【技术实现步骤摘要】
本专利技术一般涉及光刻工艺,并且更特别地涉及为光刻工艺效果而修正集成电路掩模布局的方法。
技术介绍
在集成电路制造中,照相平版印刷术或平版印刷术通常用来将与集成电路的布局相关的图案转移到晶片衬底上。该晶片衬底包括,但不局限于,例如硅、硅锗(SiGe)、绝缘体硅(SOI)以及其各种组合物等材料。改进超大规模集成(VLSI)电路性能的努力,导致了对减小图形尺寸和增加布局密度的需求的增长。这又更加需要使用分辨率增强技术(RET)以扩展光刻工艺的能力。RET包括例如使用光学临近修正(OPC)、次分辨率辅助图形增强光刻(SRAF)和相位移增强掩模光刻(PSM)的技术。尽管分辨率增强技术(RET)的几种形式有惊人的进步,但是迭代的基于模型的光学临近修正(MBOPC)已将其自身确认为为光刻工艺效果而补偿掩模形状的可选择的方法。常规的MBOPC工具类似于下列方式进行操作并包括下列步骤。掩模设计(下面称为掩模)上的形状通常定义为多边形。执行预处理步骤将每个掩模形状的边分为较小的线段。MBOPC工具的核心是在特定点模拟图像强度的模拟器,该点通常是在每个线段的中心。然后将这些线段在M ...
【技术保护点】
一种用于执行光学临近修正(OPC)的方法,包括以下步骤:识别具有需要分段的边的感兴趣的图形;识别一个或多个不同于所述感兴趣的图形的有影响的图形;平滑所述一个或多个有影响的图形,以形成有平滑的边的平滑的有影响的图形,其 中所述一个或多个有影响的图形的平滑的量,根据所述有影响的图形对所述感兴趣的图形的成像过程的影响而变化;根据所述平滑的有影响的图形的平滑的边,限定所述感兴趣的图形的边的分段;以及执行所述感兴趣的图形的OPC,其中所述OPC包括 调整所述感兴趣的图形的边的所述分段。
【技术特征摘要】
US 2005-5-26 11/138,1721.一种用于执行光学临近修正(OPC)的方法,包括以下步骤识别具有需要分段的边的感兴趣的图形;识别一个或多个不同于所述感兴趣的图形的有影响的图形;平滑所述一个或多个有影响的图形,以形成有平滑的边的平滑的有影响的图形,其中所述一个或多个有影响的图形的平滑的量,根据所述有影响的图形对所述感兴趣的图形的成像过程的影响而变化;根据所述平滑的有影响的图形的平滑的边,限定所述感兴趣的图形的边的分段;以及执行所述感兴趣的图形的OPC,其中所述OPC包括调整所述感兴趣的图形的边的所述分段。2.根据权利要求1所述的方法,其中所述识别所述一个或多个有影响的图形进一步包括在所述感兴趣的图形周围识别多个相互作用区域(ROI),使得每个所述多个ROI至少包含所述一个或多个有影响的图形的一部分;以及根据所述一个或多个有影响的图形的所述至少一部分对所述感兴趣的图形的所述成像过程的影响的量,提供对应于所述多个ROI的每一个的平滑参数;以及其中所述平滑是根据所述相应的平滑参数,在所述多个ROI的每一个内的所...
【专利技术属性】
技术研发人员:马哈拉马克赫吉,斯科特M曼斯菲尔德,艾伦E罗森布拉特,卡费莱,
申请(专利权)人:国际商业机器公司,
类型:发明
国别省市:US[美国]
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