【技术实现步骤摘要】
本专利技术总体上涉及一种半导体器件，尤其涉及一种半导体器件的制造方法，该半导体器件利用采用硅衬底制造的微结构插入结构(interposer)进行封装。
技术介绍
在上述类型的半导体器件中，半导体芯片安装在插入结构上。因此，随着具有更精细且更薄结构的半导体芯片的最新发展，正在努力提供具有更薄更精细的结构的插入结构(布线衬底或重排衬底(rearranging substrate))。插入结构通常是通过形成绝缘层和用作互连的导电层的叠层来制成的。近年来，已经提出采用精细加工技术例如用在半导体芯片制造设备中的光刻技术来制造插入结构。一般来说，在采用光刻技术的这种插入结构制造工艺中，互连图案和绝缘层层叠在硅衬底的一个侧面上，并且外部连接安装端子的焊盘(land)形成在硅衬底的另一个侧面上。处于硅衬底的相反侧面上的焊盘(land)和互连图案通过穿过硅衬底形成的通孔而电连接。通过使用硅衬底，插入结构的布线图案和绝缘层可以采用与制造半导体芯片的工艺类似的方式形成。因此，这样的优点在于可以形成精细且多层结构的插入结构。根据采用硅片的上述插入结构制造方法，必须进行在硅衬底中形成通...
【技术保护点】
一种制造半导体器件的方法，该方法包括以下步骤：ａ．在硅衬底上形成金属薄膜层；ｂ．通过在所述金属薄膜层上的多个水平面中形成导电层和绝缘层来形成薄膜多层衬底；ｃ．通过粘合部件将支撑部件贴在所述薄膜多层衬底上；ｄ． 除去所述硅衬底和所述金属薄膜层；ｅ．将所述薄膜多层衬底连同所述支撑部件一起个体化；ｆ．将所述薄膜多层衬底安装在封装衬底上并且将所述薄膜多层衬底固定在所述封装衬底上；ｇ．降低所述粘合部件的粘附性，从所述薄膜多层衬底上剥 离所述支撑部件和所述粘合部件；以及ｈ．将至少...
【技术特征摘要】
JP 2002-5-24 151050/2002;JP 2002-8-13 235524/20021.一种制造半导体器件的方法，该方法包括以下步骤a.在硅衬底上形成金属薄膜层；b.通过在所述金属薄膜层上的多个水平面中形成导电层和绝缘层来形成薄膜多层衬底；c.通过粘合部件将支撑部件贴在所述薄膜多层衬底上；d.除去所述硅衬底和所述金属薄膜层；e.将所述薄膜多层衬底连同所述支撑部件一起个体化；f.将所述薄膜多层衬底安装在封装衬底上并且将所述薄膜多层衬底固定在所述封装衬底上；g.降低所述粘合部件的粘附性，从所述薄膜多层衬底上剥离所述支撑部件和所述粘合部件；以及h.将至少一个半导体芯片安装在所述薄膜多层衬底上。2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中所述粘合部件在与所述薄膜多层衬底接触的表面上设有热发泡粘合材料，并且所述剥离所述粘合部件的步骤包括将所述粘合部件加热至大于或等于所述热发泡粘合材料的发泡温度的温度的步骤。3.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中所述粘合部件在与所述薄膜多层衬底接触的表面上设有UV固化型粘合材料，所述剥离所述粘合部件的步骤包括将紫外线辐射照射在所述粘合部件上的步骤。4.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，从将所述硅衬底从所述薄膜多层衬底上除去的步骤直到将所述薄膜多层衬底固定并安装在所述封装衬底上的步骤，利用所述粘合部件将所述支撑部件贴在所述薄膜多层衬底上。5.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中在所述步骤e中，所述薄膜多层衬底、所述粘合部件和所述支撑部件被同时切割。6.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中在所述步骤d之前，在所述薄膜多层衬底被固定在所述硅衬底上的同时，只有所述薄膜多层衬底受到切割和个体化。7.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中所述步骤d包括采用氢氟酸-硝酸进行旋转蚀刻。8.如权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其中所述步骤e包括在用氢氟酸-硝酸进行旋转蚀刻之后用中和试剂对氢氟酸-硝酸进行中和的步骤。9.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中所述绝缘层中与所述金属薄膜层接触的一层的材料与剩余的绝缘层相比有更大的柔性。10.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中所述步骤a和b包括在所述硅衬底上形成所述金属薄膜层和所述薄膜多层衬底，使所述金属薄膜层和所述薄膜多层衬底处于预先个体化的状态。11.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中在所述步骤d之后，将激光束照射在所述暴露的绝缘层上以...
【专利技术属性】
技术研发人员：斋藤信胜，南泽正荣，米田义之，清水敦和，今村和之，菊池敦，冈本九弘，渡边英二，
申请(专利权)人：富士通微电子株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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