【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体制造工艺与设备,且特别涉及一种显影方法与设备。
技术介绍
光刻(photolithography)工艺可以说是整个半导体制造工艺中相当重要的工艺步骤。光刻工艺主要包括光刻胶涂布步骤、曝光步骤与显影步骤等,其中在显影步骤中,主要控制条件包括显影时间、显影液的浓度与温度等。图1为公知的显影方法的示意图。请参照图1,公知的显影方法包括下列步骤。首先,提供显影液供应装置102与基板100,其中显影液供应装置102之一端与管件104连接,而管件104将显影液输入至显影液供应装置102中。此外,显影液供应装置102具有多个喷头(图中未示),用以释出显影液。将显影液供应装置102由基板100之一侧往基板100之另一侧平行移动,并同时将显影液涂布基板100之所有部位上。然后,移除基板100上的显影液,以完成公知的显影方法。值得注意的是,由于显影液供应装置102由基板100之一侧移动至另一侧需数秒钟,因此显影液涂布于基板100两侧上的时间就有数秒钟的差异,而此数秒钟的差异将造成显影不均匀的问题。然而,在大尺寸基板上进行显影液之涂布时,就容易产生显影不均匀 ...
【技术保护点】
一种显影方法,其特征在于包括:提供显影设备与基板,其中该显影设备包括传送装置与喷头;以及通过该传送装置使该基板往第一方向移动,并令该喷头往相反于该第一方向之第二方向移动,其中在该喷头移动时,该喷头所释出之显影液涂布于该基板上 。
【技术特征摘要】
1.一种显影方法,其特征在于包括提供显影设备与基板,其中该显影设备包括传送装置与喷头;以及通过该传送装置使该基板往第一方向移动,并令该喷头往相反于该第一方向之第二方向移动,其中在该喷头移动时,该喷头所释出之显影液涂布于该基板上。2.根据权利要求1所述之显影方法,其特征在于该显影液的流量介于30L/min至50L/min之间。3.根据权利要求1所述之显影方法,其特征在于该显影液的浓度介于2.37%至2.39%之间。4.根据权利要求1所述之显影方法,其特征在于该显影液的温度介于22℃至24℃之间。5.根据权利要求1所述之显影方法,其特征在于该喷头的移动速率介于2m/min至9m/min之间。6.根据权利要求1所述之显影方法,其特征在于该基板的移动速率介于2m/min至9m/min之间。7.根据权利要求1所述之显影方法,其特征在于该涂布该显影液之后...
【专利技术属性】
技术研发人员:詹勋凯,刘大有,
申请(专利权)人:中华映管股份有限公司,
类型:发明
国别省市:71[中国|台湾]
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