浸入式光刻装置和方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种浸入式光刻装置和方法，以及光刻光学柱结构，用于利用在相同压力下的不同流体中的光学系统的至少投射光学部件和晶片进行浸入式光刻。具体地说，提供了一种浸入式光刻装置，其中将超临界流体引入晶片的周围，并且以相同的压力将如惰性气体的另一种流体引入光学系统的至少投射光学部件，以消除对特殊透镜的需求。另外，本发明专利技术包括浸入式光刻装置，该装置包括一室，该室填充有超临界浸入流体并且包围将要曝光的晶片以及光学系统的至少投射光学部件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术主要涉及半导体制造，更具体地说，涉及浸入式光刻装置和方法以及光刻光学柱结构，用于利用光学系统的至少投射光学部件和在相同压力下的晶片进行浸入式光刻。
技术介绍
目前，对制造更小的半导体器件的不断追求使半导体制造工业通过浸入式光刻而不是干光刻寻求发展。例如，当前工业中的焦点已经从157纳米(nm)波长干光刻技术转向193nm波长浸入式(湿)光刻技术，并具有获得157nm下的浸入式光刻的目标。浸入式光刻方法包括用具有比常规流体即空气的更高的折射率(n)的流体填充光刻工具中最后一个投射透镜和晶片之间的空间。当折射率升高时，光刻工具的数值孔径(NA)也升高。数值孔径的升高导致图形转移工艺分辨率的提高，并因此为更小的器件提供潜力。在一种方法中，流体使用如水的液体，该液体提供比空气更高的折射率(例如，空气n＝1，水n＝1.44)。不幸的是，将浸入式光刻扩展到157nm的波长很困难，由于如水的可以用作液体浸入材料的透明液体介质会吸收157nm的光的缺点。此方法的其它挑战包括在曝光期间抑制在液体中的气泡，浸润不足，晶片污染以及复杂性。寻找的另一方法，除了其它，透明流体使用超临界流体，如在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种浸入式光刻装置，所述装置包括：第一室，适于保持晶片，所述第一室填充有在一压力下的第一流体；以及第二室，位于所述第一室上并且包括用于将辐射投射到所述晶片上的光学系统的至少投射光学部件，所述第二室填充有与所述第一流体不同并在基本上所述压力下的第二流体。

【技术特征摘要】
US 2005-6-10 11/160,1561.一种浸入式光刻装置，所述装置包括第一室，适于保持晶片，所述第一室填充有在一压力下的第一流体；以及第二室，位于所述第一室上并且包括用于将辐射投射到所述晶片上的光学系统的至少投射光学部件，所述第二室填充有与所述第一流体不同并在基本上所述压力下的第二流体。2.根据权利要求1的装置，还包括允许辐射在所述第一室和所述第二室之间通过的窗口。3.根据权利要求1的装置，其中所述第一流体包括在超临界状态下的氙(Xe)。4.根据权利要求3的装置，其中所述氙(Xe)处在约63大气压的压力和高于23℃的温度下。5.根据权利要求1的装置，其中所述第二流体包括惰性气体。6.根据权利要求5的装置，其中所述惰性气体包括下面气体中的至少一种氦(He)和氮(N2)。7.根据权利要求1的装置，还包括至少一个压力调节器，适于调节每个室的所述压力。8.根据权利要求1的装置，其中所述第二室仅包括所述光学系统的所述投射光学部件，并且还包括耐压窗口以允许光从所述光学系统的其它部分传输到所述投射光学部件。9.根据权利要求1的装置，还包括用于所述第一室的第一负载锁以允许所述晶片的进/出，和用于所述第二室的第二负载锁以允许所述光学系统的掩膜的进/出。10.根据权利要求1的装置，其中所述压力约为63大气压。11.一种使用包括光学系统的浸入式光刻工具在晶片上进行浸入式光刻的方法，所述方法包括以下步骤将所述晶片设置在填充有在第一压力下的第一超临界流体的第一室中；将所述光学系统的至少投射光学部件设置...

【专利技术属性】
技术研发人员：SJ霍姆斯，MC哈基，DV霍拉克，PH米切尔，古川俊治，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]