配曝光套准标记的制备方法，是用光学曝光方法制备可以被电子束系统识别的用于电子束和光学混合和匹配曝光的套准标记，具有优化设计的电子束和光学混合和匹配曝光的套准标记；用电子束曝光系统制备套准标记掩模版；采用光学投影系统将掩模版上的套准标记曝光在硅片上；采用干法刻蚀将套准标记转移到硅片上；在电子束曝光系统中采用合适的修正方法查找标记等特点；其特征在于，包括下列步骤第一步，设计电子束和光学混合和匹配曝光的套准标记；第二步，将掩模版装入电子束曝光系统的电子腔体；第三步，曝光电子束和光学混合与匹配曝光的套准的整片和子场标记；第四步，对第三步得到的掩模版进行显影、腐蚀铬和去胶处理，再用去离子水清洗干净，得到了含有整片标记和子场标记的掩模版；第五步，用显微镜观察掩模版的完整性；第六步，用线宽测量仪测量整片标记和子场标记的特征尺寸并和设计图形的特征尺寸进行比较；第七步，准备电子束和光学系统混合与匹配曝光的基片；第八步，用抗蚀剂作为阻挡层，采用干法刻蚀将套准标记转移到硅片上；第九步，将第八步得到的硅片进行去胶和清洗，涂覆电子束抗蚀剂；第十步，用严格控制温度的热板进行前烘后，自然冷却，再装入电子束腔体；第十一步，对整片标记和子场标记分别进行修正，确保电子束系统可以查找到光学投影曝光系统制备的标记后，采用电子束系统曝光检测电子束和光学系统混合与匹配曝光的套准精度的第二层图形；第十二步，将曝光后的基片用热板进行后烘，再自然冷却；第十三步，对第十二步所得基片进行显影后，得到检察电子束曝光系统和光学曝光系统的混合和匹配曝光的套准精度的图形；第十四步，将第十三步所得基片用去离子水冲洗干净，用电子显微镜测量曝光后的图形，合格后，完成制品。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一步，包括a.根据电子束曝光系统的要求，设计整片标记；b.根据电子束曝光系统的要求，设计每个子场的标记；c.将标记图形转换成电子束系统可以识别的图形文件格式；d.编辑电子束曝光文件。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第七步，包括a.将硅基...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘明，徐秋霞，陈宝钦，龙世兵，牛洁斌，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]
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