浸没式光刻机浸液流场维持系统技术方案

本发明专利技术提供一种浸没式光刻机所使用的浸液流场维持系统，该光刻机包括投影物镜、硅片台，以及布置在投影物镜周围的浸液供给系统，浸液供给系统在投影物镜下方形成一浸液流场。该浸液维持系统包括水平导轨、通过悬臂吊接于水平导轨的平板、附着在水平导轨上的水平方向驱动装置，以及附着在悬臂上的垂直方向驱动装置。在光刻机撤下硅片，硅片台从投影物镜正下方的曝光区域撤出时，平板与硅片台连接并同步运动，浸没流场由硅片台转移到平板上；在光刻机装上硅片，硅片台从曝光区域外围进入曝光区域时，平板与硅片台连接并同步运动，浸液流场从平板转移到硅片台上。该系统避免了光刻机在硅片台离开曝光位置时撤销流场，在硅片台进入曝光位置时重新建立流场的过程，节约了大量时间，提高光刻机产率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体制程中所使用的浸没式光刻机，尤其涉及一种浸没式光刻机的浸液流程维持系统。
技术介绍
光刻机是集成电路生产中最关键的核心设备，而浸没式光刻则是IC制造业中光刻技术近年来发展的趋势。浸没式光刻的基本原理是在硅片和投影物镜最后一片镜片间充入较高折射率的液体，获得更高的数值孔径，从而得到更高的曝光分辨率。请参见图1所示，其揭示一现有的光刻机结构。在该光刻机中，主框架10支撑一照明系统20、一投影物镜10和一硅片台40，硅片台40上放置有一涂有感光光刻胶的硅片50。掩模版30上集成电路的图形通过照明系统20和投影物镜10，以成像曝光的方式，转移到涂有感光光刻胶的硅片50上，从而完成曝光。光刻机的性能决定了曝光图形的分辨率，而曝光图形的分辨率又决定了集成电路的性能。决定光刻机分辨率的最主要因素是光源的波长和投影物镜的数值孔径，以及工艺因子。在曝光光源波长一定的前提下，提高投影物镜数值孔径可以获得更高的分辨率。投影物镜数值孔径是像方折射率与孔径角正弦值的乘积。请参见图2，其为一种浸没曝光技术的示意图，该浸没曝光技术是利用高折射率的像方介质3提高数值孔径，从而提高分辨率。类本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种浸没式光刻机的浸液流场维持系统，该光刻机包括投影物镜、至少一用以承载硅片的硅片台，以及一分布在投影物镜周围的浸液供给系统，浸液供给系统在投影物镜下方形成一浸液流场；其特征在于：该浸液维持系统包括水平导轨、与水平导轨滑块相连的平板，以及驱动平板运动的驱动装置；在光刻机撤下硅片，硅片台从投影物镜正下方的曝光区域撤出时，平板与硅片台连接并同步运动，浸没流场由硅片台转移到平板上；在光刻机装上硅片，硅片台从曝光区域外围进入曝光区域时，平板与硅片台连接并同步运动，浸液流场从平板转移到硅片台上。

【技术特征摘要】
1.一种浸没式光刻机的浸液流场维持系统，该光刻机包括投影物镜、至少一用以承载硅片的硅片台，以及一分布在投影物镜周围的浸液供给系统，浸液供给系统在投影物镜下方形成一浸液流场；其特征在于该浸液维持系统包括水平导轨、与水平导轨滑块相连的平板，以及驱动平板运动的驱动装置；在光刻机撤下硅片，硅片台从投影物镜正下方的曝光区域撤出时，平板与硅片台连接并同步运动，浸没流场由硅片台转移到平板上；在光刻机装上硅片，硅片台从曝光区域外围进入曝光区域时，平板与硅片台连接并同步运动，浸液流场从平板转移到硅片台上。2.如权利要求1所述的浸液流场维持系统，其特征在于所述驱动装置包括附着在水平导轨上驱动平板进行水平移动的水平驱动装置，以及附着在悬臂上驱动平板进行垂直移动的垂直驱动装置。3.如权利要求1所述的浸液流场维持系统，其特征在于当光刻机进行曝光时，平板在水平驱动装置的驱动下移动到投影物镜的外围并在垂直驱动装置的驱动下升起到一高于硅片台的位置，不干涉硅片台在曝光时的所有动作。4.如权利要求1所述的浸液流场维...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨志勇，
申请(专利权)人：上海微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]