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本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，所述方法包括以下步骤：ａ．在硅衬底上形成金属薄膜层；ｂ．通过在所述金属薄膜层上的多个水平面中形成导电层和绝缘层来形成薄膜多层衬底；ｃ．通过粘合部件将支撑部件贴在所述薄膜多层衬底上；ｄ．除去所述硅衬底和...
该专利属于富士通微电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过富士通微电子株式会社授权不得商用。

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